Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
SI4953ADY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET P-CH DUAL 30V 3.7A 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 4.9A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.7A · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.1W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
IRF7751TRPBF | International Rectifier | MOSFET P-CH DUAL 30V 4.5A 8TSSOP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 44nC @ 10V · Ток @ 25°C: 4.5A · Емкость @ Vds: 1464pF @ 25V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSSOP | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
IRF7751GTRPBF | International Rectifier | MOSFET P-CH DUAL 30V 4.5A 8TSSOP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 44nC @ 10V · Ток @ 25°C: 4.5A · Емкость @ Vds: 1464pF @ 25V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSSOP | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
FDS8947A | Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CH DUAL 30V 4A 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 4A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 10V · Ток @ 25°C: 4A · Емкость @ Vds: 730pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 900мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
SI4925BDY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET P-CH DUAL 30V 5.3A 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 7.1A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 50nC @ 10V · Ток @ 25°C: 5.3A · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.1W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDS4953 | Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CH DUAL 30V 5A 8SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9nC @ 5V · Ток @ 25°C: 5A · Емкость @ Vds: 528pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 900мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDS6975 | Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CH DUAL 30V 6A 8SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 6A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 5V · Ток @ 25°C: 6A · Емкость @ Vds: 1540pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 900мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDS4935 | Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CH DUAL 30V 7A 8SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 7A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21nC @ 5V · Ток @ 25°C: 7A · Емкость @ Vds: 1233pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 900мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
IRF7306QTRPBF | International Rectifier | MOSFET P-CH DUAL 30V 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 1.8A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.6A · Емкость @ Vds: 440pF @ 25V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SO-8 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
IRF7306QPBF | International Rectifier | MOSFET P-CH DUAL 30V 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 1.8A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.6A · Емкость @ Vds: 440pF @ 25V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDMA3023PZ | Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CH DUAL 30V MICROFET6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.9A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.9A · Емкость @ Vds: 530pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 700мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-MLP, 6-MicroFET™ | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
DMP57D5UV-7 | Diodes Inc | MOSFET P-CH DUAL 50V SOT563 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 100mA, 4V · Напряжение (Vdss): 50V · Ток @ 25°C: 160mA · Емкость @ Vds: 29pF @ 25V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 400мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-563 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
DMP2004VK-7 | Diodes Inc | MOSFET P-CH DUAL 530MA SOT-563 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 430mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Ток @ 25°C: 530mA · Емкость @ Vds: 175pF @ 16V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 400мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-563 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
IRF7342QTRPBF | International Rectifier | MOSFET P-CH DUAL 55V 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 3.4A, 10V · Напряжение (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 38nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.4A · Емкость @ Vds: 690pF @ 25V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SO-8 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
IRF7342QPBF | International Rectifier | MOSFET P-CH DUAL 55V 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 3.4A, 10V · Напряжение (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 38nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.4A · Емкость @ Vds: 690pF @ 25V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDS9958_F085 | Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CH DUAL 60A 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 2.9A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 23nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2.9A · Емкость @ Vds: 1020pF @ 30V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 900мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI4948BEY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET P-CH DUAL 60V 2.4A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 3.1A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2.4A · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.4Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI1025X-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET P-CH DUAL 60V SOT563F Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 500mA, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.7nC @ 15V · Ток @ 25°C: 190mA · Емкость @ Vds: 23pF @ 25V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 250mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-89-6, SOT-563F, SOT-666 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI1026X-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET P-CH DUAL 60V SOT563F Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 500mA, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 305mA · Емкость @ Vds: 30pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 250mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-89-6, SOT-563F, SOT-666 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
STS2DPF80 | STMicroelectronics | MOSFET P-CH DUAL 80V 2.3A 8-SOIC Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 1A, 10V · Напряжение (Vdss): 80V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2A · Емкость @ Vds: 739pF @ 25V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2.5Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI1905DL-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET P-CH DUAL 8V SC70-6 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 570mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 8V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 570mA · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 270mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BSS84V-7 | Diodes Inc | MOSFET P-CH DUAL SOT-563 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 100mA, 5V · Напряжение (Vdss): 50V · Ток @ 25°C: 130mA · Емкость @ Vds: 45pF @ 25V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 150mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-563 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
STS5DPF20L | STMicroelectronics | MOSFET P-CHAN 20V 5A 8SOIC Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 2.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 5V · Ток @ 25°C: 5A · Емкость @ Vds: 1350pF @ 16V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.6W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDS4935A | Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CHAN 30V 7A 8SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 7A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21nC @ 5V · Ток @ 25°C: 7A · Емкость @ Vds: 1233pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 900мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NTMD6P02R2SG | ON Semiconductor | MOSFET P-CHAN 7.8A 20V 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 6.2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 4.8A · Емкость @ Vds: 1700pF @ 16V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 750мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |