Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные полевые канальные транзисторы

Производитель














Серия
Тип транзистора













Частота
































































































Усиление



























































































Номинальное напряжение







































Номинал тока




















































































































Коэффициент шума
































Ток - тестовый












































































Напряжение - тестовое






























P1dB




































































































































Корпус






































































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
MRF6S21060MR1Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 28V 14W TO270-4
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 2.11GHz  ·  Усиление: 15.5dB  ·  Номинальное напряжение: 68V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 610mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 14Вт  ·  Корпус: TO-270-4
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF19045LR3Freescale SemiconductorIC MOSFET RF N-CHAN NI-400
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 1.93GHz  ·  Усиление: 14.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 550mA  ·  Напряжение - тестовое: 26V  ·  P1dB: 45Вт  ·  Корпус: NI-400
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF6S9125MR1Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 28V 27W TO-270-4
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 880MHz  ·  Усиление: 20.2dB  ·  Номинальное напряжение: 68V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 950mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 27Вт  ·  Корпус: TO-270-4
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF9060NBR1Freescale SemiconductorIC MOSFET RF N-CHAN TO272-2
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 945MHz  ·  Усиление: 18dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 450mA  ·  Напряжение - тестовое: 26V  ·  P1dB: 60Вт  ·  Корпус: TO-272-2
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
CLY2Triquint Semiconductor IncIC GAAS FET FOR PA DVR MW-6
Тип транзистора: FET  ·  Частота: 1.8GHz  ·  Усиление: 14.5dB  ·  Номинальное напряжение: 9V  ·  Номинал тока: 600mA  ·  Коэффициент шума: 1.48dB  ·  Ток - тестовый: 180mA  ·  Напряжение - тестовое: 3V  ·  P1dB: 23.5dBm  ·  Корпус: MW-6
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA091201GL V1Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 120W PG-63248-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 960MHz  ·  Усиление: 18.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 750mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 110Вт
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF9030NBR1Freescale SemiconductorIC MOSFET RF N-CHAN TO272-2
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 945MHz  ·  Усиление: 20dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 250mA  ·  Напряжение - тестовое: 26V  ·  P1dB: 30Вт  ·  Корпус: TO-270-2
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF5S21100HSR3Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CHAN 28V 23W NI-780S
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 2.11GHz  ·  Усиление: 13.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1.05A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 23Вт  ·  Корпус: NI-780S
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA041501HL V1Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 150W PG-64248-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 470MHz  ·  Усиление: 21dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 1µA  ·  Ток - тестовый: 900mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 150Вт
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF4G20-110B,112BLF4G20-110B,112NXP SemiconductorsBASESTATION FINAL 2GHZ SOT502A
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 1.93GHz  ·  Усиление: 13.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 12A  ·  Ток - тестовый: 700mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 100Вт  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502A
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
J309GJ309GON SemiconductorTRANS GP JFET N-CH 25V TO-92
Тип транзистора: N-Channel JFET  ·  Частота: 100MHz  ·  Усиление: 16dB  ·  Номинальное напряжение: 25V  ·  Номинал тока: 30mA  ·  Ток - тестовый: 10mA  ·  Напряжение - тестовое: 10V  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA082201E V1Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 220W H-36260-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 894MHz  ·  Усиление: 18dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1.95A  ·  Напряжение - тестовое: 30В  ·  P1dB: 220Вт
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF6S9045MBR1Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 28V 10W TO-272-2
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 880MHz  ·  Усиление: 22.7dB  ·  Номинальное напряжение: 68V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 350mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 10Вт  ·  Корпус: TO-272-2
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF5P20180HR5Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CHAN 28V 38W NI-1230
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 1.93GHz  ·  Усиление: 14dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1.6A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 38Вт  ·  Корпус: NI-1230
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA181001GL V1Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 100W PG-63248-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 1.85GHz  ·  Усиление: 16.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 750mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 100Вт
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BG 5130R E6327Infineon TechnologiesMOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363R
Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual)  ·  Частота: 800MHz  ·  Усиление: 24dB  ·  Номинальное напряжение: 8V  ·  Номинал тока: 25mA  ·  Коэффициент шума: 1.3dB  ·  Ток - тестовый: 10mA  ·  Напряжение - тестовое: 3V  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TGF2022-60Triquint Semiconductor IncIC TRANS PHEMT 20GHZ 6.0MM DIE
Тип транзистора: pHEMT FET  ·  Частота: 10GHz  ·  Усиление: 12.3dB  ·  Номинальное напряжение: 12.5V  ·  Номинал тока: 2.82A  ·  Ток - тестовый: 448mA  ·  Напряжение - тестовое: 10V  ·  P1dB: 38.8dBm  ·  Корпус: Die
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA092201E V1Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 220W H-36260-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 960MHz  ·  Усиление: 18.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1.85A  ·  Напряжение - тестовое: 30В  ·  P1dB: 220Вт
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF9060LR5Freescale SemiconductorIC MOSFET RF N-CHAN NI-360
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 945MHz  ·  Усиление: 17dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 450mA  ·  Напряжение - тестовое: 26V  ·  P1dB: 70Вт  ·  Корпус: NI-360
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NE25139-T1-U73NECFET 900 MHZ SOT-143
Тип транзистора: Dual Gate MESFET  ·  Частота: 900MHz  ·  Усиление: 20dB  ·  Номинальное напряжение: 13V  ·  Номинал тока: 40mA  ·  Коэффициент шума: 1.1dB  ·  Ток - тестовый: 10mA  ·  Напряжение - тестовое: 5V  ·  Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TGF2021-02Triquint Semiconductor IncIC TRANS PHEMT 12GHZ 2MM DIE
Тип транзистора: pHEMT FET  ·  Частота: 10GHz  ·  Усиление: 11dB  ·  Номинальное напряжение: 12.5V  ·  Номинал тока: 940mA  ·  Ток - тестовый: 150mA  ·  Напряжение - тестовое: 10V  ·  P1dB: 33.8dBm  ·  Корпус: Die
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA041501GL V1Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 150W PG-63248-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 470MHz  ·  Усиление: 21dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 1µA  ·  Ток - тестовый: 900mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 150Вт
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
J310J310ON SemiconductorMOSFET VHF/UHF N-CH 25V TO92
Тип транзистора: N-Channel JFET  ·  Частота: 100MHz  ·  Усиление: 16dB  ·  Номинальное напряжение: 25V  ·  Номинал тока: 60mA  ·  Ток - тестовый: 10mA  ·  Напряжение - тестовое: 10V  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF5S19090HR3Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CHAN 28V 18W NI-780
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 1.93GHz  ·  Усиление: 14.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 850mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 18W  ·  Корпус: NI-780
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF4G22LS-130,112BLF4G22LS-130,112NXP SemiconductorsBASESTATION FINAL 2.2GHZ SOT502B
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2.11GHz  ·  Усиление: 13.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 15A  ·  Ток - тестовый: 1.15A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 33W  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  1 ... 4243444546474849  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте