Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
FDS4935 | Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CH DUAL 30V 7A 8SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 7A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21nC @ 5V · Ток @ 25°C: 7A · Емкость @ Vds: 1233pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 900мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
PMWD15UN,518 | NXP Semiconductors | MOSFET N-CH TRENCH DL 20V 8TSSOP Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5 mOhm @ 5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22.2nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 11.6A · Емкость @ Vds: 1450pF @ 16V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 4.2W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSSOP | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
TPC6201(TE85L,F) | Toshiba | MOSFET N-CH DUAL 30V 2.5A VS-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 1.3A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.7nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2.5A · Емкость @ Vds: 170pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 400мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: VS-6 (SOT-23-6) | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
APTM20DHM16TG | Microsemi-PPG | MOSFET MOD ASSYMMETRIC BRDG SP4 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 52A, 10V · Напряжение (Vdss): 200В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 140nC @ 10V · Ток @ 25°C: 104A · Емкость @ Vds: 7220pF @ 25V · Полярность: Asy ммetrical Bridge (2 N-Channel) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 390W · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SP4 Module | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
IRF7751GTRPBF | International Rectifier | MOSFET P-CH DUAL 30V 4.5A 8TSSOP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 44nC @ 10V · Ток @ 25°C: 4.5A · Емкость @ Vds: 1464pF @ 25V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSSOP | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
FDC6020C | Fairchild Semiconductor | MOSFET N/P-CHAN 20V COMPL 6SSOT Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 5.9A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5.9A, 4.2A · Емкость @ Vds: 677pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.2W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-SSOT FLMP, SuperSOT-6 FLMP | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
FMM300-0055P | IXYS | MOSFET PWR 55V ISOPLUS I4-PAC-5 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 mOhm @ 150A, 10V · Напряжение (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 172nC @ 10V · Ток @ 25°C: 300A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: ISOPLUS i4-PAC™ | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
NTJD1155LT1 | ON Semiconductor | MOSFET/LOAD SWITCH HI 8V SOT-363 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175 mOhm @ 1.2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 8V · Ток @ 25°C: 1.3A · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 400мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
NTLJD2104PTAG | ON Semiconductor | MOSFET P-CH DUAL 12V 4.3A 6WDFN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 12В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.4A · Емкость @ Vds: 467pF @ 6V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 700мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-WDFN | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
FDS8947A | Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CH DUAL 30V 4A 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 4A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 10V · Ток @ 25°C: 4A · Емкость @ Vds: 730pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 900мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
SI5517DU-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET PPAK Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 4.4A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 8V · Ток @ 25°C: 7.2A, 4.6A · Емкость @ Vds: 520pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2.3W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: PowerPAK® ChipFet Dual | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
FDW2504P | Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CH DUAL 20V 3.8A 8-TSSO Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43 mOhm @ 3.8A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 3.8A · Емкость @ Vds: 1030pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 600mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSSOP | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
FDW2521C | Fairchild Semiconductor | MOSFET N/P 20V 5.5/2.8A 8-TSSOP Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 5.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5.5A, 3.8A · Емкость @ Vds: 1082pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 600mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSSOP | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BSO215C | Infineon Technologies | MOSFET N+P 20V 3.7A 8-SOIC Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 3.7A, 10V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11.5nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.7A · Емкость @ Vds: 246pF @ 25V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SO-8 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
NDS9933 | Fairchild Semiconductor | MOSFET 2P-CH 20V 3.2A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 3.2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 3.2A · Емкость @ Vds: 870pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 900мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
TPCF8201(TE85L) | Toshiba | MOSFET 2N-CH 20V 3A VS-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49 mOhm @ 1.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.5nC @ 5V · Ток @ 25°C: 3A · Емкость @ Vds: 590pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 530mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: VS-8 (2-3U1B) | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
NTMD6N03R2 | ON Semiconductor | MOSFET PWR N-CH DL 6A 30V 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 6A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Ток @ 25°C: 6A · Емкость @ Vds: 950pF @ 24V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
NTJD2152PT2 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 8V DUAL ESD SOT-363 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 570mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 8V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 775mA · Емкость @ Vds: 225pF @ 8V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 270mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
IRF7342 | International Rectifier | MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 3.4A, 10V · Напряжение (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 38nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.4A · Емкость @ Vds: 690pF @ 25V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
ZXMD65N03N8TA | Diodes/Zetex | MOSFET N-CHAN DUAL 30V 8-SOIC Напряжение (Vdss): 30В · Ток @ 25°C: 6.5A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
19MT050XF | Vishay/Semiconductors | HEX/MOS N-CHAN 500V 31A MTP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 19A, 10V · Напряжение (Vdss): 500В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 160nC @ 10V · Ток @ 25°C: 31A · Емкость @ Vds: 7210pF @ 25V · Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 1140W · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: 16-MTP | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
NTQD4154ZR2 | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8-TSSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 7.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 7.5A · Емкость @ Vds: 1485pF @ 16V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.52W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSSOP | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
FDG6314P | Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CH DUAL 25V SC70-6 Напряжение (Vdss): 25V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
APTM20DHM20TG | Microsemi-PPG | MOSFET MOD ASSYMMETRIC BRDG SP4 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 44.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 200В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 112nC @ 10V · Ток @ 25°C: 89A · Емкость @ Vds: 6850pF @ 25V · Полярность: Asy ммetrical Bridge (2 N-Channel) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 357W · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SP4 Module | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
IRF5810TR | International Rectifier | MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.9A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9.6nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.9A · Емкость @ Vds: 650pF @ 16V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 960mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-TSOP | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |