Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
BLF346,112 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR RF DMOS SOT119A Тип транзистора: N-Channel · Частота: 224.25MHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 13A · Ток - тестовый: 3A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 30Вт · Корпус: SOT-119A | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BLF177C,112 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR RF DMOS SOT121B Тип транзистора: N-Channel · Частота: 108MHz · Усиление: 19dB · Номинальное напряжение: 125V · Номинал тока: 16A · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 150Вт · Корпус: SOT-121B | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BLF177CR,112 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR RF DMOS SOT121B Тип транзистора: N-Channel · Частота: 108MHz · Усиление: 19dB · Номинальное напряжение: 125V · Номинал тока: 16A · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 150Вт · Корпус: SOT-121B | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BLF147,112 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR RF DMOS SOT121B Тип транзистора: N-Channel · Частота: 108MHz · Усиление: 14dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 25A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 150Вт · Корпус: SOT-121B | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BLF177,112 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR RF DMOS SOT121B Тип транзистора: N-Channel · Частота: 108MHz · Усиление: 19dB · Номинальное напряжение: 125V · Номинал тока: 16A · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 150Вт · Корпус: SOT-121B | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BLF245,112 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR RF DMOS SOT123A Тип транзистора: N-Channel · Частота: 175MHz · Усиление: 15.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 6A · Коэффициент шума: 2dB · Ток - тестовый: 50mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 30Вт · Корпус: SOT-123A | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BLF145,112 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR RF DMOS SOT123A Тип транзистора: N-Channel · Частота: 28MHz · Усиление: 27dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 6A · Ток - тестовый: 1.3A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 8Вт · Корпус: SOT-123A | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BLF175,112 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR RF DMOS SOT123A Тип транзистора: N-Channel · Частота: 108MHz · Усиление: 20dB · Номинальное напряжение: 125V · Номинал тока: 4A · Ток - тестовый: 30mA · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 30Вт · Корпус: SOT-123A | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BLF244,112 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR RF DMOS SOT123A Тип транзистора: N-Channel · Частота: 175MHz · Усиление: 17dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 3A · Ток - тестовый: 25mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 15Вт · Корпус: SOT-123A | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BLF242,112 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR RF DMOS SOT123A Тип транзистора: N-Channel · Частота: 175MHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 1A · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 5Вт · Корпус: SOT-123A | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BLF246B,112 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR RF DMOS SOT161A Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual) · Частота: 175MHz · Усиление: 19dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 8A · Ток - тестовый: 50mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 60Вт · Корпус: SOT-161A | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BLF542,112 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR RF DMOS SOT171A Тип транзистора: N-Channel · Частота: 500MHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 1.5A · Ток - тестовый: 50mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 5Вт · Корпус: SOT-171A | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BLF544,112 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR RF DMOS SOT171A Тип транзистора: N-Channel · Частота: 960MHz · Усиление: 7dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 3.5A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 20Вт · Корпус: SOT-171A | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BLF368,112 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR RF DMOS SOT262A1 Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual) · Частота: 225MHz · Усиление: 13.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 25A · Ток - тестовый: 250mA · Напряжение - тестовое: 32V · P1dB: 300Вт · Корпус: SOT-262A1 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BLF248,112 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR RF DMOS SOT262A1 Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual) · Частота: 225MHz · Усиление: 11.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 25A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 300Вт · Корпус: SOT-262A1 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BLF278,112 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR RF DMOS SOT262A1 Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual) · Частота: 108MHz · Усиление: 22dB · Номинальное напряжение: 125V · Номинал тока: 18A · Ток - тестовый: 100mA · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 300Вт · Корпус: SOT-262A1 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BLF548,112 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR RF DMOS SOT262A2 Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual) · Частота: 500MHz · Усиление: 11dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 15A · Ток - тестовый: 160A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 150Вт · Корпус: SOT-262A2 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BLF546,112 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR RF DMOS SOT268A Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual) · Частота: 500MHz · Усиление: 13dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 9A · Ток - тестовый: 80mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 80Вт · Корпус: SOT-268A | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BLF245B,112 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR RF DMOS SOT279A Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual) · Частота: 175MHz · Усиление: 18dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 4.5A · Ток - тестовый: 25mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 30Вт · Корпус: SOT-279A | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BLF202,115 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR RF DMOS SOT409A Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual) · Частота: 175MHz · Усиление: 13dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 1A · Ток - тестовый: 20mA · Напряжение - тестовое: 12.5V · P1dB: 2Вт · Корпус: SOT-409A | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BLF647,112 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR RF DMOS SOT540A Тип транзистора: LDMOS · Частота: 600MHz · Усиление: 14.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 18A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 120W · Корпус: 4-LDMOST | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MRFG35010R5 | Freescale Semiconductor | TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ NI360HF Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 3.55GHz · Усиление: 10dB · Номинальное напряжение: 15V · Номинал тока: 2.9A · Ток - тестовый: 180mA · Напряжение - тестовое: 12В · P1dB: 10Вт · Корпус: NI-360HF | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MRFG35010 | Freescale Semiconductor | TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ NI360HF Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 3.55GHz · Усиление: 10dB · Номинальное напряжение: 15V · Номинал тока: 2.9A · Ток - тестовый: 180mA · Напряжение - тестовое: 12В · P1dB: 10Вт · Корпус: NI-360HF | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
MRFG35010AR1 | Freescale Semiconductor | TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ NI360HF Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 3.55GHz · Усиление: 10dB · Номинальное напряжение: 15V · Номинал тока: 2.9A · Ток - тестовый: 140mA · Напряжение - тестовое: 12В · P1dB: 10Вт · Корпус: NI-360HF | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MRFG35010AR5 | Freescale Semiconductor | TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ NI360HF Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 3.55GHz · Усиление: 10dB · Номинальное напряжение: 15V · Номинал тока: 2.9A · Ток - тестовый: 140mA · Напряжение - тестовое: 12В · P1dB: 10Вт · Корпус: NI-360HF | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |