Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  MOSFET транзисторы (сборки)

Производитель





















Серия
















Rds On (Max) @ Id, Vgs


















































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Напряжение (Vdss)










































Gate Charge (Qg) @ Vgs

















































































































































































































































































































































































































Ток @ 25°C































































































































































































































































































































































































































Емкость @ Vds






















































































































































































































































































































































































































































































































































Полярность









Особенности

Мощность макcимальная































































































































Тип монтажа


Корпус










































































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
APTC80H15T1GMicrosemi-PPGMOSFET PWR MOD FULL BRIDGE SP1
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 800В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 180nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 28A  ·  Емкость @ Vds: 4507pF @ 25V  ·  Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 277W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP1 Module
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTC80H29T1GMicrosemi-PPGMOSFET PWR MOD FULL BRIDGE SP1
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 7.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 800В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 90nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 15A  ·  Емкость @ Vds: 2254pF @ 25V  ·  Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 156W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP1 Module
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTC60HM70T3GMicrosemi-PPGMOSFET PWR MOD FULL BRIDGE SP3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 600В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 259nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 39A  ·  Емкость @ Vds: 7000pF @ 25V  ·  Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 250Вт  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP3
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTC80H29T3GMicrosemi-PPGMOSFET PWR MOD FULL BRIDGE SP3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 7.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 800В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 90nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 15A  ·  Емкость @ Vds: 2254pF @ 25V  ·  Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 156W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP3
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTC60HM35T3GMicrosemi-PPGMOSFET PWR MOD FULL BRIDGE SP3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 72A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 600В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 518nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 72A  ·  Емкость @ Vds: 14000pF @ 25V  ·  Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 416W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP3
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTC80H15T3GMicrosemi-PPGMOSFET PWR MOD FULL BRIDGE SP3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 800В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 180nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 28A  ·  Емкость @ Vds: 4507pF @ 25V  ·  Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 277W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP3
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTC80H29SCTGMicrosemi-PPGMOSFET PWR MOD FULL BRIDGE SP4
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 7.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 800В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 91nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 15A  ·  Емкость @ Vds: 2254pF @ 25V  ·  Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 156W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP4 Module
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTC60HM70SCTGMicrosemi-PPGMOSFET PWR MOD FULL BRIDGE SP4
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 600В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 259nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 39A  ·  Емкость @ Vds: 7000pF @ 25V  ·  Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 250Вт  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP4 Module
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTC60AM45T1GMicrosemi-PPGMOSFET PWR MOD PHASE LEG SP1
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 600В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 150nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 49A  ·  Емкость @ Vds: 7200pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 250Вт  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP1 Module
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTC80A15T1GMicrosemi-PPGMOSFET PWR MOD PHASE LEG SP1
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 800В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 180nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 28A  ·  Емкость @ Vds: 4507pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 277W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP1 Module
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTC60AM35T1GMicrosemi-PPGMOSFET PWR MOD PHASE LEG SP1
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 72A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 600В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 518nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 72A  ·  Емкость @ Vds: 14000pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 416W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP1 Module
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTC60AM70T1GMicrosemi-PPGMOSFET PWR MOD PHASE LEG SP1
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 600В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 259nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 39A  ·  Емкость @ Vds: 7000pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 250Вт  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP1 Module
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTC60AM24T1GMicrosemi-PPGMOSFET PWR MOD PHASE LEG SP1
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 600В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 300nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 95A  ·  Емкость @ Vds: 14400pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 462W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP1 Module
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTC80A10SCTGMicrosemi-PPGMOSFET PWR MOD PHASE LEG SP4
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 21A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 800В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 273nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 42A  ·  Емкость @ Vds: 6761pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 416W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP4 Module
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTC80A15SCTGMicrosemi-PPGMOSFET PWR MOD PHASE LEG SP4
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 800В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 180nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 28A  ·  Емкость @ Vds: 4507pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 277W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP4 Module
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTC80AM75SCGMicrosemi-PPGMOSFET PWR MOD PHASE LEG SP6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 28A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 800В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 364nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 56A  ·  Емкость @ Vds: 9015pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 568W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP6
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTC60AM18SCGMicrosemi-PPGMOSFET PWR MOD SER/SIC DIO SP6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 71.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 600В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1036nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 143A  ·  Емкость @ Vds: 28000pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 833W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP6
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NTMD2C02R2NTMD2C02R2ON SemiconductorMOSFET PWR N/P-CH DUAL 20V 8SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43 mOhm @ 4A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 5.2A, 3.4A  ·  Емкость @ Vds: 1100pF @ 10V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NTMD2C02R2GNTMD2C02R2GON SemiconductorMOSFET PWR N/P-CH DUAL 20V 8SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43 mOhm @ 4A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 5.2A, 3.4A  ·  Емкость @ Vds: 1100pF @ 10V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NTQD6968R2ON SemiconductorMOSFET PWR N-CH 6.6A 20V 8TSSOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 6.6A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 5.4A  ·  Емкость @ Vds: 900pF @ 16V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 940mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-TSSOP
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NTQD6866R2GON SemiconductorMOSFET PWR N-CH 6.9A 20V 8TSSOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 6.9A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 4.7A  ·  Емкость @ Vds: 1400pF @ 16V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 940mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-TSSOP
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NTMD4N03R2GON SemiconductorMOSFET PWR N-CH DL 4A 30V 8SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 4A  ·  Емкость @ Vds: 400pF @ 20V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NTMD4N03R2NTMD4N03R2ON SemiconductorMOSFET PWR N-CH DL 4A 30V 8SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 4A  ·  Емкость @ Vds: 400pF @ 20V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NTMD6N02R2NTMD6N02R2ON SemiconductorMOSFET PWR N-CH DL 6A 20V 8SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 6A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 3.92A  ·  Емкость @ Vds: 1100pF @ 16V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 730мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NTMD6N02R2GNTMD6N02R2GON SemiconductorMOSFET PWR N-CH DL 6A 20V 8SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 6A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 3.92A  ·  Емкость @ Vds: 1100pF @ 16V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 730мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  1 ... 5253545556575859  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте