Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
  

Дискретные полупроводники  ·  MOSFET транзисторы (сборки)
 
NTMD6P02R2G

NTMD6P02R2G — MOSFET PWR P-CHAN DUAL 20V 8SOIC

ПроизводительON Semiconductor
Вредные веществаRoHS   Без свинца
Обратите вниманиеWire Change 20 авг 2008
Rds On (Max) @ Id, Vgs33 mOhm @ 6.2A, 4.5V
Напряжение (Vdss)20В
Gate Charge (Qg) @ Vgs35nC @ 4.5V
Ток @ 25°C4.8A
Емкость @ Vds1700pF @ 16V
Полярность2 P-Channel (Dual)
ОсобенностиLogic Level Gate
Мощность макcимальная750мВт
Тип монтажаПоверхностный монтаж
Корпус8-SOIC (3.9мм ширина)
Встречается под наим.NTMD6P02R2GOS
Аналогичные по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
NTMD6P02R2SGNTMD6P02R2SGON SemiconductorMOSFET P-CHAN 7.8A 20V 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 6.2A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 4.8A  ·  Емкость @ Vds: 1700pF @ 16V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 750мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «NTMD6P02R2G» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи		 Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов Регистрация • Реклама на сайте