Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
FDC6322C | Fairchild Semiconductor | MOSFET N/P-CH DUAL 25V SSOT-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 400mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 220mA, 460mA · Емкость @ Vds: 9.5pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 700мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-SSOT, SuperSOT-6 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
NTMC1300R2 | ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH DUAL 3A 30V 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.2A, 1.8A · Емкость @ Vds: 300pF @ 20V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
FDD8424H_F085 | Fairchild Semiconductor | MOSFET N/P-CH DUAL 40V DPAK-4 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 9A, 10V · Напряжение (Vdss): 40В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Ток @ 25°C: 9A, 6.5A · Емкость @ Vds: 1000pF @ 20V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.3W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: DPak, TO-252 (4 leads + tab) | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
NTQD6968R2 | ON Semiconductor | MOSFET PWR N-CH 6.6A 20V 8TSSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 6.6A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5.4A · Емкость @ Vds: 900pF @ 16V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 940mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSSOP | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
NTHD3100CT3G | ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH COMPL 20V CHIPFET Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.9A, 3.2A · Емкость @ Vds: 165pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.1W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-ChipFET™ | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
IRF7750 | International Rectifier | MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8-TSSOP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4.7A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 39nC @ 5V · Ток @ 25°C: 4.7A · Емкость @ Vds: 1700pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSSOP | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
NTUD3129PT5G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH DUAL 20V SOT-963 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 100mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Ток @ 25°C: 140mA · Емкость @ Vds: 12pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 125mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-963 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
VMM1500-0075P | IXYS | MOSFET MOD DUAL PHASE 750V Y3-LI Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8 mOhm @ 1200A, 10V · Напряжение (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2480nC @ 10V · Ток @ 25°C: 1500A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: Y3-Li | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
ZXMD65P02N8TC | Diodes/Zetex | MOSFET DUAL P-CHAN 20V 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.9A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 4A · Емкость @ Vds: 960pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 1.25W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
NTMD2C02R2SG | ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH COMPL 20V 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43 mOhm @ 4A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5.2A, 3.4A · Емкость @ Vds: 1100pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
MMDF2P02HDR2 | ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 20V 3.3A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 2A, 10V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.3A · Емкость @ Vds: 588pF @ 16V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
IRF7901D1TR | International Rectifier | MOSFET DUAL N-CH 30V 6.2A 8-SOIC Серия: FETKY™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10.5nC @ 5V · Ток @ 25°C: 6.2A · Емкость @ Vds: 780pF @ 16V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SO-8 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
NTTD1P02R2G | ON Semiconductor | MOSFET P-CHAN DUAL 20V 8MICRO Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 1.45A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 1.45A · Емкость @ Vds: 265pF @ 16V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 500мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-MSOP, Micro8™, 8-uMAX, 8-uSOP, | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
FDS3812 | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH 80V 3.4A 8SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74 mOhm @ 3.4A, 10V · Напряжение (Vdss): 80V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.4A · Емкость @ Vds: 634pF @ 40V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 900мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
IRF5852TR | International Rectifier | MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.7A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.7A · Емкость @ Vds: 400pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 960mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-TSOP | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
IRF7755TR | International Rectifier | MOSFET 2P-CH 20V 3.9A 8-TSSOP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51 mOhm @ 3.7A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 3.9A · Емкость @ Vds: 1090pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSSOP | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
NTMD6P02R2SG | ON Semiconductor | MOSFET P-CHAN 7.8A 20V 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 6.2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 4.8A · Емкость @ Vds: 1700pF @ 16V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 750мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
IRF5850TR | International Rectifier | MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6-TSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 2.2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.4nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.2A · Емкость @ Vds: 320pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 960mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-TSOP | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
IRF7751 | International Rectifier | MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8-TSSOP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 44nC @ 10V · Ток @ 25°C: 4.5A · Емкость @ Vds: 1464pF @ 25V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSSOP | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
HUFA76413DK8T | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CHAN 60V 4.8A SO-8 Серия: UltraFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49 mOhm @ 5.1A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 23nC @ 10V · Ток @ 25°C: 5.1A · Емкость @ Vds: 620pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2.5Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
FDG6313N | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH DUAL 25V SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 500mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 500mA · Емкость @ Vds: 50pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 300mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
SI5943DU-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET DUAL P-CH 12V 6A 8PWRPAK Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64 mOhm @ 3.6A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 12В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 8V · Ток @ 25°C: 5A · Емкость @ Vds: 460pF @ 6V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2.3W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: PowerPAK® ChipFet Dual | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
MMDF2C03HDR2 | ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V 3A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 3A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 10V · Ток @ 25°C: 4.1A, 3A · Емкость @ Vds: 630pF @ 24V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
NTHD2102PT1 | ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFET Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 3.4A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 8V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 2.5V · Ток @ 25°C: 3.4A · Емкость @ Vds: 715pF @ 6.4V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.1W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-ChipFET™ | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
IRF7752 | International Rectifier | MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 8-TSSOP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4.6A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 4.6A · Емкость @ Vds: 861pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSSOP | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |