Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  MOSFET транзисторы (сборки)

Производитель





















Серия
















Rds On (Max) @ Id, Vgs


















































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Напряжение (Vdss)










































Gate Charge (Qg) @ Vgs

















































































































































































































































































































































































































Ток @ 25°C































































































































































































































































































































































































































Емкость @ Vds






















































































































































































































































































































































































































































































































































Полярность









Особенности

Мощность макcимальная































































































































Тип монтажа


Корпус










































































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
SI4953ADY-T1-E3SI4953ADY-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET P-CH DUAL 30V 3.7A 8-SOIC
Серия: TrenchFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 4.9A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 3.7A  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.1W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF7751TRPBFIRF7751TRPBFInternational RectifierMOSFET P-CH DUAL 30V 4.5A 8TSSOP
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 44nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 4.5A  ·  Емкость @ Vds: 1464pF @ 25V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-TSSOP
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF7751GTRPBFIRF7751GTRPBFInternational RectifierMOSFET P-CH DUAL 30V 4.5A 8TSSOP
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 44nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 4.5A  ·  Емкость @ Vds: 1464pF @ 25V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-TSSOP
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FDS8947AFDS8947AFairchild SemiconductorMOSFET P-CH DUAL 30V 4A 8SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 4A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 4A  ·  Емкость @ Vds: 730pF @ 15V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 900мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI4925BDY-T1-E3SI4925BDY-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET P-CH DUAL 30V 5.3A 8-SOIC
Серия: TrenchFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 7.1A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 50nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 5.3A  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.1W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FDS4953FDS4953Fairchild SemiconductorMOSFET P-CH DUAL 30V 5A 8SOIC
Серия: PowerTrench®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 5A  ·  Емкость @ Vds: 528pF @ 15V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 900мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FDS6975FDS6975Fairchild SemiconductorMOSFET P-CH DUAL 30V 6A 8SOIC
Серия: PowerTrench®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 6A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 6A  ·  Емкость @ Vds: 1540pF @ 15V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 900мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FDS4935FDS4935Fairchild SemiconductorMOSFET P-CH DUAL 30V 7A 8SOIC
Серия: PowerTrench®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 7A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 7A  ·  Емкость @ Vds: 1233pF @ 15V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 900мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF7306QTRPBFIRF7306QTRPBFInternational RectifierMOSFET P-CH DUAL 30V 8-SOIC
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 1.8A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 3.6A  ·  Емкость @ Vds: 440pF @ 25V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SO-8
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF7306QPBFIRF7306QPBFInternational RectifierMOSFET P-CH DUAL 30V 8-SOIC
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 1.8A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 3.6A  ·  Емкость @ Vds: 440pF @ 25V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FDMA3023PZFDMA3023PZFairchild SemiconductorMOSFET P-CH DUAL 30V MICROFET6
Серия: PowerTrench®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.9A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 2.9A  ·  Емкость @ Vds: 530pF @ 15V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 700мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 6-MLP, 6-MicroFET™
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
DMP57D5UV-7DMP57D5UV-7Diodes IncMOSFET P-CH DUAL 50V SOT563
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 100mA, 4V  ·  Напряжение (Vdss): 50V  ·  Ток @ 25°C: 160mA  ·  Емкость @ Vds: 29pF @ 25V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-563
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
DMP2004VK-7DMP2004VK-7Diodes IncMOSFET P-CH DUAL 530MA SOT-563
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 430mA, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Ток @ 25°C: 530mA  ·  Емкость @ Vds: 175pF @ 16V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-563
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF7342QTRPBFIRF7342QTRPBFInternational RectifierMOSFET P-CH DUAL 55V 8-SOIC
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 3.4A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 55V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 38nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 3.4A  ·  Емкость @ Vds: 690pF @ 25V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SO-8
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF7342QPBFIRF7342QPBFInternational RectifierMOSFET P-CH DUAL 55V 8-SOIC
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 3.4A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 55V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 38nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 3.4A  ·  Емкость @ Vds: 690pF @ 25V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FDS9958_F085Fairchild SemiconductorMOSFET P-CH DUAL 60A 8-SOIC
Серия: PowerTrench®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 2.9A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 60V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 23nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 2.9A  ·  Емкость @ Vds: 1020pF @ 30V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 900мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI4948BEY-T1-E3SI4948BEY-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET P-CH DUAL 60V 2.4A 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 3.1A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 60V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 2.4A  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.4Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI1025X-T1-E3SI1025X-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET P-CH DUAL 60V SOT563F
Серия: TrenchFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 500mA, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 60V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.7nC @ 15V  ·  Ток @ 25°C: 190mA  ·  Емкость @ Vds: 23pF @ 25V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-89-6, SOT-563F, SOT-666
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI1026X-T1-E3SI1026X-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET P-CH DUAL 60V SOT563F
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 500mA, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 60V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 305mA  ·  Емкость @ Vds: 30pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-89-6, SOT-563F, SOT-666
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
STS2DPF80STS2DPF80STMicroelectronicsMOSFET P-CH DUAL 80V 2.3A 8-SOIC
Серия: STripFET™  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 1A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 80V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 2A  ·  Емкость @ Vds: 739pF @ 25V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2.5Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI1905DL-T1-E3SI1905DL-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET P-CH DUAL 8V SC70-6
Серия: TrenchFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 570mA, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 8V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 570mA  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 270mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BSS84V-7Diodes IncMOSFET P-CH DUAL SOT-563
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 100mA, 5V  ·  Напряжение (Vdss): 50V  ·  Ток @ 25°C: 130mA  ·  Емкость @ Vds: 45pF @ 25V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-563
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
STS5DPF20LSTS5DPF20LSTMicroelectronicsMOSFET P-CHAN 20V 5A 8SOIC
Серия: STripFET™  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 2.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 5A  ·  Емкость @ Vds: 1350pF @ 16V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.6W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FDS4935AFDS4935AFairchild SemiconductorMOSFET P-CHAN 30V 7A 8SOIC
Серия: PowerTrench®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 7A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 7A  ·  Емкость @ Vds: 1233pF @ 15V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 900мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NTMD6P02R2SGNTMD6P02R2SGON SemiconductorMOSFET P-CHAN 7.8A 20V 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 6.2A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 4.8A  ·  Емкость @ Vds: 1700pF @ 16V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 750мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  1 ... 5253545556575859  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте