Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные полевые канальные транзисторы

Производитель














Серия
Тип транзистора













Частота
































































































Усиление



























































































Номинальное напряжение







































Номинал тока




















































































































Коэффициент шума
































Ток - тестовый












































































Напряжение - тестовое






























P1dB




































































































































Корпус






































































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
TGF2022-06Triquint Semiconductor IncIC TRANS PHEMT 20GHZ .6MM DIE
Тип транзистора: pHEMT FET  ·  Частота: 10GHz  ·  Усиление: 12.9dB  ·  Номинальное напряжение: 12.5V  ·  Номинал тока: 282mA  ·  Ток - тестовый: 45mA  ·  Напряжение - тестовое: 10V  ·  P1dB: 28.9dBm  ·  Корпус: Die
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF4G20S-110B,112BLF4G20S-110B,112NXP SemiconductorsBASESTATION FINAL 2GHZ SOT502B
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 1.93GHz  ·  Усиление: 13.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 12A  ·  Ток - тестовый: 700mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 100Вт  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SHF-0289SHF-0289Sirenza Microdevices IncIC HFET ALGAAS/GAAS 1W SOT-89
Тип транзистора: HFET  ·  Частота: 1.96GHz  ·  Усиление: 20dB  ·  Номинальное напряжение: 9V  ·  Номинал тока: 400mA  ·  Коэффициент шума: 4dB  ·  Ток - тестовый: 200mA  ·  Напряжение - тестовое: 7V  ·  P1dB: 30.2dBm  ·  Корпус: SOT-89
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF5S19150HSR5Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CHAN 28V 32W NI-880S
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 1.99GHz  ·  Усиление: 14dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1.4A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 32Вт  ·  Корпус: NI-880S
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TGF2961-SD-T/RTGF2961-SD-T/RTriquint Semiconductor IncIC 1W DC-4GHZ HFET SOT-89
Тип транзистора: HFET  ·  Частота: 900MHz  ·  Усиление: 18dB  ·  Номинальное напряжение: 17В  ·  Номинал тока: 780mA  ·  Коэффициент шума: 3.3dB  ·  Ток - тестовый: 200mA  ·  Напряжение - тестовое: 8V  ·  P1dB: 29.5dBm  ·  Корпус: SOT-89
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA091201HL V1 R250Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 120W PG-64248-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 960MHz  ·  Усиление: 18.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 750mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 110Вт
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TGF2022-48Triquint Semiconductor IncIC TRANS PHEMT 20GHZ 4.8MM DIE
Тип транзистора: pHEMT FET  ·  Частота: 10GHz  ·  Усиление: 12.9dB  ·  Номинальное напряжение: 12.5V  ·  Номинал тока: 2.25A  ·  Ток - тестовый: 360mA  ·  Напряжение - тестовое: 10V  ·  P1dB: 37.9dBm  ·  Корпус: Die
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF21045LR3Freescale SemiconductorIC MOSFET RF N-CHAN NI-400
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 2.16GHz  ·  Усиление: 15dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 500mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 10Вт  ·  Корпус: NI-400
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF18085BLR3Freescale SemiconductorMOSFET N-CHAN 85W 26V NI-78O
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 1.93GHz  ·  Усиление: 12.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 800mA  ·  Напряжение - тестовое: 26V  ·  P1dB: 90Вт  ·  Корпус: NI-780
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA080551E V1Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 55W H-36265-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 960MHz  ·  Усиление: 18.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 600mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 55Вт
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
CLY5CLY5Triquint Semiconductor IncIC GAAS FET 26.5DBM SOT223-4
Тип транзистора: FET  ·  Частота: 1.8GHz  ·  Усиление: 12dB  ·  Номинальное напряжение: 9V  ·  Номинал тока: 1.2A  ·  Коэффициент шума: 1.72dB  ·  Ток - тестовый: 350mA  ·  Напряжение - тестовое: 5V  ·  P1dB: 30dBm  ·  Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
CFH800CFH800Triquint Semiconductor IncIC PHEMT FET GAAS TRANS SC70-4
Тип транзистора: pHEMT FET  ·  Частота: 1.8GHz  ·  Усиление: 15dB  ·  Номинальное напряжение: 5.5V  ·  Номинал тока: 160mA  ·  Коэффициент шума: 0.56dB  ·  Ток - тестовый: 10mA  ·  Напряжение - тестовое: 3V  ·  P1dB: 8.5dBm  ·  Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NE34018-T1NE34018-T1NECHJ-FET 2GHZ SOT-343
Тип транзистора: HFET  ·  Частота: 2GHz  ·  Усиление: 16dB  ·  Номинальное напряжение: 4V  ·  Номинал тока: 120mA  ·  Коэффициент шума: 0.6dB  ·  Ток - тестовый: 5mA  ·  Напряжение - тестовое: 2V  ·  P1dB: 12dBm  ·  Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NE25118-T1NE25118-T1NECFET 900MHZ SOT-343
Тип транзистора: Dual Gate MESFET  ·  Частота: 900MHz  ·  Усиление: 20dB  ·  Номинальное напряжение: 13V  ·  Номинал тока: 40mA  ·  Коэффициент шума: 1.1dB  ·  Ток - тестовый: 10mA  ·  Напряжение - тестовое: 5V  ·  Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
J310RLRPGJ310RLRPGON SemiconductorMOSFET VHF/UHF N-CH 25V TO-92
Тип транзистора: N-Channel JFET  ·  Частота: 100MHz  ·  Усиление: 16dB  ·  Номинальное напряжение: 25V  ·  Номинал тока: 60mA  ·  Ток - тестовый: 10mA  ·  Напряжение - тестовое: 10V  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF9045NBR1Freescale SemiconductorIC MOSFET RF N-CHAN TO272-2
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 945MHz  ·  Усиление: 19dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 350mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 45Вт  ·  Корпус: TO-272-2
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF5S19090HSR3Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CHAN 28V 18W NI-780S
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 1.93GHz  ·  Усиление: 14.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 850mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 18W  ·  Корпус: NI-780S
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF5P21240HR5Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CHAN 28V 52W NI-1230
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 2.11GHz  ·  Усиление: 13dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 2.2A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 52Вт  ·  Корпус: NI-1230
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF5P21240HR6Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CHAN 28V 52W NI-1230
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 2.11GHz  ·  Усиление: 13dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 2.2A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 52Вт  ·  Корпус: NI-1230
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BF245BBF245BON SemiconductorTRANS JFET RF SS N-CH 30V TO-92
Тип транзистора: N-Channel JFET  ·  Номинальное напряжение: 30В  ·  Номинал тока: 100mA  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF4G22S-100,112BLF4G22S-100,112NXP SemiconductorsBASESTATION FINAL 2.2GHZ SOT502B
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2.11GHz  ·  Усиление: 13.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 12A  ·  Ток - тестовый: 900mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 25Вт  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF19125R5Freescale SemiconductorIC MOSFET RF N-CHAN NI-880
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 1.93GHz  ·  Усиление: 13.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1.3A  ·  Напряжение - тестовое: 24V  ·  P1dB: 24Вт  ·  Корпус: NI-880
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N5486RLRPG2N5486RLRPGON SemiconductorIC AMP RF N-CH 25V TO-92
Тип транзистора: N-Channel JFET  ·  Номинальное напряжение: 25V  ·  Номинал тока: 30mA  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
CGH40180PPCGH40180PPCree IncTRANS 180W RF GAN HEMT 440199PKG
Тип транзистора: HEMT  ·  Частота: 1.3GHz  ·  Усиление: 19dB  ·  Номинальное напряжение: 84V  ·  Номинал тока: 56A  ·  Ток - тестовый: 2A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 220Вт  ·  Корпус: 440199
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N5486G2N5486GON SemiconductorIC JFET N-CH VHF/UHF 25V TO92
Тип транзистора: N-Channel JFET  ·  Номинальное напряжение: 25V  ·  Номинал тока: 30mA  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  1 ... 4243444546474849  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте