Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
MRF6S21060MR1 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CH 28V 14W TO270-4 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 2.11GHz · Усиление: 15.5dB · Номинальное напряжение: 68V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 610mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 14Вт · Корпус: TO-270-4 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
MRF19045LR3 | Freescale Semiconductor | IC MOSFET RF N-CHAN NI-400 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 1.93GHz · Усиление: 14.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 550mA · Напряжение - тестовое: 26V · P1dB: 45Вт · Корпус: NI-400 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
MRF6S9125MR1 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CH 28V 27W TO-270-4 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 880MHz · Усиление: 20.2dB · Номинальное напряжение: 68V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 950mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 27Вт · Корпус: TO-270-4 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
MRF9060NBR1 | Freescale Semiconductor | IC MOSFET RF N-CHAN TO272-2 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 945MHz · Усиление: 18dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 450mA · Напряжение - тестовое: 26V · P1dB: 60Вт · Корпус: TO-272-2 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
CLY2 | Triquint Semiconductor Inc | IC GAAS FET FOR PA DVR MW-6 Тип транзистора: FET · Частота: 1.8GHz · Усиление: 14.5dB · Номинальное напряжение: 9V · Номинал тока: 600mA · Коэффициент шума: 1.48dB · Ток - тестовый: 180mA · Напряжение - тестовое: 3V · P1dB: 23.5dBm · Корпус: MW-6 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
PTFA091201GL V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 120W PG-63248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 960MHz · Усиление: 18.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 750mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 110Вт | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
MRF9030NBR1 | Freescale Semiconductor | IC MOSFET RF N-CHAN TO272-2 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 945MHz · Усиление: 20dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 250mA · Напряжение - тестовое: 26V · P1dB: 30Вт · Корпус: TO-270-2 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
MRF5S21100HSR3 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CHAN 28V 23W NI-780S Тип транзистора: N-Channel · Частота: 2.11GHz · Усиление: 13.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.05A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 23Вт · Корпус: NI-780S | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
PTFA041501HL V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 150W PG-64248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 470MHz · Усиление: 21dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 1µA · Ток - тестовый: 900mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 150Вт | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BLF4G20-110B,112 | NXP Semiconductors | BASESTATION FINAL 2GHZ SOT502A Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.93GHz · Усиление: 13.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 12A · Ток - тестовый: 700mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 100Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT502A | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
J309G | ON Semiconductor | TRANS GP JFET N-CH 25V TO-92 Тип транзистора: N-Channel JFET · Частота: 100MHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 25V · Номинал тока: 30mA · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 10V · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
PTFA082201E V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 220W H-36260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 894MHz · Усиление: 18dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.95A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 220Вт | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
MRF6S9045MBR1 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CH 28V 10W TO-272-2 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 880MHz · Усиление: 22.7dB · Номинальное напряжение: 68V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 350mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 10Вт · Корпус: TO-272-2 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
MRF5P20180HR5 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CHAN 28V 38W NI-1230 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 1.93GHz · Усиление: 14dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.6A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 38Вт · Корпус: NI-1230 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
PTFA181001GL V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 100W PG-63248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.85GHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 750mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 100Вт | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BG 5130R E6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363R Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual) · Частота: 800MHz · Усиление: 24dB · Номинальное напряжение: 8V · Номинал тока: 25mA · Коэффициент шума: 1.3dB · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 3V · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
TGF2022-60 | Triquint Semiconductor Inc | IC TRANS PHEMT 20GHZ 6.0MM DIE Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 10GHz · Усиление: 12.3dB · Номинальное напряжение: 12.5V · Номинал тока: 2.82A · Ток - тестовый: 448mA · Напряжение - тестовое: 10V · P1dB: 38.8dBm · Корпус: Die | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
PTFA092201E V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 220W H-36260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 960MHz · Усиление: 18.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.85A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 220Вт | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
MRF9060LR5 | Freescale Semiconductor | IC MOSFET RF N-CHAN NI-360 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 945MHz · Усиление: 17dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 450mA · Напряжение - тестовое: 26V · P1dB: 70Вт · Корпус: NI-360 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
NE25139-T1-U73 | NEC | FET 900 MHZ SOT-143 Тип транзистора: Dual Gate MESFET · Частота: 900MHz · Усиление: 20dB · Номинальное напряжение: 13V · Номинал тока: 40mA · Коэффициент шума: 1.1dB · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 5V · Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
TGF2021-02 | Triquint Semiconductor Inc | IC TRANS PHEMT 12GHZ 2MM DIE Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 10GHz · Усиление: 11dB · Номинальное напряжение: 12.5V · Номинал тока: 940mA · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 10V · P1dB: 33.8dBm · Корпус: Die | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
PTFA041501GL V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 150W PG-63248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 470MHz · Усиление: 21dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 1µA · Ток - тестовый: 900mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 150Вт | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
J310 | ON Semiconductor | MOSFET VHF/UHF N-CH 25V TO92 Тип транзистора: N-Channel JFET · Частота: 100MHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 25V · Номинал тока: 60mA · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 10V · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
MRF5S19090HR3 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CHAN 28V 18W NI-780 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 1.93GHz · Усиление: 14.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 850mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 18W · Корпус: NI-780 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BLF4G22LS-130,112 | NXP Semiconductors | BASESTATION FINAL 2.2GHZ SOT502B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.11GHz · Усиление: 13.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 15A · Ток - тестовый: 1.15A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 33W · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |