Дискретные полупроводники · MOSFET транзисторы (одиночные)

Подсказывать возможные варианты

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	2N7000	STMicroelectronics	MOSFET N-CH 60V 350MA TO-92 Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 350mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 43pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Level Gate · Power - Max: 1W · Mounting Type: Through Hole · Package / Case: TO-92-3 (Standard Body), TO-226	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	2N7000	Fairchild Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 200mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 50pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Level Gate · Power - Max: 400mW · Mounting Type: Through Hole · Package / Case: TO-92-3 (Standard Body), TO-226	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	2N7000,126	NXP Semiconductors	MOSFET N-CH 60V 300MA TO-92 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 300mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 40pF @ 10V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Level Gate · Power - Max: 830mW · Mounting Type: Through Hole · Package / Case: TO-92-3 (Standard Body), TO-226		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	2N7000BU	Fairchild Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 200mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 30pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Level Gate · Power - Max: 400mW · Mounting Type: Through Hole · Package / Case: TO-92-3 (Standard Body), TO-226	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	2N7000_D26Z	Fairchild Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 200mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 50pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Level Gate · Power - Max: 400mW · Mounting Type: Through Hole · Package / Case: TO-92-3 (Standard Body), TO-226	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	2N7000_D74Z	Fairchild Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 200mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 50pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Level Gate · Power - Max: 400mW · Mounting Type: Through Hole · Package / Case: TO-92-3 (Standard Body), TO-226	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	2N7000_D75Z	Fairchild Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 200mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 50pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Level Gate · Power - Max: 400mW · Mounting Type: Through Hole · Package / Case: TO-92-3 (Standard Body), TO-226	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	2N7000G	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 200mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 60pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Level Gate · Power - Max: 350mW · Mounting Type: Through Hole · Package / Case: TO-92-3 (Standard Body), TO-226	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	2N7000RLRA	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 200mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 60pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Level Gate · Power - Max: 350mW · Mounting Type: Through Hole · Package / Case: TO-92-3 (Standard Body), TO-226		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	2N7000RLRAG	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 200mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 60pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Level Gate · Power - Max: 350mW · Mounting Type: Through Hole · Package / Case: TO-92-3 (Standard Body), TO-226	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	2N7000RLRMG	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 200mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 60pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Level Gate · Power - Max: 350mW · Mounting Type: Through Hole · Package / Case: TO-92-3 (Standard Body), TO-226	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	2N7000RLRPG	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 200mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 60pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Level Gate · Power - Max: 350mW · Mounting Type: Through Hole · Package / Case: TO-92-3 (Standard Body), TO-226		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	2N7000TA	Fairchild Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 200mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 30pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Level Gate · Power - Max: 400mW · Mounting Type: Through Hole · Package / Case: TO-92-3 (Standard Body), TO-226	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	2N7002	STMicroelectronics	MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23-3 Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 200mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 43pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Level Gate · Power - Max: 350mW · Mounting Type: Surface Mount · Package / Case: SOT-23-3	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	2N7002	Fairchild Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 115mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 50pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Level Gate · Power - Max: 200mW · Mounting Type: Surface Mount · Package / Case: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	2N7002,215	NXP Semiconductors	MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 300mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 50pF @ 10V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Level Gate · Power - Max: 830mW · Mounting Type: Surface Mount · Package / Case: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	2N7002-7	Diodes Inc	MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 115mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 50pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Power - Max: 300mW · Mounting Type: Surface Mount · Package / Case: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	2N7002-7-F	Diodes Inc	MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 115mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 50pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Power - Max: 300mW · Mounting Type: Surface Mount · Package / Case: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	2N7002_D87Z	Fairchild Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 115mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 50pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Level Gate · Power - Max: 200mW · Mounting Type: Surface Mount · Package / Case: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	2N7002E,215	NXP Semiconductors	MOSFET N CH TRENCH 60V SOT23 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.69nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 385mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 50pF @ 10V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Level Gate · Power - Max: 830mW · Mounting Type: Surface Mount · Package / Case: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	2N7002E-7-F	Diodes Inc	MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 250mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 240mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 50pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Level Gate · Power - Max: 300mW · Mounting Type: Surface Mount · Package / Case: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	2N7002E-T1-E3	Vishay/Siliconix	MOSFET N-CH 60V 240MA SOT-23 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 250mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 240mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 21pF @ 5V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Level Gate · Power - Max: 350mW · Mounting Type: Surface Mount · Package / Case: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	2N7002ET1G	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 260MA SOT-23 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 240mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.81nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 260mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 26.7pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Level Gate · Power - Max: 300mW · Mounting Type: Surface Mount · Package / Case: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	2N7002ET3G	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 260MA SOT-23 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 240mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.81nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 260mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 26.7pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Level Gate · Power - Max: 300mW · Mounting Type: Surface Mount · Package / Case: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	2N7002F,215	NXP Semiconductors	MOSFET N-CH 60V 475MA SOT23 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.69nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 475mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 50pF @ 10V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Level Gate · Power - Max: 830mW · Mounting Type: Surface Mount · Package / Case: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине

← Ctrl предыдущая12 3 4 5 6 7 8 ... 582следующая Ctrl →

Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов

Регистрация • Реклама на сайте