Дискретные полупроводники · MOSFET транзисторы (сборки)

Производитель	ON Semiconductor
Вредные вещества	RoHS Без свинца
Обратите внимание	Wire Change 20 авг 2008

Rds On (Max) @ Id, Vgs	32 mOhm @ 6A, 10V
Напряжение (Vdss)	30В
Gate Charge (Qg) @ Vgs	30nC @ 10V
Ток @ 25°C	6A
Емкость @ Vds	950pF @ 24V
Полярность	2 N-Channel (Dual)
Особенности	Logic Level Gate
Мощность макcимальная	2Вт
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Корпус	8-SOIC (3.9мм ширина)
Встречается под наим.	NTMD6N03R2GOS, NTMD6N03R2GOS-ND, NTMD6N03R2GOSTR

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	NTMD6N03R2	ON Semiconductor	MOSFET PWR N-CH DL 6A 30V 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 6A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Ток @ 25°C: 6A · Емкость @ Vds: 950pF @ 24V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)		Доп. информация Искать в поставщиках

Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов