Дискретные полупроводники · Высокочастотные полевые канальные транзисторы

Подсказывать возможные варианты

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	MRF5S21150HR3	Freescale Semiconductor	MOSFET RF N-CHAN 28V 33W NI-880 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 2.11GHz · Усиление: 12.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.3A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 33W · Корпус: NI-880		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA091201GL V1 R250	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 120W PG-63248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 960MHz · Усиление: 18.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 750mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 110Вт		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	SD56150	STMicroelectronics	TRANSISTOR RF POWER LDMOST M252 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 860MHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 17A · Ток - тестовый: 500mA · Напряжение - тестовое: 32V · P1dB: 150Вт · Корпус: M252		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BLF6G22LS-180RN:11	NXP Semiconductors	TRANS LDMOS POWER 180W SOT-502B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.11GHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 49A · Ток - тестовый: 1.4A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 40Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	NE34018-T1-A	NEC	AMP HJ-FET 2GHZ SOT-343 Тип транзистора: HFET · Частота: 2GHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 4V · Номинал тока: 120mA · Коэффициент шума: 0.6dB · Ток - тестовый: 5mA · Напряжение - тестовое: 2V · P1dB: 12dBm · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRF21085LSR3	Freescale Semiconductor	IC MOSFET RF N-CHAN NI-780S Тип транзистора: N-Channel · Частота: 2.11GHz · Усиление: 13.6dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 19Вт · Корпус: NI-780S		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA091201HL V1	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 120W PG-64248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 960MHz · Усиление: 18.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 750mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 110Вт		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	TGF2021-01	Triquint Semiconductor Inc	IC TRANS PHEMT 12GHZ 1MM DIE Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 10GHz · Усиление: 11dB · Номинальное напряжение: 12.5V · Номинал тока: 470mA · Ток - тестовый: 75mA · Напряжение - тестовое: 10V · P1dB: 30.8dBm · Корпус: Die		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MMBFJ309LT1	ON Semiconductor	JFET SS N-CHAN 25V SOT23 Тип транзистора: N-Channel JFET · Номинальное напряжение: 25V · Номинал тока: 30mA · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	2SK3391JXTL	Renesas Technology America	MOSFET N-CH 17V 300MA UPAK Тип транзистора: N-Channel · Частота: 836MHz · Номинальное напряжение: 17В · Номинал тока: 300mA · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 13.7V · P1dB: 1.6W · Корпус: UPAK		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	SLD-2083CZ	Sirenza Microdevices Inc	IC TRANSISTOR LDMOS 10W 2-SOIC Тип транзистора: LDMOS · Частота: 902MHz ~ 928MHz · Усиление: 18dB · Номинальное напряжение: 35V · Ток - тестовый: 125mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 2Вт · Корпус: 2-SOIC		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BG 3230 E6327	Infineon Technologies	MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363 Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual) · Частота: 800MHz · Усиление: 24dB · Номинальное напряжение: 8V · Номинал тока: 25mA · Коэффициент шума: 1.3dB · Напряжение - тестовое: 5V · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	J310RLRP	ON Semiconductor	MOSFET VHF/UHF N-CH 25V TO-92 Тип транзистора: N-Channel JFET · Частота: 100MHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 25V · Номинал тока: 60mA · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 10V · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	2N5950_J18Z	Fairchild Semiconductor	AMP RF N-CHAN 30V TO-92 Тип транзистора: N-Channel JFET · Номинальное напряжение: 30В · Номинал тока: 15mA · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTF180101M V1	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 10W TSSOP-10 Серия: GOLDMOS® · Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.99GHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 1µA · Ток - тестовый: 180mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 10Вт · Корпус: 10-TSSOP		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BLF4G10LS-160,112	NXP Semiconductors	BASESTATION FINAL 1GHZ SOT502B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 894.2MHz · Усиление: 19.7dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 15A · Ток - тестовый: 900mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 160W · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	TGF4118	Triquint Semiconductor Inc	IC TRANS HFET 6GHZ 7W 18MM DIE Тип транзистора: HFET · Частота: 2.3GHz · Усиление: 11.5dB · Номинальное напряжение: 12В · Номинал тока: 4.41A · Ток - тестовый: 1.69A · Напряжение - тестовое: 8V · P1dB: 9Вт · Корпус: Die		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MMBFJ310LT1	ON Semiconductor	JFET SS N-CHAN 25V SOT23 Тип транзистора: N-Channel JFET · Номинальное напряжение: 25V · Номинал тока: 60mA · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRF5S21150HSR5	Freescale Semiconductor	MOSFET RF N-CHAN 28V 33W NI-880S Тип транзистора: N-Channel · Частота: 2.11GHz · Усиление: 12.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.3A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 33W · Корпус: NI-880S		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	2N5486	ON Semiconductor	IC JFET N-CH VHF/UHF 25V TO92 Тип транзистора: N-Channel JFET · Номинальное напряжение: 25V · Номинал тока: 30mA · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRFG35010	Freescale Semiconductor	TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ NI360HF Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 3.55GHz · Усиление: 10dB · Номинальное напряжение: 15V · Номинал тока: 2.9A · Ток - тестовый: 180mA · Напряжение - тестовое: 12В · P1dB: 10Вт · Корпус: NI-360HF		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRF5S19100HR3	Freescale Semiconductor	MOSFET RF N-CHAN 28V 22W NI-780 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 1.93GHz · Усиление: 13.9dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 22Вт · Корпус: NI-780		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRF21085LSR5	Freescale Semiconductor	IC MOSFET RF N-CHAN NI-780S Тип транзистора: N-Channel · Частота: 2.11GHz · Усиление: 13.6dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 19Вт · Корпус: NI-780S		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA041501GL V1 R250	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 150W PG-63248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 470MHz · Усиление: 21dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 1µA · Ток - тестовый: 900mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 150Вт		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRF6S19100MBR1	Freescale Semiconductor	MOSFET RF N-CH 28V 22W TO272-4 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 1.99GHz · Усиление: 14.5dB · Номинальное напряжение: 68V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 950mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 22Вт · Корпус: TO-272-4		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине

← Ctrl предыдущая1 ... 42 43 44 45 464748 49следующая Ctrl →

Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов

Регистрация • Реклама на сайте