Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  MOSFET транзисторы (сборки)

 
NTMD6N02R2

NTMD6N02R2 — MOSFET PWR N-CH DL 6A 20V 8SOIC

ПроизводительON Semiconductor
Обратите вниманиеWire Change 20 авг 2008
Rds On (Max) @ Id, Vgs35 mOhm @ 6A, 4.5V
Напряжение (Vdss)20В
Gate Charge (Qg) @ Vgs20nC @ 4.5V
Ток @ 25°C3.92A
Емкость @ Vds1100pF @ 16V
Полярность2 N-Channel (Dual)
ОсобенностиLogic Level Gate
Мощность макcимальная730мВт
Тип монтажаПоверхностный монтаж
Корпус8-SOIC (3.9мм ширина)
Встречается под наим.NTMD6N02R2OS
Аналогичные по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
NTMD6N02R2GNTMD6N02R2GON SemiconductorMOSFET PWR N-CH DL 6A 20V 8SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 6A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 3.92A  ·  Емкость @ Vds: 1100pF @ 16V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 730мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «NTMD6N02R2» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  


© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте