Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
19MT050XF | Vishay/Semiconductors | HEX/MOS N-CHAN 500V 31A MTP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 19A, 10V · Напряжение (Vdss): 500В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 160nC @ 10V · Ток @ 25°C: 31A · Емкость @ Vds: 7210pF @ 25V · Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 1140W · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: 16-MTP | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
![]() | 2N7002DW | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 115MA SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V · Напряжение (Vdss): 60V · Ток @ 25°C: 115mA · Емкость @ Vds: 50pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 200mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
![]() | 2N7002DW-7 | Diodes Inc | MOSFET N-CHANEL DUAL 60V SOT-363 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V · Напряжение (Vdss): 60V · Ток @ 25°C: 115mA · Емкость @ Vds: 50pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 200mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
![]() | 2N7002DW-7-F | Diodes Inc | MOSFET N-CHAN DUAL 60V SOT363 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V · Напряжение (Vdss): 60V · Ток @ 25°C: 115mA · Емкость @ Vds: 50pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 200mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
2N7002DW L6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 30MA SOT-363 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 500mA, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.6nC @ 10V · Ток @ 25°C: 300mA · Емкость @ Vds: 20pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 500мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
![]() | 2N7002DW-TP | Micro Commercial Co | MOSFET 2N-CH 60V 115MA SOT-363 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V · Напряжение (Vdss): 60V · Ток @ 25°C: 115mA · Емкость @ Vds: 50pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 200mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
![]() | 2N7002V | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH SOT-563F Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V · Напряжение (Vdss): 60V · Ток @ 25°C: 280mA · Емкость @ Vds: 50pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 250mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-89-6, SOT-563F, SOT-666 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
![]() | 2N7002V-7 | Diodes Inc | MOSFET 2N-CH 60V 280MA SOT-563 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V · Напряжение (Vdss): 60V · Ток @ 25°C: 280mA · Емкость @ Vds: 50pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 150mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-563 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
![]() | 2N7002VA | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH SOT-563F Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V · Напряжение (Vdss): 60V · Ток @ 25°C: 280mA · Емкость @ Vds: 50pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 250mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-89-6, SOT-563F, SOT-666 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
![]() | 2N7002VA-7 | Diodes Inc | MOSFET 2N-CH 60V 280MA SOT-563 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V · Напряжение (Vdss): 60V · Ток @ 25°C: 280mA · Емкость @ Vds: 50pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 150mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-563 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
![]() | 2N7002VA-7-F | Diodes Inc | MOSFET DUAL N-CH 60V SOT-563 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V · Напряжение (Vdss): 60V · Ток @ 25°C: 280mA · Емкость @ Vds: 50pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 150mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-563 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
2N7002VAC-7 | Diodes Inc | MOSFET N-CH DUAL 60V SOT-563 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V · Напряжение (Vdss): 60V · Ток @ 25°C: 280mA · Емкость @ Vds: 50pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 150mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-563 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
2N7002VC-7 | Diodes Inc | MOSFET N-CH DUAL 60V SOT-563 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V · Напряжение (Vdss): 60V · Ток @ 25°C: 280mA · Емкость @ Vds: 50pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 150mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-563 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
![]() | 2N7002V-TP | Micro Commercial Co | MOSFET 2N-CH 60V 280MA SOT-563 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Ток @ 25°C: 280mA · Емкость @ Vds: 50pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 150mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-563 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
![]() | AO4612 | Alpha & Omega Semiconductor In | MOSFET N/P-CH COMPL 60V 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56 mOhm @ 4.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10.5nC @ 10V · Ток @ 25°C: 4.5A, 3.2A · Емкость @ Vds: 540pF @ 30V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
![]() | AO4614A | Alpha & Omega Semiconductor In | MOSFET N/P-CH COMPL 40V 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 6A, 10V · Напряжение (Vdss): 40В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.3nC @ 10V · Ток @ 25°C: 6A, 5A · Емкость @ Vds: 404pF @ 20V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
![]() | AO4616 | Alpha & Omega Semiconductor In | MOSFET N/P-CH COMPL 30V 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8.1A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 19.2nC @ 10V · Ток @ 25°C: 8.1A, 7.1A · Емкость @ Vds: 1250pF @ 15V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
![]() | AO4619 | Alpha & Omega Semiconductor In | MOSFET N/P-CH COMPL 30V 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7.4A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11.3nC @ 10V · Ток @ 25°C: 7.4A, 5.2A · Емкость @ Vds: 820pF @ 15V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
![]() | AO4620 | Alpha & Omega Semiconductor In | MOSFET N/P-CH COMPL 30V 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7.2A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14.125nC @ 10V · Ток @ 25°C: 7.2A, 5.3A · Емкость @ Vds: 792pF @ 15V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
![]() | AO4622 | Alpha & Omega Semiconductor In | MOSFET N/P-CH COMPL 20V 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 7.3A, 10V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 10V · Ток @ 25°C: 7.3A, 5A · Емкость @ Vds: 1100pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
![]() | AO4800B | Alpha & Omega Semiconductor In | MOSFET DUAL N-CH 30V 6.9A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 6.9A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 6.9A · Емкость @ Vds: 1100pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.9Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
![]() | AO4803A | Alpha & Omega Semiconductor In | MOSFET DUAL P-CH -30V -5A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 10V · Ток @ 25°C: 5A · Емкость @ Vds: 830pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
![]() | AO4805 | Alpha & Omega Semiconductor In | MOSFET DUAL P-CH -30V -8A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 45nC @ 10V · Ток @ 25°C: 8A · Емкость @ Vds: 2500pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
![]() | AO4806 | Alpha & Omega Semiconductor In | MOSFET DUAL N-CH 20V 9.4A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 9.4A, 10V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17.9nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 9.4A · Емкость @ Vds: 1810pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
![]() | AO4807 | Alpha & Omega Semiconductor In | MOSFET DUAL P-CH -30V -6A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 6A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18.5nC @ 10V · Ток @ 25°C: 6A · Емкость @ Vds: 920pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2023 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |