Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
BLA0912-250,112 | NXP Semiconductors | TRANS LDMOS NCH 75V SOT502A Тип транзистора: LDMOS · Частота: 960MHz ~ 1.22GHz · Усиление: 13dB · Номинальное напряжение: 75V · Номинал тока: 1µA · Напряжение - тестовое: 36V · P1dB: 250Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT502A | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BLA1011-300,112 | NXP Semiconductors | TRANS LDMOS NCH 75V SOT957A Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.03GHz ~ 1.09GHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 15A · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 32V · P1dB: 300Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT957A | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MRF6VP21KHR6 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CH 1000W NI1230 Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual) · Частота: 225MHz · Усиление: 24dB · Номинальное напряжение: 110V · Номинал тока: 5mA · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 1000W · Корпус: NI-1230 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MRF6VP21KHR5 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CH 50V NI-1230 Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual) · Частота: 225MHz · Усиление: 24dB · Номинальное напряжение: 110V · Номинал тока: 5mA · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 1000W · Корпус: NI-1230 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
CGH40045F | Cree Inc | TRANS 45W RF GAN HEMT 440193 PKG Тип транзистора: HEMT · Частота: 2.5GHz · Усиление: 14dB · Номинальное напряжение: 84V · Номинал тока: 14A · Ток - тестовый: 400mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 55Вт · Корпус: 440193 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
CRF24060FE | Cree Inc | IC MESFET SIC 60W FLANGED 440193 Тип транзистора: MESFET · Частота: 1.1GHz · Усиление: 13dB · Номинальное напряжение: 120V · Номинал тока: 9A · Ток - тестовый: 2A · Напряжение - тестовое: 48V · P1dB: 60Вт · Корпус: 440193 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MRF6VP121KHR6 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CH 50V NI-1230 Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual) · Частота: 1.03GHz · Усиление: 20dB · Номинальное напряжение: 110V · Номинал тока: 100µA · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 1000W · Корпус: NI-1230 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MRF6VP121KHSR6 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CH 50V NI-1230S Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual) · Частота: 1.03GHz · Усиление: 20dB · Номинальное напряжение: 110V · Номинал тока: 100µA · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 1000W · Корпус: NI-1230S | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MRF6VP41KHSR6 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CH 1000W NI1230S Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual) · Частота: 450MHz · Усиление: 20dB · Номинальное напряжение: 110V · Номинал тока: 5mA · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 1000W · Корпус: NI-1230S | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MRF6VP41KHR6 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CH 1000W NI1230 Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual) · Частота: 450MHz · Усиление: 20dB · Номинальное напряжение: 110V · Номинал тока: 5mA · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 1000W · Корпус: NI-1230 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MRF6VP41KHR7 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CH 50V NI-1230 Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual) · Частота: 450MHz · Усиление: 20dB · Номинальное напряжение: 110V · Номинал тока: 5mA · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 1000W · Корпус: NI-1230 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MRF6VP41KHR5 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CH 1000W NI1230 Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual) · Частота: 450MHz · Усиление: 20dB · Номинальное напряжение: 110V · Номинал тока: 5mA · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 1000W · Корпус: NI-1230 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MRF6VP41KHSR5 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CH 1000W NI1230S Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual) · Частота: 450MHz · Усиление: 20dB · Номинальное напряжение: 110V · Номинал тока: 5mA · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 1000W · Корпус: NI-1230S | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MRF6VP41KHSR7 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CH 1000W NI1230S Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual) · Частота: 450MHz · Усиление: 20dB · Номинальное напряжение: 110V · Номинал тока: 5mA · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 1000W · Корпус: NI-1230S | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
CMPA0060002F | Cree Inc | TRANS RF GAN HEMT MMIC 780019PKG Тип транзистора: HEMT/ммIC · Частота: 4GHz · Усиление: 10dB · Номинальное напряжение: 84V · Номинал тока: 1.4A · Ток - тестовый: 100mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 3Вт · Корпус: 780019 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
CGH40090PP | Cree Inc | TRANS 90W RF GAN HEMT 440199 PKG Тип транзистора: HEMT · Частота: 2GHz · Усиление: 12.5dB · Номинальное напряжение: 84V · Номинал тока: 28A · Ток - тестовый: 1A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 100Вт · Корпус: 440199 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
CGH40120F | Cree Inc | TRANS 120W RF GAN HEMT 440193PKG Тип транзистора: HEMT · Частота: 1.3GHz · Усиление: 19dB · Номинальное напряжение: 84V · Номинал тока: 28A · Ток - тестовый: 1A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 120W · Корпус: 440193 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
J310ZL1G | ON Semiconductor | MOSFET VHF/UHF N-CH 25V TO-92 Тип транзистора: N-Channel JFET · Частота: 100MHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 25V · Номинал тока: 60mA · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 10V · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
MRFG35003M6T1 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF 3.5GHZ 3W 6V 1.5-PLD Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 3.55GHz · Усиление: 9dB · Номинальное напряжение: 8V · Номинал тока: 2.9A · Ток - тестовый: 180mA · Напряжение - тестовое: 6V · P1dB: 3Вт · Корпус: PLD-1.5 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
MRF19045LR5 | Freescale Semiconductor | IC MOSFET RF N-CHAN NI-400 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 1.93GHz · Усиление: 14.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 550mA · Напряжение - тестовое: 26V · P1dB: 45Вт · Корпус: NI-400 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
MMBF4416LT1 | ON Semiconductor | MOSFET SS N-CHAN VHF 30V SOT23 Тип транзистора: N-Channel JFET · Номинальное напряжение: 30В · Номинал тока: 15mA · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
MRF5S21100HSR5 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CHAN 28V 23W NI-780S Тип транзистора: N-Channel · Частота: 2.11GHz · Усиление: 13.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.05A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 23Вт · Корпус: NI-780S | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BLF6G10LS-200RN:11 | NXP Semiconductors | TRANS LDMOS POWER 200W SOT-502B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 871.5MHz · Усиление: 20dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 49A · Ток - тестовый: 1.4A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 40Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
PTFA212001F/1 P4 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.14GHz · Усиление: 15.8dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.6A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 50Вт | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BLF4G20LS-110B,112 | NXP Semiconductors | BASESTATION FINAL 2GHZ SOT502B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.93GHz · Усиление: 13.4dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 12A · Ток - тестовый: 650mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 100Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |