Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  MOSFET транзисторы (сборки)

Производитель





















Серия
















Rds On (Max) @ Id, Vgs


















































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Напряжение (Vdss)










































Gate Charge (Qg) @ Vgs

















































































































































































































































































































































































































Ток @ 25°C































































































































































































































































































































































































































Емкость @ Vds






















































































































































































































































































































































































































































































































































Полярность









Особенности

Мощность макcимальная































































































































Тип монтажа


Корпус










































































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
SI4816BDY-T1-GE3SI4816BDY-T1-GE3Vishay/SiliconixMOSFET DL N-CH 30V 6.8A 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5 mOhm @ 6.8A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 5.8A, 8.2A  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1W, 1.25W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI4559ADY-T1-GE3SI4559ADY-T1-GE3Vishay/SiliconixMOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 4.3A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 60V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 4.3A, 3A  ·  Емкость @ Vds: 665pF @ 15V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI7942DP-T1-E3SI7942DP-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET DUAL N-CH 100V 8-SOIC
Серия: TrenchFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49 mOhm @ 5.9A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 100V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 3.8A  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.4Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: PowerPAK® SO-8 Dual
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI7962DP-T1-E3SI7962DP-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET DUAL N-CH 40V 8-SOIC
Серия: TrenchFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 11.1A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 40В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 70nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 7.1A  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 1.4Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: PowerPAK® SO-8 Dual
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI6928DQ-T1-GE3SI6928DQ-T1-GE3Vishay/SiliconixMOSFET DL N-CH 30V 4A 8-TSSOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 4A  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-TSSOP
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI1035X-T1-E3SI1035X-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET N/P-CH COMPL 20V SOT563F
Серия: TrenchFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 180mA, 145mA  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-89-6, SOT-563F, SOT-666
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SIA912DJ-T1-GE3SIA912DJ-T1-GE3Vishay/SiliconixMOSFET N-CH DL 12V PWRPAK SC70-6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.2A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 12В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11.5nC @ 8V  ·  Ток @ 25°C: 4.5A  ·  Емкость @ Vds: 400pF @ 6V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.9Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: PowerPAK® SC-70-6 Dual
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI6968BEDQ-T1-GE3Vishay/SiliconixMOSFET N-CH DUAL 20V 6.5A 8TSSOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 6.5A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 5.2A  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-TSSOP
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI7945DP-T1-GE3SI7945DP-T1-GE3Vishay/SiliconixMOSFET DL P-CH 30V PPAK 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 10.9A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 74nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 7A  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.4Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: PowerPAK® SO-8 Dual
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI5947DU-T1-E3SI5947DU-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET DUAL P-CH 20V 6A 8PWRPAK
Серия: TrenchFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 3.6A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 5A  ·  Емкость @ Vds: 480pF @ 10V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2.3W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: PowerPAK® ChipFet Dual
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI6926ADQ-T1-GE3SI6926ADQ-T1-GE3Vishay/SiliconixMOSFET DL N-CH 20V 4.5A 8-TSSOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4.5A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10.5nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 4.1A  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 830mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-TSSOP
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI3951DV-T1-E3SI3951DV-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET P-CH DUAL 20V 2.7A 6-TSOP
Серия: TrenchFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115 mOhm @ 2.5A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.1nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 2.5A  ·  Емкость @ Vds: 250pF @ 10V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.14W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 6-TSOP
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI1913EDH-T1-E3SI1913EDH-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET P-CH DUAL 20V SC70-6
Серия: TrenchFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490 mOhm @ 880mA, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 880mA  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 570mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI6954ADQ-T1-GE3SI6954ADQ-T1-GE3Vishay/SiliconixBATTERY SW N-CH 30V 3.4A 8-TSSOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 3.4A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 3.1A  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 830mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-TSSOP
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI3983DV-T1-E3SI3983DV-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET P-CH DUAL 20V 2.1A 6-TSOP
Серия: TrenchFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 2.5A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 2.1A  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 830mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 6-TSOP
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI4388DY-T1-E3SI4388DY-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET DUAL N-CH 30V 8-SOIC
Серия: TrenchFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 8A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 8.1A, 8.6A  ·  Емкость @ Vds: 946pF @ 15V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 1.9W, 2.2W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI5903DC-T1-E3SI5903DC-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET DUAL P-CH 20V 2.1A 1206-8
Серия: TrenchFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 2.1A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 2.1A  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.1W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 1206-8 ChipFET™
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI6562DQ-T1-GE3SI6562DQ-T1-GE3Vishay/SiliconixMOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4.5A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 4.5A, 3.5A  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-TSSOP
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI1902DL-T1-E3SI1902DL-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET N-CH DUAL 20V SC70-6
Серия: TrenchFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385 mOhm @ 660ma, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 660mA  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 270mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI5902DC-T1-E3SI5902DC-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET DUAL N-CH 30V 2.9A 1206-8
Серия: TrenchFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 2.9A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.5 nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 2.9A  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.1W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 1206-8 ChipFET™
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI7913DN-T1-E3SI7913DN-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET DUAL P-CH 20V 1212-8
Серия: TrenchFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 7.4A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 5A  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.3W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: PowerPAK® 1212-8 Dual
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI1903DL-T1-E3SI1903DL-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET P-CH DUAL 20V SC70-6
Серия: TrenchFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 995 mOhm @ 410mA, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 410mA  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 270mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI4933DY-T1-E3SI4933DY-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET P-CH DUAL 12V 7.4A 8-SOIC
Серия: TrenchFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 9.8A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 12В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 70nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 7.4A  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.1W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI7220DN-T1-E3SI7220DN-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET DUAL N-CH 60V 1212-8
Серия: TrenchFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4.8A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 60V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 3.4A  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.3W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: PowerPAK 1212-8
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI1917EDH-T1-E3SI1917EDH-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET P-CH DUAL 12V SC70-6
Серия: TrenchFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370 mOhm @ 1A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 12В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 1A  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 570mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  1 ... 51525354555657 ... 59  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте