Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (сборки)

Производитель















Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)








































Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic



















































































































Ток коллектора (макс)









































Ток отсечки коллетора (vfrc)
















Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce






































































































Мощность макcимальная





































Модуляция частот



































































Тип транзистора









Тип монтажа

Корпус








































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
2N4854UTT Electronics/Optek TechnologTRANSISTR NPN/PNP 40V 600MA SMD
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA  ·  Ток коллектора (макс): 600mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип транзистора: NPN, PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 6-LCC
от 1648,20Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N4854UTXTT Electronics/Optek TechnologTRANSISTR NPN/PNP 40V 600MA SMD
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA  ·  Ток коллектора (макс): 600mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип транзистора: NPN, PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 6-LCC
от 2905,24Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N5794UTT Electronics/Optek TechnologTRANSISTR NPN DUAL HERMETIC SMD
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 75V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 30mA, 300mA  ·  Ток коллектора (макс): 600mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 600mW  ·  Тип транзистора: 2 NPN (Dual)  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: Non-Standard Surface Mount
от 1689,43Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N5796UTT Electronics/Optek TechnologTRANSISTR PNP DUAL HERMETIC SMD
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 600mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 600mW  ·  Тип транзистора: 2 PNP (Dual)  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: Non-Standard Surface Mount
от 2056,07Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N6987UTT Electronics/Optek TechnologTRANSISTR PNP QUAD HERMETIC SMD
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 600mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Тип транзистора: 4 PNP (Quad)  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: Non-Standard Surface Mount
от 3280,79Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N6989UTT Electronics/Optek TechnologTRANSISTR NPN QUAD HERMETIC SMD
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 800mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Тип транзистора: 4 NPN (Quad)  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: Non-Standard Surface Mount
от 3280,79Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BC807DS,115BC807DS,115NXP SemiconductorsTRANSISTOR PNP 500MA 45V SOT457
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 370mW  ·  Модуляция частот: 80MHz  ·  Тип транзистора: 2 PNP (Dual)  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-74-6
от 10,36Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BC 807U E6327Infineon TechnologiesTRANSISTOR ARRAY PNP 45V SC-74
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 330mW  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Тип транзистора: 2 PNP (Dual)  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-74-6
от 8,93Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BC817DPN,115BC817DPN,115NXP SemiconductorsTRANSISTOR NPN 500MA 45V SOT457
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 600mW  ·  Модуляция частот: 100MHz, 80MHz  ·  Тип транзистора: NPN, PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-74-6
от 10,36Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BC817DPN,125NXP SemiconductorsTRANS NPN/PNP 45V 500MA 6-TSOP
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 600mW  ·  Модуляция частот: 100MHz, 80MHz  ·  Тип транзистора: NPN, PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-74-6
от 10,36Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BC817DS,115BC817DS,115NXP SemiconductorsTRANSISTOR NPN 500MA 45V SOT457
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 600mW  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: 2 NPN (Dual)  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-74-6
от 10,36Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BC 817U E6327Infineon TechnologiesTRANSISTOR ARRAY NPN AF 45V SC74
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 330mW  ·  Модуляция частот: 170MHz  ·  Тип транзистора: 2 NPN (Dual)  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-74-6
от 8,93Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BC 817UPN B6327Infineon TechnologiesTRANSISTOR ARRAY NPN AF 45V SC74
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 330mW  ·  Модуляция частот: 170MHz  ·  Тип транзистора: 2 NPN (Dual)  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-74-6
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BC 817UPN E6327Infineon TechnologiesTRANSISTOR ARRAY NPN AF 45V SC74
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 330mW  ·  Модуляция частот: 170MHz  ·  Тип транзистора: 2 NPN (Dual)  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-74-6
от 7,93Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BC846AS-7BC846AS-7Diodes IncTRANS NPN DUAL 100MA 65V SOT-363
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 65V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 15nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: 2 NPN (Dual)  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 7,41
до 10,03
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BC846BDW1T1GBC846BDW1T1GON SemiconductorTRANS NPN DUAL 65V 100MA SOT-363
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 65V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 0.5mA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 10µA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 380mW  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: 2 NPN (Dual)  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 3,49
до 5,46
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BC846BPDW1T1GBC846BPDW1T1GON SemiconductorTRANS NPN DUAL 65V SOT-363
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 65V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 10µA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 380mW  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: 2 NPN (Dual)  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 3,02
до 5,46
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BC 846PN E6327BC 846PN E6327Infineon TechnologiesTRANSISTOR NPN AF 65V SOT-363
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 65V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Тип транзистора: NPN, PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 4,96Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BC846S,115BC846S,115NXP SemiconductorsTRANSISTOR NPN 65V 100MA SOT363
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 65V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: 2 NPN (Dual)  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 10,23Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BC 846S E6327BC 846S E6327Infineon TechnologiesTRANSISTOR NPN AF 65V SOT-363
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 65V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Тип транзистора: 2 NPN (Dual)  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 4,77Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BC 846S E6433BC 846S E6433Infineon TechnologiesTRANSISTOR NPN AF 65V SOT-363
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 65V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Тип транзистора: 2 NPN (Dual)  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 4,77Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BC 846U E6327Infineon TechnologiesTRANSISTOR NPN AF 65V SC74
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 65V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Тип транзистора: 2 NPN (Dual)  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-74-6
от 6,24Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BC 846UPN E6327Infineon TechnologiesTRANSISTOR NPN AF 65V SC74
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 65V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Тип транзистора: 2 NPN (Dual)  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-74-6
от 7,02Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BC847BDW1T1GBC847BDW1T1GON SemiconductorTRANS NPN DUAL 45V 100MA SOT-363
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 380mW  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: 2 NPN (Dual)  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 3,49
до 5,46
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BC847BDW1T3ON SemiconductorTRANS NPN DUAL 45V 100MA SOT-363
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: 2 NPN (Dual)  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 6,24Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  предыдущая12345678 ... 23  Ctrl →

© 2006 — 2019 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте