Дискретные полупроводники  ·  MOSFET транзисторы (сборки)

SI5902DC-T1-E3 — MOSFET DUAL N-CH 30V 2.9A 1206-8

Производитель	Vishay/Siliconix
Вредные вещества	RoHS   Без свинца
Серия	TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	85 mOhm @ 2.9A, 10V
Напряжение (Vdss)	30В
Gate Charge (Qg) @ Vgs	7.5 nC @ 10V
Ток @ 25°C	2.9A
Полярность	2 N-Channel (Dual)
Особенности	Logic Level Gate
Мощность макcимальная	1.1W
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Корпус	1206-8 ChipFET™
Встречается под наим.	SI5902DC-T1-E3CT