Войти    Регистрация
ChipFind поиск электронных компонентов
 
   
Классический дизайн
Документация
Характеристики

BLF4G10LS-160,112 — BASESTATION FINAL 1GHZ SOT502B

Производитель: NXP Semiconductors  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Тип транзистора: LDMOS  •  Частота: 894.2MHz  •  Усиление: 19.7dB  •  Номинальное напряжение: 65V  •  Номинал тока: 15A  •  Ток - тестовый: 900mA  •  Напряжение - тестовое: 28V  •  P1dB: 160W  •  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B  •  Встречается под наим.: 568-2392, BLF4G10LS-160, BLF4G10LS-160-ND
Архив документации

   






Производители
Города
    Версия для печати
    Страница с результатами, оптимизированная для печати.
    Бросить клич!
    Отправьте список нужной номенклатуры сразу 170 менеджерам поставщиков!

    Поставщики «BLF4G10LS-160,112»

    ПоставщикНаименованиеПроизводительЦенаСклад
    ООО "ЕВРОМАШ ЭК"BLF4G10LS-160,112 4943, 7-10 дней
    BLF4G10LS-160,112 5163, 7-10 дней
    АО "Контест"BLF4G10LS-160,112
    BASESTATION FINAL 1GHZ SOT502B Подробнее    		NXP Semiconductors
    СИНЕРГИЯ-ДИСТРИБУЦИЯBLF4G10LS-160,112
    FET RF 65V 894.2MHZ SOT502B    		NXP USA Inc.
    BLF4G10LS-160,112
    FET RF 65V 894.2MHZ SOT502B    		NXP USA Inc.
    ONLINECHIP.RUBLF4G10LS-160,112
    FET RF 65V 894.2MHZ SOT502B    		NXP USA Inc.
    BLF4G10LS-160,112
    FET RF 65V 894.2MHZ SOT502B    		NXP USA Inc.
    ООО "МДИКАМ-ЭК"BLF4G10LS-160,112
    Trans RF MOSFET N-CH 65V 15A 3-Pin SOT-502A. Возможна срочная поставка за 7 дней за доп. плату. Подробнее PDF    		NXP Semiconductors От 5 недель
    БиЭйч-СистемсBLF4G10LS-160,112
    FET RF 65V 894.2MHZ SOT502B; мин. заказ: : 1 шт.    		NXP Semiconductors / Freescale 212982, 1-2 недели
    АбтрониксBLF4G10LS-160,112
    BASESTATION FINAL 1GHZ SOT502B Подробнее    		 от 3-4 недель
    ООО "Интегральные схемы"BLF4G10LS-160,112 3287, 7-10 дней
    BLF4G10LS-160,112 1720, 7-10 дней
    СИТЭЛBLF4G10LS-160,112
    BASESTATION FINAL 1GHZ SOT502B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 894.2MHz · Усиление: 19.7dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 15A · Ток - тестовый: 900mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 160W · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B Подробнее    		NXP Semiconductors
    ООО "ДМ-Электроникс"BLF4G10LS-160,112
    BASESTATION FINAL 1GHZ SOT502B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 894.2MHz · Усиление: 19.7dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 15A · Ток - тестовый: 900mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 160W · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B Подробнее    		NXP Semiconductors
    ПромрэкBLF4G10LS-160,112
    Description : BASESTATION FINAL 1GHZ SOT502B Подробнее PDF    		NXP Semiconductors


    Контактная информация

    КомпанияОфисТелефоныE-mailОтзывы 
    ONLINECHIP.RUМосква(499) 346-83-160  0 Скрыть
    Санкт-Петербург(499) 346-83-16
    Краснодар(499) 346-83-16
    АбтрониксМосква(495) 221-8668, Факс: (495) 221-86689  12 Скрыть
    АО "Контест"Москва(495) 150-88-73, Факс: (495) 150-88-736  27 Скрыть
    Воронеж(473) 239-22-32
    БиЭйч-СистемсМосква(499) 382-28-170  0 Скрыть
    ООО "ДМ-Электроникс"Мытищи(499) 44412060  0 Скрыть
    ООО "ЕВРОМАШ ЭК"Санкт-Петербург(812) 309-89-320  0 Скрыть
    ООО "Интегральные схемы"Санкт-Петербург(812) 448-53-820  0 Скрыть
    ООО "МДИКАМ-ЭК"Москва(495) 6418878, Факс: (495) 64188780  0 Скрыть
    ПромрэкСанкт-Петербург(812) 384-69-080  0 Скрыть
    СИНЕРГИЯ-ДИСТРИБУЦИЯСанкт-Петербург(812) 409-49-130  1 Скрыть
    Москва(499) 322-80-72
    СИТЭЛМосква(495) 225-76-290  0 Скрыть
    «BLF4G10LS-160,112» в eFind, eInfo, Google, Яндекс, Datasheet Archive
    Поставщиков: 1877 отечественных и 442 зарубежных
    		 Помощь   Настройки дизайна   Скрытые поставщики
    Реклама на сайте   Разместить прайс-лист   Контакты
    		 Распечатать