MRF6S19060MBR1 — MOSFET RF N-CH 28V 12W TO272-4
| ||||||||||||||||||||||
| Войти Регистрация |
|
||||||||||||||||||||||||
| Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
| MRF6S19060NBR1 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CH 28V 12W TO272-4 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 1.93GHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 68V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 610mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 2Вт · Корпус: TO-272-4 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
| MRF6S19060MR1 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CH 28V 12W TO270-4 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 1.93GHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 68V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 610mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 2Вт · Корпус: TO-270-4 | Доп. информация Искать в поставщиках | ||
| MRF6S19060NR1 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CH 28V 12W TO270-4 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 1.93GHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 68V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 610mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 2Вт · Корпус: TO-270-4 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| © 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |
