Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
NTMD6N03R2 | ON Semiconductor | MOSFET PWR N-CH DL 6A 30V 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 6A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Ток @ 25°C: 6A · Емкость @ Vds: 950pF @ 24V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
NTMD6N03R2G | ON Semiconductor | MOSFET PWR N-CH DL 6A 30V 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 6A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Ток @ 25°C: 6A · Емкость @ Vds: 950pF @ 24V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NTLTD7900ZR2G | ON Semiconductor | MOSFET PWR N-CHAN 9A 20V 8MICRO Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 6.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 6A · Емкость @ Vds: 15pF @ 16V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.5Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: Micro-8 Leadless | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NTMD3N08LR2 | ON Semiconductor | MOSFET PWR N-CHAN DUAL 80V 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 215 mOhm @ 2.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 80V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2.3A · Емкость @ Vds: 480pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 3.1Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NTL4502NT1 | ON Semiconductor | MOSFET PWR N-CHAN QUAD 24V 16QFN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 15A, 10V · Напряжение (Vdss): 24V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 11.4A · Емкость @ Vds: 1605pF @ 20V · Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.7Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 16-PinPAK | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
MMDF2P02ER2G | ON Semiconductor | MOSFET PWR P-CH 25V 2.5A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 2A, 10V · Напряжение (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2.5A · Емкость @ Vds: 475pF @ 16V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MMDF2P02ER2 | ON Semiconductor | MOSFET PWR P-CH 25V 2.5A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 2A, 10V · Напряжение (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2.5A · Емкость @ Vds: 475pF @ 16V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NTHD2102PT1G | ON Semiconductor | MOSFET PWR P-CH DUAL 8V CHIPFET Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 3.4A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 8V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 2.5V · Ток @ 25°C: 3.4A · Емкость @ Vds: 715pF @ 6.4V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.1W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-ChipFET™ | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NTHD4102PT1G | ON Semiconductor | MOSFET PWR P-CH DUAL20V CHIPFET Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.9A · Емкость @ Vds: 750pF @ 16V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.1W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-ChipFET™ | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NTHD4401PT1G | ON Semiconductor | MOSFET PWR P-CH DUAL20V CHIPFET Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 2.1A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.1A · Емкость @ Vds: 300pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.1W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-ChipFET™ | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NTHD5903T1G | ON Semiconductor | MOSFET PWR P-CH DUAL20V CHIPFET Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 2.2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.2A · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.1W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-ChipFET™ | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NTMD2P01R2G | ON Semiconductor | MOSFET PWR P-CHAN DUAL 16V 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.4A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 16V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.3A · Емкость @ Vds: 750pF @ 16V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 710мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NTMD2P01R2 | ON Semiconductor | MOSFET PWR P-CHAN DUAL 16V 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.4A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 16V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.3A · Емкость @ Vds: 750pF @ 16V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 710мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
NTMD6P02R2G | ON Semiconductor | MOSFET PWR P-CHAN DUAL 20V 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 6.2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 4.8A · Емкость @ Vds: 1700pF @ 16V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 750мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NTMD3P03R2G | ON Semiconductor | MOSFET PWR P-CHAN DUAL 30V 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 3.05A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2.34A · Емкость @ Vds: 750pF @ 24V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 730мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDS6982S | Fairchild Semiconductor | MOSFET SCHOTTKY 30V 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6.3A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 5V · Ток @ 25°C: 6.3A, 8.6A · Емкость @ Vds: 2040pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 900мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDS6984AS | Fairchild Semiconductor | MOSFET SCHOTTKY N-CH DUAL 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 5.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 10V · Ток @ 25°C: 5.5A, 8.5A · Емкость @ Vds: 420pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 900мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
APTM100TDU35PG | Microsemi-PPG | MOSFET TRIPLE DUAL COM SRC SP6-P Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 11A, 10V · Напряжение (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 186nC @ 10V · Ток @ 25°C: 22A · Емкость @ Vds: 5200pF @ 25V · Полярность: 6 N-Channel (3-Phase Leg) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 390W · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SP6 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NTJD1155LT1 | ON Semiconductor | MOSFET/LOAD SWITCH HI 8V SOT-363 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175 mOhm @ 1.2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 8V · Ток @ 25°C: 1.3A · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 400мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
FDC6432SH | Fairchild Semiconductor | MOSFET/SYNCFET N/PCH SSOT-6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.4A, 10V · Напряжение (Vdss): 30V, 12V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.5nC @ 5V · Ток @ 25°C: 2.4A, 2.5A · Емкость @ Vds: 270pF @ 15V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 700мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-SSOT, SuperSOT-6 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
SI4972DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFT DL NCH 30V 10.8/7.2A 8SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5 mOhm @ 6A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 28nC @ 10V · Ток @ 25°C: 8.7A, 6.4A · Емкость @ Vds: 1080pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NTQD6968NR2G | ON Semiconductor | MOSFT PWR DUALN-CH 20V 7A 8TSSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 6.2A · Емкость @ Vds: 630pF @ 16V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.39W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSSOP | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDY3001NZ | Fairchild Semiconductor | MSOFET N-CH DUAL 20V SOT-563F Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 200mA · Емкость @ Vds: 60pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 446mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-89-6, SOT-563F, SOT-666 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
FDY2001PZ | Fairchild Semiconductor | MSOFET P-CH DUAL 20V SOT-563F Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 150mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 150mA · Емкость @ Vds: 100pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 446mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-89-6, SOT-563F, SOT-666 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
APTC60AM35SCTG | Microsemi-PPG | POWER MODULE MOSFET 600V 72A SP4 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 36A, 10V · Напряжение (Vdss): 600В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 518nC @ 10V · Ток @ 25°C: 72A · Емкость @ Vds: 14000pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 416W · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SP4 Module | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |