Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  MOSFET транзисторы (сборки)

Производитель





















Серия
















Rds On (Max) @ Id, Vgs


















































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Напряжение (Vdss)










































Gate Charge (Qg) @ Vgs

















































































































































































































































































































































































































Ток @ 25°C































































































































































































































































































































































































































Емкость @ Vds






















































































































































































































































































































































































































































































































































Полярность









Особенности

Мощность макcимальная































































































































Тип монтажа


Корпус










































































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
FDS4935FDS4935Fairchild SemiconductorMOSFET P-CH DUAL 30V 7A 8SOIC
Серия: PowerTrench®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 7A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 7A  ·  Емкость @ Vds: 1233pF @ 15V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 900мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PMWD15UN,518PMWD15UN,518NXP SemiconductorsMOSFET N-CH TRENCH DL 20V 8TSSOP
Серия: TrenchMOS™  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5 mOhm @ 5A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22.2nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 11.6A  ·  Емкость @ Vds: 1450pF @ 16V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 4.2W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-TSSOP
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TPC6201(TE85L,F)ToshibaMOSFET N-CH DUAL 30V 2.5A VS-6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 1.3A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.7nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 2.5A  ·  Емкость @ Vds: 170pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: VS-6 (SOT-23-6)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTM20DHM16TGMicrosemi-PPGMOSFET MOD ASSYMMETRIC BRDG SP4
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 52A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 200В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 140nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 104A  ·  Емкость @ Vds: 7220pF @ 25V  ·  Полярность: Asy ммetrical Bridge (2 N-Channel)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 390W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP4 Module
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF7751GTRPBFIRF7751GTRPBFInternational RectifierMOSFET P-CH DUAL 30V 4.5A 8TSSOP
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 44nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 4.5A  ·  Емкость @ Vds: 1464pF @ 25V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-TSSOP
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FDC6020CFDC6020CFairchild SemiconductorMOSFET N/P-CHAN 20V COMPL 6SSOT
Серия: PowerTrench®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 5.9A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 5.9A, 4.2A  ·  Емкость @ Vds: 677pF @ 10V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.2W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 6-SSOT FLMP, SuperSOT-6 FLMP
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FMM300-0055PIXYSMOSFET PWR 55V ISOPLUS I4-PAC-5
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 mOhm @ 150A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 55V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 172nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 300A  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: ISOPLUS i4-PAC™
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NTJD1155LT1ON SemiconductorMOSFET/LOAD SWITCH HI 8V SOT-363
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175 mOhm @ 1.2A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 8V  ·  Ток @ 25°C: 1.3A  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NTLJD2104PTAGON SemiconductorMOSFET P-CH DUAL 12V 4.3A 6WDFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 12В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 2.4A  ·  Емкость @ Vds: 467pF @ 6V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 700мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 6-WDFN
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FDS8947AFDS8947AFairchild SemiconductorMOSFET P-CH DUAL 30V 4A 8SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 4A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 4A  ·  Емкость @ Vds: 730pF @ 15V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 900мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI5517DU-T1-E3SI5517DU-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET N/P-CH 20V CHIPFET PPAK
Серия: TrenchFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 4.4A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 8V  ·  Ток @ 25°C: 7.2A, 4.6A  ·  Емкость @ Vds: 520pF @ 10V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2.3W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: PowerPAK® ChipFet Dual
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FDW2504PFairchild SemiconductorMOSFET P-CH DUAL 20V 3.8A 8-TSSO
Серия: PowerTrench®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43 mOhm @ 3.8A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 3.8A  ·  Емкость @ Vds: 1030pF @ 10V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 600mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-TSSOP
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FDW2521CFairchild SemiconductorMOSFET N/P 20V 5.5/2.8A 8-TSSOP
Серия: PowerTrench®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 5.5A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 5.5A, 3.8A  ·  Емкость @ Vds: 1082pF @ 10V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 600mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-TSSOP
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BSO215CInfineon TechnologiesMOSFET N+P 20V 3.7A 8-SOIC
Серия: SIPMOS®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 3.7A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11.5nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 3.7A  ·  Емкость @ Vds: 246pF @ 25V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SO-8
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NDS9933Fairchild SemiconductorMOSFET 2P-CH 20V 3.2A 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 3.2A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 3.2A  ·  Емкость @ Vds: 870pF @ 10V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 900мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TPCF8201(TE85L)ToshibaMOSFET 2N-CH 20V 3A VS-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49 mOhm @ 1.5A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.5nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 3A  ·  Емкость @ Vds: 590pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 530mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: VS-8 (2-3U1B)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NTMD6N03R2NTMD6N03R2ON SemiconductorMOSFET PWR N-CH DL 6A 30V 8SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 6A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 6A  ·  Емкость @ Vds: 950pF @ 24V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NTJD2152PT2NTJD2152PT2ON SemiconductorMOSFET P-CH 8V DUAL ESD SOT-363
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 570mA, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 8V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 775mA  ·  Емкость @ Vds: 225pF @ 8V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 270mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF7342IRF7342International RectifierMOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 3.4A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 55V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 38nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 3.4A  ·  Емкость @ Vds: 690pF @ 25V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZXMD65N03N8TAZXMD65N03N8TADiodes/ZetexMOSFET N-CHAN DUAL 30V 8-SOIC
Напряжение (Vdss): 30В  ·  Ток @ 25°C: 6.5A  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
19MT050XFVishay/SemiconductorsHEX/MOS N-CHAN 500V 31A MTP
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 19A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 500В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 160nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 31A  ·  Емкость @ Vds: 7210pF @ 25V  ·  Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 1140W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: 16-MTP
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NTQD4154ZR2ON SemiconductorMOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8-TSSOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 7.5A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21.5nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 7.5A  ·  Емкость @ Vds: 1485pF @ 16V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.52W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-TSSOP
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FDG6314PFDG6314PFairchild SemiconductorMOSFET P-CH DUAL 25V SC70-6
Напряжение (Vdss): 25V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTM20DHM20TGMicrosemi-PPGMOSFET MOD ASSYMMETRIC BRDG SP4
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 44.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 200В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 112nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 89A  ·  Емкость @ Vds: 6850pF @ 25V  ·  Полярность: Asy ммetrical Bridge (2 N-Channel)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 357W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP4 Module
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF5810TRIRF5810TRInternational RectifierMOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.9A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9.6nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 2.9A  ·  Емкость @ Vds: 650pF @ 16V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 960mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 6-TSOP
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  1 ... 51525354555657 ... 59  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте