Тип транзистора: N-Channel · Частота: 2.11GHz · Усиление: 12.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.3A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 33W · Корпус: NI-880S
Искать в поставщиках
Купить в магазине
Тип транзистора: HFET · Частота: 6GHz · Усиление: 9.5dB · Номинальное напряжение: 12В · Номинал тока: 2.35A · Ток - тестовый: 520mA · Напряжение - тестовое: 8.5V · P1dB: 37dBm · Корпус: Die
Искать в поставщиках
Купить в магазине
Тип транзистора: N-Channel · Частота: 2.11GHz · Усиление: 14.5dB · Номинальное напряжение: 68V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.05A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 23Вт · Корпус: TO-270-4
Искать в поставщиках
Купить в магазине
Серия: GOLDMOS® · Тип транзистора: LDMOS · Частота: 960MHz · Усиление: 18.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 1µA · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 10Вт · Корпус: H32259-2
Искать в поставщиках
Купить в магазине
Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2GHz · Усиление: 11dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 12A · Ток - тестовый: 750mA · Напряжение - тестовое: 26V · P1dB: 90Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT502A
Искать в поставщиках
Купить в магазине
Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 2GHz · Усиление: 16.6dB · Номинальное напряжение: 5V · Номинал тока: 120mA · Коэффициент шума: 0.5dB · Ток - тестовый: 60mA · Напряжение - тестовое: 3V · P1dB: 20.4dBm · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343
Искать в поставщиках
Купить в магазине
Тип транзистора: N-Channel JFET · Частота: 800MHz · Усиление: 11dB · Номинальное напряжение: 30В · Номинал тока: 7mA · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Искать в поставщиках
Купить в магазине
Тип транзистора: N-Channel · Частота: 960MHz · Усиление: 18dB · Номинальное напряжение: 68V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 125mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 10Вт · Корпус: TO-270-2 Gull Wing
Искать в поставщиках
Купить в магазине
Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 4GHz · Усиление: 18.7dB · Номинальное напряжение: 7V · Номинал тока: 140mA · Коэффициент шума: 0.5dB · Ток - тестовый: 40mA · Напряжение - тестовое: 5V · P1dB: 20dBm · Корпус: SOT-86
Искать в поставщиках
Купить в магазине
Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.93GHz · Усиление: 14.6dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 15A · Ток - тестовый: 900mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 130Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
Искать в поставщиках
Купить в магазине
Тип транзистора: Dual Gate MESFET · Частота: 900MHz · Усиление: 20dB · Номинальное напряжение: 13V · Номинал тока: 40mA · Коэффициент шума: 1.1dB · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 5V · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343
Искать в поставщиках
Купить в магазине
Серия: GOLDMOS® · Тип транзистора: LDMOS · Частота: 900MHz · Усиление: 18dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 950mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 150Вт
Искать в поставщиках
Купить в магазине
Тип транзистора: HFET · Частота: 2GHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 4V · Номинал тока: 120mA · Коэффициент шума: 0.6dB · Ток - тестовый: 5mA · Напряжение - тестовое: 2V · P1dB: 12dBm · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343
Искать в поставщиках
Купить в магазине
Тип транзистора: N-Channel JFET · Номинальное напряжение: 30В · Номинал тока: 15mA · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Искать в поставщиках
Купить в магазине
Тип транзистора: N-Channel · Частота: 1.93GHz · Усиление: 14.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 850mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 18W · Корпус: NI-780
Искать в поставщиках
Купить в магазине
Тип транзистора: N-Channel · Частота: 1.93GHz · Усиление: 14.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 550mA · Напряжение - тестовое: 26V · P1dB: 45Вт · Корпус: NI-400S
Искать в поставщиках
Купить в магазине
Тип транзистора: LDMOS · Частота: 894MHz · Усиление: 18dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.95A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 220Вт
Искать в поставщиках
Купить в магазине
Тип транзистора: HFET · Частота: 8.5GHz · Усиление: 10dB · Номинальное напряжение: 12В · Номинал тока: 294mA · Ток - тестовый: 50mA · Напряжение - тестовое: 8V · P1dB: 28.5dBm · Корпус: Die
Искать в поставщиках
Купить в магазине
Тип транзистора: Dual Gate MESFET · Частота: 900MHz · Усиление: 20dB · Номинальное напряжение: 13V · Номинал тока: 40mA · Коэффициент шума: 1.1dB · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 5V · Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA
Искать в поставщиках
Купить в магазине
Тип транзистора: N-Channel · Частота: 2.11GHz · Усиление: 12.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.3A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 33W · Корпус: NI-880
Искать в поставщиках
Купить в магазине
Тип транзистора: N-Channel · Частота: 880MHz · Усиление: 21.4dB · Номинальное напряжение: 68V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 450mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 14Вт · Корпус: TO-270-2
Искать в поставщиках
Купить в магазине
Тип транзистора: MESFET · Частота: 10GHz · Усиление: 11dB · Номинальное напряжение: 8V · Номинал тока: 84mA · Коэффициент шума: 1.5dB · Ток - тестовый: 15mA · Напряжение - тестовое: 3V · Корпус: Die
Искать в поставщиках
Купить в магазине
Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 900MHz · Усиление: 17.2dB · Номинальное напряжение: 7V · Номинал тока: 300mA · Коэффициент шума: 0.8dB · Ток - тестовый: 135mA · Напряжение - тестовое: 4V · P1dB: 21.7dBm · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3
Искать в поставщиках
Купить в магазине
Тип транзистора: N-Channel · Частота: 880MHz · Усиление: 22.7dB · Номинальное напряжение: 68V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 350mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 10Вт · Корпус: TO-270-2
Искать в поставщиках
Купить в магазине
Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 10GHz · Усиление: 11dB · Номинальное напряжение: 12.5V · Номинал тока: 1.8A · Ток - тестовый: 300mA · Напряжение - тестовое: 10V · P1dB: 36.8dBm · Корпус: Die
Искать в поставщиках
Купить в магазине