Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  MOSFET транзисторы (сборки)

Производитель





















Серия
















Rds On (Max) @ Id, Vgs


















































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Напряжение (Vdss)










































Gate Charge (Qg) @ Vgs

















































































































































































































































































































































































































Ток @ 25°C































































































































































































































































































































































































































Емкость @ Vds






















































































































































































































































































































































































































































































































































Полярность









Особенности

Мощность макcимальная































































































































Тип монтажа


Корпус










































































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
TPCS8302(TE12L,Q)ToshibaMOSFET P-CH DUAL 20V 5A 2-3R1E
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 2.5A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 28.5nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 5A  ·  Емкость @ Vds: 1590pF @ 10V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 600mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TPCS8303(TE12L,Q)ToshibaMOSFET P-CH DUAL 20V 5A 2-3R1E
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 2.5A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 33nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 5A  ·  Емкость @ Vds: 2560pF @ 10V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 600mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TPCS8302(TE12L,Q,MToshibaMOSFET P-CH DUAL 20V 5A 2-3R1E
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 2.5A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 28.5nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 5A  ·  Емкость @ Vds: 1590pF @ 10V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 600mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TPCP8302(TE85L,F)ToshibaMOSFET P-CH DUAL 20V 5A 2-3V1G
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 2.5A, 4V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 5A  ·  Емкость @ Vds: 1500pF @ 10V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 580mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FDC6036P_F077FDC6036P_F077Fairchild SemiconductorMOSFET P-CH DUAL 20V 5A 6SSOT
Серия: PowerTrench®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44 mOhm @ 5A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 5A  ·  Емкость @ Vds: 992pF @ 10V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 900мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 6-SSOT FLMP, SuperSOT-6 FLMP
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FDS9933FDS9933Fairchild SemiconductorMOSFET P-CH DUAL 20V 5A 8SOIC
Серия: PowerTrench®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 3.2A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 5A  ·  Емкость @ Vds: 825pF @ 10V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 900мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ECH8654-TL-HSANYO Semiconductor (U.S.A) CoMOSFET P-CH DUAL 20V 5A ECH8
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 3A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 5A  ·  Емкость @ Vds: 960pF @ 10V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.3W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TPCP8301(TE85L,F,MTPCP8301(TE85L,F,MToshibaMOSFET P-CH DUAL 20V 5A PS-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 2.5A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 5A  ·  Емкость @ Vds: 1500pF @ 10V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 580mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: PS-8
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI4943BDY-T1-E3SI4943BDY-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET P-CH DUAL 20V 6.3A 8-SOIC
Серия: TrenchFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 8.4A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 6.3A  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.1W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FDS6875FDS6875Fairchild SemiconductorMOSFET P-CH DUAL 20V 6A 8SOIC
Серия: PowerTrench®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 31nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 6A  ·  Емкость @ Vds: 2250pF @ 10V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 900мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FDMA6023PZTFDMA6023PZTFairchild SemiconductorMOSFET P-CH DUAL 20V 6MICROFET
Серия: PowerTrench®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 3.6A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 3.6A  ·  Емкость @ Vds: 885pF @ 10V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 700мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 6-UMLP, 6-MicroFET™
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI4913DY-T1-E3SI4913DY-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET P-CH DUAL 20V 7.1A 8-SOIC
Серия: TrenchFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 9.4A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 65nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 7.1A  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.1W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI4943CDY-T1-GE3SI4943CDY-T1-GE3Vishay/SiliconixMOSFET P-CH DUAL 20V 8A 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.2 mOhm @ 8.3A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 62nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 8A  ·  Емкость @ Vds: 1945pF @ 10V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF7304QTRPBFIRF7304QTRPBFInternational RectifierMOSFET P-CH DUAL 20V 8-SOIC
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.2A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 4.3A  ·  Емкость @ Vds: 610pF @ 15V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SO-8
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF7304QPBFIRF7304QPBFInternational RectifierMOSFET P-CH DUAL 20V 8-SOIC
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.2A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 4.3A  ·  Емкость @ Vds: 610pF @ 15V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI6981DQ-T1-E3SI6981DQ-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET P-CH DUAL 20V 8-TSSOP
Серия: TrenchFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 4.8A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 4.1A  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 830mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-TSSOP
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NTHD4102PT3GON SemiconductorMOSFET P-CH DUAL 20V CHIPFET
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 2.9A  ·  Емкость @ Vds: 750pF @ 16V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.1W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: ChipFET
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FDG6318PFDG6318PFairchild SemiconductorMOSFET P-CH DUAL 20V SC70-6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 780 mOhm @ 500mA, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 500mA  ·  Емкость @ Vds: 83pF @ 10V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI1913EDH-T1-E3SI1913EDH-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET P-CH DUAL 20V SC70-6
Серия: TrenchFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490 mOhm @ 880mA, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 880mA  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 570mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI1903DL-T1-E3SI1903DL-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET P-CH DUAL 20V SC70-6
Серия: TrenchFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 995 mOhm @ 410mA, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 410mA  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 270mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FDG6308PFDG6308PFairchild SemiconductorMOSFET P-CH DUAL 20V SC70-6
Серия: PowerTrench®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 600mA, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 600mA  ·  Емкость @ Vds: 153pF @ 10V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FDG6318PZFDG6318PZFairchild SemiconductorMOSFET P-CH DUAL 20V SC70-6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 780 mOhm @ 500mA, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.62nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 500mA  ·  Емкость @ Vds: 85.4pF @ 10V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI1913DH-T1-E3SI1913DH-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET P-CH DUAL 20V SC70-6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490 mOhm @ 880mA, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 880mA  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 570mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FDY1002PZFDY1002PZFairchild SemiconductorMOSFET P-CH DUAL 20V SC89-6
Серия: PowerTrench®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 830mA, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.1nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 830mA  ·  Емкость @ Vds: 135pF @ 10V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 446mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-89-6, SOT-563F, SOT-666
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI1024X-T1-E3SI1024X-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET P-CH DUAL 20V SOT563F
Серия: TrenchFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 600mA, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 485mA  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-89-6, SOT-563F, SOT-666
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  1 ... 50515253545556 ... 59  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте