Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
APTC80H15T1G | Microsemi-PPG | MOSFET PWR MOD FULL BRIDGE SP1 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V · Напряжение (Vdss): 800В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 180nC @ 10V · Ток @ 25°C: 28A · Емкость @ Vds: 4507pF @ 25V · Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 277W · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SP1 Module | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
APTC80H29T1G | Microsemi-PPG | MOSFET PWR MOD FULL BRIDGE SP1 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 7.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 800В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 90nC @ 10V · Ток @ 25°C: 15A · Емкость @ Vds: 2254pF @ 25V · Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 156W · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SP1 Module | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
APTC60HM70T3G | Microsemi-PPG | MOSFET PWR MOD FULL BRIDGE SP3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V · Напряжение (Vdss): 600В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 259nC @ 10V · Ток @ 25°C: 39A · Емкость @ Vds: 7000pF @ 25V · Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 250Вт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SP3 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
APTC80H29T3G | Microsemi-PPG | MOSFET PWR MOD FULL BRIDGE SP3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 7.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 800В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 90nC @ 10V · Ток @ 25°C: 15A · Емкость @ Vds: 2254pF @ 25V · Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 156W · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SP3 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
APTC60HM35T3G | Microsemi-PPG | MOSFET PWR MOD FULL BRIDGE SP3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 72A, 10V · Напряжение (Vdss): 600В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 518nC @ 10V · Ток @ 25°C: 72A · Емкость @ Vds: 14000pF @ 25V · Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 416W · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SP3 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
APTC80H15T3G | Microsemi-PPG | MOSFET PWR MOD FULL BRIDGE SP3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V · Напряжение (Vdss): 800В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 180nC @ 10V · Ток @ 25°C: 28A · Емкость @ Vds: 4507pF @ 25V · Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 277W · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SP3 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
APTC80H29SCTG | Microsemi-PPG | MOSFET PWR MOD FULL BRIDGE SP4 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 7.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 800В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 91nC @ 10V · Ток @ 25°C: 15A · Емкость @ Vds: 2254pF @ 25V · Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 156W · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SP4 Module | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
APTC60HM70SCTG | Microsemi-PPG | MOSFET PWR MOD FULL BRIDGE SP4 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V · Напряжение (Vdss): 600В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 259nC @ 10V · Ток @ 25°C: 39A · Емкость @ Vds: 7000pF @ 25V · Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 250Вт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SP4 Module | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
APTC60AM45T1G | Microsemi-PPG | MOSFET PWR MOD PHASE LEG SP1 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 600В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 150nC @ 10V · Ток @ 25°C: 49A · Емкость @ Vds: 7200pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 250Вт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SP1 Module | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
APTC80A15T1G | Microsemi-PPG | MOSFET PWR MOD PHASE LEG SP1 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V · Напряжение (Vdss): 800В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 180nC @ 10V · Ток @ 25°C: 28A · Емкость @ Vds: 4507pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 277W · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SP1 Module | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
APTC60AM35T1G | Microsemi-PPG | MOSFET PWR MOD PHASE LEG SP1 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 72A, 10V · Напряжение (Vdss): 600В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 518nC @ 10V · Ток @ 25°C: 72A · Емкость @ Vds: 14000pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 416W · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SP1 Module | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
APTC60AM70T1G | Microsemi-PPG | MOSFET PWR MOD PHASE LEG SP1 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V · Напряжение (Vdss): 600В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 259nC @ 10V · Ток @ 25°C: 39A · Емкость @ Vds: 7000pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 250Вт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SP1 Module | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
APTC60AM24T1G | Microsemi-PPG | MOSFET PWR MOD PHASE LEG SP1 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 600В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 300nC @ 10V · Ток @ 25°C: 95A · Емкость @ Vds: 14400pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 462W · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SP1 Module | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
APTC80A10SCTG | Microsemi-PPG | MOSFET PWR MOD PHASE LEG SP4 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 21A, 10V · Напряжение (Vdss): 800В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 273nC @ 10V · Ток @ 25°C: 42A · Емкость @ Vds: 6761pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 416W · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SP4 Module | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
APTC80A15SCTG | Microsemi-PPG | MOSFET PWR MOD PHASE LEG SP4 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V · Напряжение (Vdss): 800В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 180nC @ 10V · Ток @ 25°C: 28A · Емкость @ Vds: 4507pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 277W · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SP4 Module | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
APTC80AM75SCG | Microsemi-PPG | MOSFET PWR MOD PHASE LEG SP6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 28A, 10V · Напряжение (Vdss): 800В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 364nC @ 10V · Ток @ 25°C: 56A · Емкость @ Vds: 9015pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 568W · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SP6 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
APTC60AM18SCG | Microsemi-PPG | MOSFET PWR MOD SER/SIC DIO SP6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 71.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 600В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1036nC @ 10V · Ток @ 25°C: 143A · Емкость @ Vds: 28000pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 833W · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SP6 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NTMD2C02R2 | ON Semiconductor | MOSFET PWR N/P-CH DUAL 20V 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43 mOhm @ 4A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5.2A, 3.4A · Емкость @ Vds: 1100pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
NTMD2C02R2G | ON Semiconductor | MOSFET PWR N/P-CH DUAL 20V 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43 mOhm @ 4A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5.2A, 3.4A · Емкость @ Vds: 1100pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
NTQD6968R2 | ON Semiconductor | MOSFET PWR N-CH 6.6A 20V 8TSSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 6.6A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5.4A · Емкость @ Vds: 900pF @ 16V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 940mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSSOP | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
NTQD6866R2G | ON Semiconductor | MOSFET PWR N-CH 6.9A 20V 8TSSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 6.9A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 4.7A · Емкость @ Vds: 1400pF @ 16V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 940mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSSOP | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
NTMD4N03R2G | ON Semiconductor | MOSFET PWR N-CH DL 4A 30V 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 10V · Ток @ 25°C: 4A · Емкость @ Vds: 400pF @ 20V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NTMD4N03R2 | ON Semiconductor | MOSFET PWR N-CH DL 4A 30V 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 10V · Ток @ 25°C: 4A · Емкость @ Vds: 400pF @ 20V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NTMD6N02R2 | ON Semiconductor | MOSFET PWR N-CH DL 6A 20V 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 6A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 3.92A · Емкость @ Vds: 1100pF @ 16V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 730мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
NTMD6N02R2G | ON Semiconductor | MOSFET PWR N-CH DL 6A 20V 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 6A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 3.92A · Емкость @ Vds: 1100pF @ 16V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 730мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |