Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
FDC6036P | Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CHAN DUAL 20V 5A 6SSOT Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44 mOhm @ 5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5A · Емкость @ Vds: 992pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 900мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-SSOT FLMP, SuperSOT-6 FLMP | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
NTLJD3115PT1G | ON Semiconductor | MOSFET P-CHAN DUAL 20V 6-WDFN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.3A · Емкость @ Vds: 531pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 710мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-WDFN | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NTTD1P02R2G | ON Semiconductor | MOSFET P-CHAN DUAL 20V 8MICRO Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 1.45A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 1.45A · Емкость @ Vds: 265pF @ 16V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 500мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-MSOP, Micro8™, 8-uMAX, 8-uSOP, | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
NTTD1P02R2 | ON Semiconductor | MOSFET P-CHAN DUAL 20V 8MICRO Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 1.45A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 1.45A · Емкость @ Vds: 265pF @ 16V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 500мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-MSOP, Micro8™, 8-uMAX, 8-uSOP, | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
NTHD4401PT3 | ON Semiconductor | MOSFET P-CHAN DUAL 20V CHIPFET Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 2.1A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.1A · Емкость @ Vds: 300pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.1W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: ChipFET | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
NTJD4152PT1 | ON Semiconductor | MOSFET P-CHAN DUAL 20V SOT-363 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260 mOhm @ 880mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 880mA · Емкость @ Vds: 155pF @ 20V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 272mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
NTZD3152PT5G | ON Semiconductor | MOSFET P-CHAN DUAL 20V SOT-563 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 430mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 430mA · Емкость @ Vds: 175pF @ 16V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 250mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-563 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
FDC6306P | Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CHAN DUAL 20V SSOT6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 1.9A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 1.9A · Емкость @ Vds: 441pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 700мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-SSOT, SuperSOT-6 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BSO303P | Infineon Technologies | MOSFET P-CHAN DUAL 30V DSO-8 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8.2A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 72.5nC @ 10V · Ток @ 25°C: 8.2A · Емкость @ Vds: 1761pF @ 25V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: DSO-8 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDC6506P | Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CHAN DUAL 30V SSOT6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 1.8A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.5nC @ 10V · Ток @ 25°C: 1.8A · Емкость @ Vds: 190pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 700мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-SSOT, SuperSOT-6 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BSS84DW-7-F | Diodes Inc | MOSFET P-CHAN DUAL 50V SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 100mA, 5V · Напряжение (Vdss): 50V · Ток @ 25°C: 130mA · Емкость @ Vds: 45pF @ 25V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 300mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDMA1023PZ | Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CHAN DUAL MICROFET2X2 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 3.7A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 3.7A · Емкость @ Vds: 655pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 700мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-MLP, 6-MicroFET™ | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
APTM100A12STG | Microsemi-PPG | MOSFET PHASE LEG SCHTKY/PAR LP8W Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 34A, 10V · Напряжение (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 616nC @ 10V · Ток @ 25°C: 68A · Емкость @ Vds: 17400pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 1250W · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SP3 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
APTM100A23STG | Microsemi-PPG | MOSFET PHASE LEG SER/PAR DIO SP4 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 18A, 10V · Напряжение (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 308nC @ 10V · Ток @ 25°C: 36A · Емкость @ Vds: 8700pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 694W · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SP4 Module | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
APTM100A23SCTG | Microsemi-PPG | MOSFET PHASE LEG SER/SIC DIO SP4 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 18A, 10V · Напряжение (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 308nC @ 10V · Ток @ 25°C: 36A · Емкость @ Vds: 8700pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 694W · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SP4 Module | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
APTM100A13DG | Microsemi-PPG | MOSFET PHASE LEG SERIES DIO SP6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156 mOhm @ 32.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 562nC @ 10V · Ток @ 25°C: 65A · Емкость @ Vds: 15200pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 1250W · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SP6 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FMK75-01F | IXYS | MOSFET PWR 100V ISOPLUS I4-PAC-5 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 50A, 10V · Напряжение (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 180nC @ 10V · Ток @ 25°C: 75A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: i4-PAC™ | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FMM75-01F | IXYS | MOSFET PWR 100V ISOPLUS I4-PAC-5 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 50A, 10V · Напряжение (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 180nC @ 10V · Ток @ 25°C: 75A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: ISOPLUS i4-PAC™ | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FMM65-015P | IXYS | MOSFET PWR 150V ISOPLUS I4-PAC-5 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 50A, 10V · Напряжение (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 230nC @ 10V · Ток @ 25°C: 65A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: ISOPLUS i4-PAC™ | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FMM300-0055P | IXYS | MOSFET PWR 55V ISOPLUS I4-PAC-5 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 mOhm @ 150A, 10V · Напряжение (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 172nC @ 10V · Ток @ 25°C: 300A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: ISOPLUS i4-PAC™ | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
FMM150-0075P | IXYS | MOSFET PWR 75V ISOPLUS I4-PAC-5 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 120A, 10V · Напряжение (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 225nC @ 10V · Ток @ 25°C: 150A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: ISOPLUS i4-PAC™ | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
APTC80TA15PG | Microsemi-PPG | MOSFET PWR MOD 3PHASE LEG SP6P Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V · Напряжение (Vdss): 800В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 180nC @ 10V · Ток @ 25°C: 28A · Емкость @ Vds: 4507pF @ 25V · Полярность: 6 N-Channel (3-Phase Leg) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 277W · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SP6 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
APTC60TAM35PG | Microsemi-PPG | MOSFET PWR MOD 3PHASE LEG SP6-P Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 72A, 10V · Напряжение (Vdss): 600В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 518nC @ 10V · Ток @ 25°C: 72A · Емкость @ Vds: 14000pF @ 25V · Полярность: 6 N-Channel (3-Phase Leg) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 416W · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SP6 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
APTC60HM70T1G | Microsemi-PPG | MOSFET PWR MOD BULL BRIDGE SP1 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V · Напряжение (Vdss): 600В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 259nC @ 10V · Ток @ 25°C: 39A · Емкость @ Vds: 7000pF @ 25V · Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 250Вт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SP1 Module | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
APTC60HM45T1G | Microsemi-PPG | MOSFET PWR MOD FULL BRIDGE SP1 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 600В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 150nC @ 10V · Ток @ 25°C: 49A · Емкость @ Vds: 7200pF @ 25V · Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 250Вт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SP1 Module | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |