Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
MRF5S21150HR3 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CHAN 28V 33W NI-880 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 2.11GHz · Усиление: 12.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.3A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 33W · Корпус: NI-880 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
PTFA091201GL V1 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 120W PG-63248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 960MHz · Усиление: 18.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 750mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 110Вт | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
SD56150 | STMicroelectronics | TRANSISTOR RF POWER LDMOST M252 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 860MHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 17A · Ток - тестовый: 500mA · Напряжение - тестовое: 32V · P1dB: 150Вт · Корпус: M252 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BLF6G22LS-180RN:11 | NXP Semiconductors | TRANS LDMOS POWER 180W SOT-502B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.11GHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 49A · Ток - тестовый: 1.4A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 40Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
NE34018-T1-A | NEC | AMP HJ-FET 2GHZ SOT-343 Тип транзистора: HFET · Частота: 2GHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 4V · Номинал тока: 120mA · Коэффициент шума: 0.6dB · Ток - тестовый: 5mA · Напряжение - тестовое: 2V · P1dB: 12dBm · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
MRF21085LSR3 | Freescale Semiconductor | IC MOSFET RF N-CHAN NI-780S Тип транзистора: N-Channel · Частота: 2.11GHz · Усиление: 13.6dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 19Вт · Корпус: NI-780S | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
PTFA091201HL V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 120W PG-64248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 960MHz · Усиление: 18.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 750mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 110Вт | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
TGF2021-01 | Triquint Semiconductor Inc | IC TRANS PHEMT 12GHZ 1MM DIE Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 10GHz · Усиление: 11dB · Номинальное напряжение: 12.5V · Номинал тока: 470mA · Ток - тестовый: 75mA · Напряжение - тестовое: 10V · P1dB: 30.8dBm · Корпус: Die | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
MMBFJ309LT1 | ON Semiconductor | JFET SS N-CHAN 25V SOT23 Тип транзистора: N-Channel JFET · Номинальное напряжение: 25V · Номинал тока: 30mA · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
2SK3391JXTL | Renesas Technology America | MOSFET N-CH 17V 300MA UPAK Тип транзистора: N-Channel · Частота: 836MHz · Номинальное напряжение: 17В · Номинал тока: 300mA · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 13.7V · P1dB: 1.6W · Корпус: UPAK | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
SLD-2083CZ | Sirenza Microdevices Inc | IC TRANSISTOR LDMOS 10W 2-SOIC Тип транзистора: LDMOS · Частота: 902MHz ~ 928MHz · Усиление: 18dB · Номинальное напряжение: 35V · Ток - тестовый: 125mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 2Вт · Корпус: 2-SOIC | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BG 3230 E6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363 Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual) · Частота: 800MHz · Усиление: 24dB · Номинальное напряжение: 8V · Номинал тока: 25mA · Коэффициент шума: 1.3dB · Напряжение - тестовое: 5V · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
J310RLRP | ON Semiconductor | MOSFET VHF/UHF N-CH 25V TO-92 Тип транзистора: N-Channel JFET · Частота: 100MHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 25V · Номинал тока: 60mA · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 10V · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
2N5950_J18Z | Fairchild Semiconductor | AMP RF N-CHAN 30V TO-92 Тип транзистора: N-Channel JFET · Номинальное напряжение: 30В · Номинал тока: 15mA · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
PTF180101M V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 10W TSSOP-10 Серия: GOLDMOS® · Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.99GHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 1µA · Ток - тестовый: 180mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 10Вт · Корпус: 10-TSSOP | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BLF4G10LS-160,112 | NXP Semiconductors | BASESTATION FINAL 1GHZ SOT502B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 894.2MHz · Усиление: 19.7dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 15A · Ток - тестовый: 900mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 160W · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
TGF4118 | Triquint Semiconductor Inc | IC TRANS HFET 6GHZ 7W 18MM DIE Тип транзистора: HFET · Частота: 2.3GHz · Усиление: 11.5dB · Номинальное напряжение: 12В · Номинал тока: 4.41A · Ток - тестовый: 1.69A · Напряжение - тестовое: 8V · P1dB: 9Вт · Корпус: Die | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
MMBFJ310LT1 | ON Semiconductor | JFET SS N-CHAN 25V SOT23 Тип транзистора: N-Channel JFET · Номинальное напряжение: 25V · Номинал тока: 60mA · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
MRF5S21150HSR5 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CHAN 28V 33W NI-880S Тип транзистора: N-Channel · Частота: 2.11GHz · Усиление: 12.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.3A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 33W · Корпус: NI-880S | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
2N5486 | ON Semiconductor | IC JFET N-CH VHF/UHF 25V TO92 Тип транзистора: N-Channel JFET · Номинальное напряжение: 25V · Номинал тока: 30mA · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
MRFG35010 | Freescale Semiconductor | TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ NI360HF Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 3.55GHz · Усиление: 10dB · Номинальное напряжение: 15V · Номинал тока: 2.9A · Ток - тестовый: 180mA · Напряжение - тестовое: 12В · P1dB: 10Вт · Корпус: NI-360HF | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
MRF5S19100HR3 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CHAN 28V 22W NI-780 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 1.93GHz · Усиление: 13.9dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 22Вт · Корпус: NI-780 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
MRF21085LSR5 | Freescale Semiconductor | IC MOSFET RF N-CHAN NI-780S Тип транзистора: N-Channel · Частота: 2.11GHz · Усиление: 13.6dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 19Вт · Корпус: NI-780S | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
PTFA041501GL V1 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 150W PG-63248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 470MHz · Усиление: 21dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 1µA · Ток - тестовый: 900mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 150Вт | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
MRF6S19100MBR1 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CH 28V 22W TO272-4 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 1.99GHz · Усиление: 14.5dB · Номинальное напряжение: 68V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 950mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 22Вт · Корпус: TO-272-4 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |