Дискретные полупроводники · Высокочастотные полевые канальные транзисторы

Подсказывать возможные варианты

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	PD85035C	STMicroelectronics	TRANS RF N-CH LDMOST M243 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 945MHz · Усиление: 17.5dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 8A · Ток - тестовый: 350mA · Напряжение - тестовое: 13.6V · P1dB: 15Вт · Корпус: M243	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD85006L-E	STMicroelectronics	TRANS RF POWER LDMOST Тип транзистора: LDMOS · Частота: 870MHz · Усиление: 17dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 2A · Ток - тестовый: 200mA · Напряжение - тестовое: 13.6V · P1dB: 5Вт · Корпус: PowerFLAT™ (5 x 5)	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD85004	STMicroelectronics	TRANS RF POWER LDMOST Тип транзистора: LDMOS · Частота: 870MHz · Усиление: 17dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 2A · Ток - тестовый: 50mA · Напряжение - тестовое: 13.6V · P1dB: 4Вт · Корпус: SOT-89	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD84006L-E	STMicroelectronics	TRANS RF POWER LDMOST Тип транзистора: LDMOS · Частота: 870MHz · Усиление: 15dB · Номинальное напряжение: 25V · Номинал тока: 5A · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 7.5V · P1dB: 2Вт · Корпус: PowerFLAT™ (5 x 5)	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD84002	STMicroelectronics	TRANS RF POWER LDMOST Тип транзистора: LDMOS · Частота: 870MHz · Усиление: 15dB · Номинальное напряжение: 25V · Номинал тока: 2A · Ток - тестовый: 100mA · Напряжение - тестовое: 7.5V · P1dB: 2Вт · Корпус: SOT-89	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD84001	STMicroelectronics	TRANS RF POWER LDMOST Тип транзистора: LDMOS · Частота: 870MHz · Усиление: 15dB · Номинальное напряжение: 18В · Номинал тока: 1.5A · Ток - тестовый: 50mA · Напряжение - тестовое: 7.5V · P1dB: 30dBm · Корпус: SOT-89	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD20015C	STMicroelectronics	TRANS RF POWER LDMOST M243 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2GHz · Усиление: 11dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 7A · Ток - тестовый: 350mA · Напряжение - тестовое: 13.6V · P1dB: 15Вт · Корпус: M243	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD85025S-E	STMicroelectronics	TRANS RF POWER LDMOST N-CH Тип транзистора: LDMOS · Частота: 870MHz · Усиление: 17.3dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 7A · Ток - тестовый: 300mA · Напряжение - тестовое: 13.6V · P1dB: 10Вт · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD85035-E	STMicroelectronics	TRANS RF POWER LDMOST N-CH Тип транзистора: LDMOS · Частота: 870MHz · Усиление: 17dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 8A · Ток - тестовый: 350mA · Напряжение - тестовое: 13.6V · P1dB: 15Вт · Корпус: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD84008L-E	STMicroelectronics	TRANS RF POWER LDMOST N-CH Тип транзистора: LDMOS · Частота: 870MHz · Усиление: 15.5dB · Номинальное напряжение: 25V · Номинал тока: 7A · Ток - тестовый: 250mA · Напряжение - тестовое: 7.5V · P1dB: 2Вт · Корпус: PowerFLAT™ (5 x 5)	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD85035S-E	STMicroelectronics	TRANS RF POWER LDMOST N-CH Тип транзистора: LDMOS · Частота: 870MHz · Усиление: 17dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 8A · Ток - тестовый: 350mA · Напряжение - тестовое: 13.6V · P1dB: 15Вт · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD85015-E	STMicroelectronics	TRANS RF POWER LDMOST N-CH Тип транзистора: LDMOS · Частота: 870MHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 5A · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 13.6V · P1dB: 15Вт · Корпус: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD84010-E	STMicroelectronics	TRANS RF POWER LDMOST N-CH Тип транзистора: LDMOS · Частота: 870MHz · Усиление: 16.3dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 8A · Ток - тестовый: 300mA · Напряжение - тестовое: 7.5V · P1dB: 2Вт · Корпус: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD85025-E	STMicroelectronics	TRANS RF POWER LDMOST N-CH Тип транзистора: LDMOS · Частота: 870MHz · Усиление: 17.3dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 7A · Ток - тестовый: 300mA · Напряжение - тестовое: 13.6V · P1dB: 10Вт · Корпус: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD84008-E	STMicroelectronics	TRANS RF POWER LDMOST N-CH Тип транзистора: LDMOS · Частота: 870MHz · Усиление: 16.2dB · Номинальное напряжение: 25V · Номинал тока: 7A · Ток - тестовый: 250mA · Напряжение - тестовое: 7.5V · P1dB: 2Вт · Корпус: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	STAC2932B	STMicroelectronics	TRANS RF PWR N-CH 300W STAC244B Тип транзистора: N-Channel · Частота: 175MHz · Номинальное напряжение: 125V · Номинал тока: 40A · Ток - тестовый: 250mA · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 390W	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	STAC2942B	STMicroelectronics	TRANS RF PWR N-CH 350W STAC244B Тип транзистора: N-Channel · Частота: 175MHz · Номинальное напряжение: 130V · Номинал тока: 40A · Ток - тестовый: 250mA · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 450Вт	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	STAC3932B	STMicroelectronics	TRANS RF PWR N-CH 580W STAC244B Тип транзистора: N-Channel · Частота: 123MHz · Номинальное напряжение: 250V · Номинал тока: 20A · Ток - тестовый: 250mA · Напряжение - тестовое: 100V · P1dB: 580W	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD20015-E	STMicroelectronics	TRANS RF PWR N-CH POWERSO-10RF Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2GHz · Усиление: 11dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 7A · Ток - тестовый: 350mA · Напряжение - тестовое: 13.6V · P1dB: 15Вт · Корпус: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD54008TR-E	STMicroelectronics	TRANS RF PWR N-CH POWERSO-10RF Тип транзистора: LDMOS · Частота: 500MHz · Усиление: 11.5dB · Номинальное напряжение: 25V · Номинал тока: 5A · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 7.5V · P1dB: 8Вт · Корпус: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BLS6G2731-120,112	NXP Semiconductors	TRANS S-BAND PWR LDMOS SOT502A Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.7GHz ~ 3.1GHz · Усиление: 13.5dB · Номинальное напряжение: 60V · Номинал тока: 33A · Ток - тестовый: 100mA · Напряжение - тестовое: 32V · P1dB: 120W · Корпус: 2-LDMOST, SOT502A	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BLS6G2731S-120,112	NXP Semiconductors	TRANS S-BAND PWR LDMOS SOT502B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.7GHz ~ 3.1GHz · Усиление: 13.5dB · Номинальное напряжение: 60V · Номинал тока: 33A · Ток - тестовый: 100mA · Напряжение - тестовое: 32V · P1dB: 120W · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BLS6G2731-6G,112	NXP Semiconductors	TRANS S-BAND PWR LDMOS SOT975C Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.7GHz ~ 3.1GHz · Усиление: 15dB · Номинальное напряжение: 60V · Номинал тока: 3.5A · Ток - тестовый: 25mA · Напряжение - тестовое: 32V · P1dB: 6W · Корпус: 3-LDMOST, SOT957C	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PN4416_D27Z	Fairchild Semiconductor	TRANS TR NPN TO-92 Тип транзистора: N-Channel JFET · Частота: 400MHz · Номинальное напряжение: 30В · Коэффициент шума: 4dB · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BLF6G27-75,112	NXP Semiconductors	TRANS WIMAX PWR LDMOS SOT502A Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.5GHz · Усиление: 17dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 18A · Ток - тестовый: 600mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 9Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT502A	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине