Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
TPCS8302(TE12L,Q) | Toshiba | MOSFET P-CH DUAL 20V 5A 2-3R1E Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 2.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 28.5nC @ 5V · Ток @ 25°C: 5A · Емкость @ Vds: 1590pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 600mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
TPCS8303(TE12L,Q) | Toshiba | MOSFET P-CH DUAL 20V 5A 2-3R1E Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 2.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 33nC @ 5V · Ток @ 25°C: 5A · Емкость @ Vds: 2560pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 600mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
TPCS8302(TE12L,Q,M | Toshiba | MOSFET P-CH DUAL 20V 5A 2-3R1E Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 2.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 28.5nC @ 5V · Ток @ 25°C: 5A · Емкость @ Vds: 1590pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 600mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
TPCP8302(TE85L,F) | Toshiba | MOSFET P-CH DUAL 20V 5A 2-3V1G Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 2.5A, 4V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 5V · Ток @ 25°C: 5A · Емкость @ Vds: 1500pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 580mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDC6036P_F077 | Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CH DUAL 20V 5A 6SSOT Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44 mOhm @ 5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5A · Емкость @ Vds: 992pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 900мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-SSOT FLMP, SuperSOT-6 FLMP | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDS9933 | Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CH DUAL 20V 5A 8SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 3.2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5A · Емкость @ Vds: 825pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 900мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
ECH8654-TL-H | SANYO Semiconductor (U.S.A) Co | MOSFET P-CH DUAL 20V 5A ECH8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 3A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5A · Емкость @ Vds: 960pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.3W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
TPCP8301(TE85L,F,M | Toshiba | MOSFET P-CH DUAL 20V 5A PS-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 2.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 5V · Ток @ 25°C: 5A · Емкость @ Vds: 1500pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 580mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: PS-8 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI4943BDY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET P-CH DUAL 20V 6.3A 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 8.4A, 10V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 5V · Ток @ 25°C: 6.3A · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.1W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDS6875 | Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CH DUAL 20V 6A 8SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 31nC @ 5V · Ток @ 25°C: 6A · Емкость @ Vds: 2250pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 900мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDMA6023PZT | Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CH DUAL 20V 6MICROFET Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 3.6A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 3.6A · Емкость @ Vds: 885pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 700мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-UMLP, 6-MicroFET™ | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI4913DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET P-CH DUAL 20V 7.1A 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 9.4A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 65nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 7.1A · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.1W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI4943CDY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | MOSFET P-CH DUAL 20V 8A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.2 mOhm @ 8.3A, 10V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 62nC @ 10V · Ток @ 25°C: 8A · Емкость @ Vds: 1945pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
IRF7304QTRPBF | International Rectifier | MOSFET P-CH DUAL 20V 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 4.3A · Емкость @ Vds: 610pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SO-8 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
IRF7304QPBF | International Rectifier | MOSFET P-CH DUAL 20V 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 4.3A · Емкость @ Vds: 610pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI6981DQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET P-CH DUAL 20V 8-TSSOP Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 4.8A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 4.1A · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 830mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSSOP | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NTHD4102PT3G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH DUAL 20V CHIPFET Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.9A · Емкость @ Vds: 750pF @ 16V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.1W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: ChipFET | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDG6318P | Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CH DUAL 20V SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 780 mOhm @ 500mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 500mA · Емкость @ Vds: 83pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 300mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI1913EDH-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET P-CH DUAL 20V SC70-6 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490 mOhm @ 880mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 880mA · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 570mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI1903DL-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET P-CH DUAL 20V SC70-6 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 995 mOhm @ 410mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 410mA · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 270mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDG6308P | Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CH DUAL 20V SC70-6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 600mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 600mA · Емкость @ Vds: 153pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 300mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDG6318PZ | Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CH DUAL 20V SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 780 mOhm @ 500mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.62nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 500mA · Емкость @ Vds: 85.4pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 300mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI1913DH-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET P-CH DUAL 20V SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490 mOhm @ 880mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 880mA · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 570mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDY1002PZ | Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CH DUAL 20V SC89-6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 830mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.1nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 830mA · Емкость @ Vds: 135pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 446mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-89-6, SOT-563F, SOT-666 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI1024X-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET P-CH DUAL 20V SOT563F Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 600mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 485mA · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 250mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-89-6, SOT-563F, SOT-666 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |