Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные полевые канальные транзисторы

Производитель














Серия
Тип транзистора













Частота
































































































Усиление



























































































Номинальное напряжение







































Номинал тока




















































































































Коэффициент шума
































Ток - тестовый












































































Напряжение - тестовое






























P1dB




































































































































Корпус






































































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
MRF6S9125MBR1Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 28V 27W TO-272-4
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 880MHz  ·  Усиление: 20.2dB  ·  Номинальное напряжение: 68V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 950mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 27Вт  ·  Корпус: TO-272-4
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF5S9070MR1Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 26V 70W TO-270-2
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 880MHz  ·  Усиление: 17.8dB  ·  Номинальное напряжение: 68V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 600mA  ·  Напряжение - тестовое: 26V  ·  P1dB: 14Вт  ·  Корпус: TO-270-2
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BF245ABF245AON SemiconductorTRANS JFET RF SS N-CH 30V TO-92
Тип транзистора: N-Channel JFET  ·  Номинальное напряжение: 30В  ·  Номинал тока: 100mA  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NE6510179A-ANE6510179A-ANECHJ-FET GAAS 1.9GHZ 3W 79A
Тип транзистора: HFET  ·  Частота: 1.9GHz  ·  Усиление: 10dB  ·  Номинальное напряжение: 8V  ·  Номинал тока: 2.8A  ·  Ток - тестовый: 200mA  ·  Напряжение - тестовое: 3.5V  ·  P1dB: 32.5dBm  ·  Корпус: 79A
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRFG35003NR5Freescale SemiconductorTRANSISTOR RF 3W 12V POWER FET
Тип транзистора: pHEMT FET  ·  Частота: 3.55GHz  ·  Усиление: 11.5dB  ·  Номинальное напряжение: 15V  ·  Номинал тока: 1.3A  ·  Ток - тестовый: 55mA  ·  Напряжение - тестовое: 12В  ·  P1dB: 3Вт  ·  Корпус: PLD-1.5
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N38192N3819ON SemiconductorTRANSISTOR SS N-CH 30V TO-92
Тип транзистора: N-Channel JFET  ·  Номинальное напряжение: 25V  ·  Номинал тока: 100mA  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NE34018-T1-64-ANE34018-T1-64-ANECAMP HJ-FET 2GHZ SOT-343
Тип транзистора: HFET  ·  Частота: 2GHz  ·  Усиление: 16dB  ·  Номинальное напряжение: 4V  ·  Номинал тока: 120mA  ·  Коэффициент шума: 0.6dB  ·  Ток - тестовый: 5mA  ·  Напряжение - тестовое: 2V  ·  P1dB: 12dBm  ·  Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF6S21060MBR1Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 28V 14W TO272-4
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 2.11GHz  ·  Усиление: 15.5dB  ·  Номинальное напряжение: 68V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 610mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 14Вт  ·  Корпус: TO-272-4
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
J309J309ON SemiconductorTRANS GP JFET N-CH 25V TO-92
Тип транзистора: N-Channel JFET  ·  Частота: 100MHz  ·  Усиление: 16dB  ·  Номинальное напряжение: 25V  ·  Номинал тока: 30mA  ·  Ток - тестовый: 10mA  ·  Напряжение - тестовое: 10V  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TGF4112Triquint Semiconductor IncIC TRANS HFET 8GHZ 5W 12MM DIE
Тип транзистора: HFET  ·  Частота: 2.3GHz  ·  Усиление: 12.7dB  ·  Номинальное напряжение: 12В  ·  Номинал тока: 2.94A  ·  Ток - тестовый: 750mA  ·  Напряжение - тестовое: 8V  ·  P1dB: 6W  ·  Корпус: Die
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA181001HL V1Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 100W PG-64248-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 1.85GHz  ·  Усиление: 16.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 750mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 100Вт
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRFG35002N6R5Freescale SemiconductorTRANSISTOR RF 1.5W 6V POWER FET
Тип транзистора: pHEMT FET  ·  Частота: 3.55GHz  ·  Усиление: 10dB  ·  Номинальное напряжение: 8V  ·  Номинал тока: 1.7A  ·  Ток - тестовый: 65mA  ·  Напряжение - тестовое: 6V  ·  P1dB: 1.5Вт  ·  Корпус: PLD-1.5
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF4G10-160,112BLF4G10-160,112NXP SemiconductorsTRANSISTOR RF LDMOS SOT502A
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 894MHz  ·  Усиление: 19.7dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 15A  ·  Ток - тестовый: 900mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 160W  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502A
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SLD-1083CZSLD-1083CZSirenza Microdevices IncIC TRANSISTOR LDMOS 3W 2-SOIC
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 902MHz ~ 928MHz  ·  Усиление: 19dB  ·  Номинальное напряжение: 35V  ·  Ток - тестовый: 50mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 4Вт  ·  Корпус: 2-SOIC
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ATF-52189-TR2Avago Technologies US Inc.IC PHEMT 2GHZ 4.5V 200MA SOT-89
Тип транзистора: pHEMT FET  ·  Частота: 2GHz  ·  Усиление: 16dB  ·  Номинальное напряжение: 7V  ·  Номинал тока: 500mA  ·  Коэффициент шума: 1.5dB  ·  Ток - тестовый: 200mA  ·  Напряжение - тестовое: 4.5V  ·  P1dB: 27dBm  ·  Корпус: SC-70-3, SOT-323-3
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTF080101M V1Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 10W TSSOP-10
Серия: GOLDMOS®  ·  Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 960MHz  ·  Усиление: 16dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 1µA  ·  Ток - тестовый: 180mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 10Вт  ·  Корпус: 10-TSSOP
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TGF4350Triquint Semiconductor IncIC TRANS PHEMT 22GHZ 0.3MM DIE
Тип транзистора: pHEMT FET  ·  Частота: 10GHz  ·  Усиление: 14.5dB  ·  Номинальное напряжение: 13V  ·  Номинал тока: 85mA  ·  Коэффициент шума: 1.2dB  ·  Напряжение - тестовое: 3V  ·  Корпус: Die
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ATF-34143-TR1ATF-34143-TR1Avago Technologies US Inc.IC TRANS PHEMT 1.9GHZ SOT-343
Тип транзистора: pHEMT FET  ·  Частота: 2GHz  ·  Усиление: 17.5dB  ·  Номинальное напряжение: 5.5V  ·  Номинал тока: 145mA  ·  Коэффициент шума: 0.5dB  ·  Ток - тестовый: 60mA  ·  Напряжение - тестовое: 4V  ·  P1dB: 20dBm  ·  Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TGF4250-SCCTriquint Semiconductor IncIC TRANS HFET 10.5GHZ 2.5W DIE
Тип транзистора: HFET  ·  Частота: 8.5GHz  ·  Усиление: 8.5dB  ·  Номинальное напряжение: 12В  ·  Номинал тока: 1.18A  ·  Ток - тестовый: 200mA  ·  Напряжение - тестовое: 8V  ·  P1dB: 34dBm  ·  Корпус: Die
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF6S19100MR1Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 28V 22W TO270-4
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 1.99GHz  ·  Усиление: 14.5dB  ·  Номинальное напряжение: 68V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 950mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 22Вт  ·  Корпус: TO-270-4
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF6S21100MBR1Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 28V 23W TO272-4
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 2.11GHz  ·  Усиление: 14.5dB  ·  Номинальное напряжение: 68V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1.05A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 23Вт  ·  Корпус: TO-272-4
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF6G10LS-135RN:11NXP SemiconductorsTRANS LDMOS POWER 135W SOT-502B
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 871.5MHz  ·  Усиление: 21dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 32A  ·  Ток - тестовый: 950mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 26.5W  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MPF102GMPF102GON SemiconductorAMP JFET UHF N-CHAN 25V TO-92
Тип транзистора: N-Channel JFET  ·  Номинальное напряжение: 25V  ·  Номинал тока: 20mA  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA181001GL V1 R250Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 100W PG-63248-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 1.85GHz  ·  Усиление: 16.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 750mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 100Вт
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF6S19060MBR1Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 28V 12W TO272-4
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 1.93GHz  ·  Усиление: 16dB  ·  Номинальное напряжение: 68V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 610mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 2Вт  ·  Корпус: TO-272-4
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  1 ... 40414243444546 ... 49  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте