Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
NTGD3133PT1G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH DUAL 20V 21.5A 6TSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145 mOhm @ 2.2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 1.6A · Емкость @ Vds: 400pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 560mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-TSOP | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
DMP2240UDM-7 | Diodes Inc | MOSFET P-CH DUAL 20V 2A SOT-26 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Ток @ 25°C: 2A · Емкость @ Vds: 320pF @ 16V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 600mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-26 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDMA1025P | Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CH DUAL 20V 3.1A MLP2X2 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 3.1A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.8nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 3.1A · Емкость @ Vds: 450pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 700мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-MLP, 6-MicroFET™ | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDR8308P | Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CH DUAL 20V 3.2A SSOT-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 3.2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 19nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 3.2A · Емкость @ Vds: 1240pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 800мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SSOT, SuperSOT-8 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
SI6963BDQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET P-CH DUAL 20V 3.4A 8TSSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 3.9A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 3.4A · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 830mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSSOP | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDS9933A | Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CH DUAL 20V 3.8A 8SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 3.8A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 3.8A · Емкость @ Vds: 600pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 900мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NDS8934 | Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CH DUAL 20V 3.8A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 3.8A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 3.8A · Емкость @ Vds: 1120pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 900мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDW2504P | Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CH DUAL 20V 3.8A 8-TSSO Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43 mOhm @ 3.8A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 3.8A · Емкость @ Vds: 1030pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 600mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSSOP | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
IRF7755TRPBF | International Rectifier | MOSFET P-CH DUAL 20V 3.9A 8TSSOP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51 mOhm @ 3.7A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 3.9A · Емкость @ Vds: 1090pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSSOP | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
IRF7755GTRPBF | International Rectifier | MOSFET P-CH DUAL 20V 3.9A 8TSSOP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51 mOhm @ 3.7A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 3.9A · Емкость @ Vds: 1090pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSSOP | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NTLJD3115PTAG | ON Semiconductor | MOSFET P-CH DUAL 20V 4.1A 6-WDFN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.3A · Емкость @ Vds: 531pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 710мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-WDFN | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
IRF7555TRPBF | International Rectifier | MOSFET P-CH DUAL 20V 4.3A MICRO8 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 4.3A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 5V · Ток @ 25°C: 4.3A · Емкость @ Vds: 1066pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.25W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: Micro8™ | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDW2502P | Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CH DUAL 20V 4.4A 8-TSSO Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4.4A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21nC @ 5V · Ток @ 25°C: 4.4A · Емкость @ Vds: 1465pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 600mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSSOP | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI6983DQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET P-CH DUAL 20V 4.6A 8TSSOP Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 5.4A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 4.6A · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 830mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSSOP | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
IRF7750GTRPBF | International Rectifier | MOSFET P-CH DUAL 20V 4.7A 8TSSOP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4.7A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 39nC @ 5V · Ток @ 25°C: 4.7A · Емкость @ Vds: 1700pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSSOP | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
IRF7750TRPBF | International Rectifier | MOSFET P-CH DUAL 20V 4.7A 8TSSOP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4.7A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 39nC @ 5V · Ток @ 25°C: 4.7A · Емкость @ Vds: 1700pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSSOP | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI4963BDY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET P-CH DUAL 20V 4.9A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 6.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 4.9A · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.1W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDS9933BZ | Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CH DUAL 20V 4.9A 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 4.9A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 4.9A · Емкость @ Vds: 985pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 900мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NTLJD3181PZTBG | ON Semiconductor | MOSFET P-CH DUAL 20V 4A 6WDFN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.8nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.2A · Емкость @ Vds: 450pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 710мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-WDFN | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NTLJD3181PZTAG | ON Semiconductor | MOSFET P-CH DUAL 20V 4A 6WDFN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.8nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.2A · Емкость @ Vds: 450pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 710мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-WDFN | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDS8934A | Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CH DUAL 20V 4A 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 4A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 28nC @ 5V · Ток @ 25°C: 4A · Емкость @ Vds: 1130pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 900мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
STS4DPF20L | STMicroelectronics | MOSFET P-CH DUAL 20V 4A 8-SOIC Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2A, 10V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 5V · Ток @ 25°C: 4A · Емкость @ Vds: 1350pF @ 25V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI9933CDY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | MOSFET P-CH DUAL 20V 4A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 4.8A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26nC @ 10V · Ток @ 25°C: 4A · Емкость @ Vds: 665pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDW2506P | Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CH DUAL 20V 5.3A 8-TSSO Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 5.3A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 34nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5.3A · Емкость @ Vds: 1015pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSSOP | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
DMP2066LSD-13 | Diodes Inc | MOSFET P-CH DUAL 20V 5.8A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.6A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10.1nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5.8A · Емкость @ Vds: 820pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOP | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |