Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
  

Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные полевые канальные транзисторы
 

MRF5S21150HR3 — MOSFET RF N-CHAN 28V 33W NI-880

ПроизводительFreescale Semiconductor
Вредные веществаRoHS   Без свинца
Тип транзистораN-Channel
Частота2.11GHz
Усиление12.5dB
Номинальное напряжение65V
Номинал тока10µA
Ток - тестовый1.3A
Напряжение - тестовое28V
P1dB33W
КорпусNI-880
Аналогичные по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
MRF5S21150HR5Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CHAN 28V 33W NI-880
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 2.11GHz  ·  Усиление: 12.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1.3A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 33W  ·  Корпус: NI-880
Доп. информация
Искать в поставщиках

Схожие по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
MRF5S21150HSR5Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CHAN 28V 33W NI-880S
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 2.11GHz  ·  Усиление: 12.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1.3A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 33W  ·  Корпус: NI-880S
Доп. информация
Искать в поставщиках
MRF5S21150HSR3Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CHAN 28V 33W NI-880S
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 2.11GHz  ·  Усиление: 12.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1.3A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 33W  ·  Корпус: NI-880S
Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «MRF5S21150HR3» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи		 Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов Регистрация • Реклама на сайте