Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
SI1023X-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET P-CH DUAL 20V SOT563F Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 350mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 370mA · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 250mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-89-6, SOT-563F, SOT-666 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDY2000PZ | Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CH DUAL 20V SOT-563F Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 350mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 350mA · Емкость @ Vds: 100pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 446mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-89-6, SOT-563F, SOT-666 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NTUD3129PT5G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH DUAL 20V SOT-963 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 100mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Ток @ 25°C: 140mA · Емкость @ Vds: 12pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 125mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-963 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
NTUD3171PZT5G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH DUAL 20V SOT-963 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 100mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Ток @ 25°C: 200mA · Емкость @ Vds: 13.5pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 125mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-963 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
USB10H | Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CH DUAL 20V SSOT6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 1.9A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 1.9A · Емкость @ Vds: 441pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 700мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-SSOT, SuperSOT-6 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
FDC6312P | Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CH DUAL 20V SSOT-6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115 mOhm @ 2.3A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.3A · Емкость @ Vds: 467pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 700мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-SSOT, SuperSOT-6 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDC6310P | Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CH DUAL 20V SSOT-6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 2.2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.2A · Емкость @ Vds: 337pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 700мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-SSOT, SuperSOT-6 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDG6314P | Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CH DUAL 25V SC70-6 Напряжение (Vdss): 25V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
FDG6304P_D87Z | Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CH DUAL 25V SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 410mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 410mA · Емкость @ Vds: 62pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 300mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDG6302P | Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CH DUAL 25V SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 140mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.31nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 140mA · Емкость @ Vds: 12pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 300mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
FDC6302P | Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CH DUAL 25V SSOT6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 200mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.31nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 120mA · Емкость @ Vds: 11pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 700мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-SSOT, SuperSOT-6 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDC6304P | Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CH DUAL 25V SSOT-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 500mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 460mA · Емкость @ Vds: 62pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 700мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-SSOT, SuperSOT-6 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MMDF2P02HDR2G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH DUAL 3.3A 20V 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 2A, 10V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.3A · Емкость @ Vds: 588pF @ 16V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDS6993 | Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CH DUAL 30/12V 8SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 4.3A, 10V · Напряжение (Vdss): 30V, 12V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.7nC @ 5V · Ток @ 25°C: 4.3A, 6.8A · Емкость @ Vds: 530pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 900мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BSL315P L6327 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH DUAL 30V 1.5A TSOP-6 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 1.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.3nC @ 5V · Ток @ 25°C: 1.5A · Емкость @ Vds: 282pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 500мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-TSOP | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
IRF7506PBF | International Rectifier | MOSFET P-CH DUAL 30V 1.7A MICRO- Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 1.2A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 10V · Ток @ 25°C: 1.7A · Емкость @ Vds: 180pF @ 25V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.25W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: Micro8™ | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
IRF7506TRPBF | International Rectifier | MOSFET P-CH DUAL 30V 1.7A MICRO8 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 1.2A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 10V · Ток @ 25°C: 1.7A · Емкость @ Vds: 180pF @ 25V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.25W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: Micro8™ | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI3993DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET P-CH DUAL 30V 1.8A 6-TSOP Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 133 mOhm @ 2.2A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 1.8A · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 830mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-TSOP | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI4941EDY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET P-CH DUAL 30V 10A 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8.3A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 70nC @ 10V · Ток @ 25°C: 8.3A · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
NTGD4161PT1G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH DUAL 30V 2.3A 6-TSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 2.1A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.1nC @ 10V · Ток @ 25°C: 1.5A · Емкость @ Vds: 281pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 600mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-TSOP | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDS9953A | Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CH DUAL 30V 2.9A 8SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 1A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.5nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2.9A · Емкость @ Vds: 185pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 900мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI4947ADY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET P-CH DUAL 30V 3.0A 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 3.9A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8nC @ 5V · Ток @ 25°C: 3A · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.2W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
TPCF8304(TE85L,F) | Toshiba | MOSFET P-CH DUAL 30V 3.2A 2-3U1B Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 1.6A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.2A · Емкость @ Vds: 600pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 530mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NTLJD4150PTBG | ON Semiconductor | MOSFET P-CH DUAL 30V 3.2A 6WDFN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 4A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 1.8A · Емкость @ Vds: 300pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 700мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-WDFN | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
SI6993DQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET P-CH DUAL 30V 3.6A 8TSSOP Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 4.7A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 3.6A · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 830mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSSOP | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |