Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  MOSFET транзисторы (сборки)

Производитель





















Серия
















Rds On (Max) @ Id, Vgs


















































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Напряжение (Vdss)










































Gate Charge (Qg) @ Vgs

















































































































































































































































































































































































































Ток @ 25°C































































































































































































































































































































































































































Емкость @ Vds






















































































































































































































































































































































































































































































































































Полярность









Особенности

Мощность макcимальная































































































































Тип монтажа


Корпус










































































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
FDC6036PFDC6036PFairchild SemiconductorMOSFET P-CHAN DUAL 20V 5A 6SSOT
Серия: PowerTrench®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44 mOhm @ 5A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 5A  ·  Емкость @ Vds: 992pF @ 10V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 900мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 6-SSOT FLMP, SuperSOT-6 FLMP
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NTLJD3115PT1GON SemiconductorMOSFET P-CHAN DUAL 20V 6-WDFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 2.3A  ·  Емкость @ Vds: 531pF @ 10V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 710мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 6-WDFN
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NTTD1P02R2GON SemiconductorMOSFET P-CHAN DUAL 20V 8MICRO
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 1.45A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 1.45A  ·  Емкость @ Vds: 265pF @ 16V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-MSOP, Micro8™, 8-uMAX, 8-uSOP,
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NTTD1P02R2ON SemiconductorMOSFET P-CHAN DUAL 20V 8MICRO
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 1.45A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 1.45A  ·  Емкость @ Vds: 265pF @ 16V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-MSOP, Micro8™, 8-uMAX, 8-uSOP,
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NTHD4401PT3ON SemiconductorMOSFET P-CHAN DUAL 20V CHIPFET
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 2.1A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 2.1A  ·  Емкость @ Vds: 300pF @ 10V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.1W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: ChipFET
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NTJD4152PT1NTJD4152PT1ON SemiconductorMOSFET P-CHAN DUAL 20V SOT-363
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260 mOhm @ 880mA, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 880mA  ·  Емкость @ Vds: 155pF @ 20V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 272mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NTZD3152PT5GON SemiconductorMOSFET P-CHAN DUAL 20V SOT-563
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 430mA, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 430mA  ·  Емкость @ Vds: 175pF @ 16V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-563
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FDC6306PFDC6306PFairchild SemiconductorMOSFET P-CHAN DUAL 20V SSOT6
Серия: PowerTrench®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 1.9A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 1.9A  ·  Емкость @ Vds: 441pF @ 10V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 700мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 6-SSOT, SuperSOT-6
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BSO303PInfineon TechnologiesMOSFET P-CHAN DUAL 30V DSO-8
Серия: OptiMOS™  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8.2A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 72.5nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 8.2A  ·  Емкость @ Vds: 1761pF @ 25V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: DSO-8
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FDC6506PFDC6506PFairchild SemiconductorMOSFET P-CHAN DUAL 30V SSOT6
Серия: PowerTrench®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 1.8A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.5nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 1.8A  ·  Емкость @ Vds: 190pF @ 15V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 700мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 6-SSOT, SuperSOT-6
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BSS84DW-7-FBSS84DW-7-FDiodes IncMOSFET P-CHAN DUAL 50V SC70-6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 100mA, 5V  ·  Напряжение (Vdss): 50V  ·  Ток @ 25°C: 130mA  ·  Емкость @ Vds: 45pF @ 25V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FDMA1023PZFDMA1023PZFairchild SemiconductorMOSFET P-CHAN DUAL MICROFET2X2
Серия: PowerTrench®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 3.7A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 3.7A  ·  Емкость @ Vds: 655pF @ 10V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 700мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 6-MLP, 6-MicroFET™
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTM100A12STGMicrosemi-PPGMOSFET PHASE LEG SCHTKY/PAR LP8W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 34A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 1000V (1kV)  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 616nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 68A  ·  Емкость @ Vds: 17400pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 1250W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP3
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTM100A23STGMicrosemi-PPGMOSFET PHASE LEG SER/PAR DIO SP4
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 18A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 1000V (1kV)  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 308nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 36A  ·  Емкость @ Vds: 8700pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 694W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP4 Module
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTM100A23SCTGMicrosemi-PPGMOSFET PHASE LEG SER/SIC DIO SP4
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 18A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 1000V (1kV)  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 308nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 36A  ·  Емкость @ Vds: 8700pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 694W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP4 Module
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTM100A13DGMicrosemi-PPGMOSFET PHASE LEG SERIES DIO SP6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156 mOhm @ 32.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 1000V (1kV)  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 562nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 65A  ·  Емкость @ Vds: 15200pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 1250W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP6
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FMK75-01FIXYSMOSFET PWR 100V ISOPLUS I4-PAC-5
Серия: HiPerFET™  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 50A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 100V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 180nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 75A  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: i4-PAC™
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FMM75-01FIXYSMOSFET PWR 100V ISOPLUS I4-PAC-5
Серия: HiPerFET™  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 50A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 100V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 180nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 75A  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: ISOPLUS i4-PAC™
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FMM65-015PIXYSMOSFET PWR 150V ISOPLUS I4-PAC-5
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 50A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 150V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 230nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 65A  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: ISOPLUS i4-PAC™
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FMM300-0055PIXYSMOSFET PWR 55V ISOPLUS I4-PAC-5
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 mOhm @ 150A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 55V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 172nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 300A  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: ISOPLUS i4-PAC™
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FMM150-0075PIXYSMOSFET PWR 75V ISOPLUS I4-PAC-5
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 120A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 75V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 225nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 150A  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: ISOPLUS i4-PAC™
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTC80TA15PGMicrosemi-PPGMOSFET PWR MOD 3PHASE LEG SP6P
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 800В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 180nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 28A  ·  Емкость @ Vds: 4507pF @ 25V  ·  Полярность: 6 N-Channel (3-Phase Leg)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 277W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP6
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTC60TAM35PGMicrosemi-PPGMOSFET PWR MOD 3PHASE LEG SP6-P
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 72A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 600В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 518nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 72A  ·  Емкость @ Vds: 14000pF @ 25V  ·  Полярность: 6 N-Channel (3-Phase Leg)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 416W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP6
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTC60HM70T1GMicrosemi-PPGMOSFET PWR MOD BULL BRIDGE SP1
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 600В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 259nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 39A  ·  Емкость @ Vds: 7000pF @ 25V  ·  Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 250Вт  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP1 Module
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTC60HM45T1GMicrosemi-PPGMOSFET PWR MOD FULL BRIDGE SP1
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 600В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 150nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 49A  ·  Емкость @ Vds: 7200pF @ 25V  ·  Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 250Вт  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP1 Module
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  1 ... 5253545556575859  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте