Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
FDW2516NZ | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH DUAL 20V 5.8A 8-TSSO Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 5.8A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 5V · Ток @ 25°C: 5.8A · Емкость @ Vds: 745pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.1W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSSOP | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BSO612CV | Infineon Technologies | MOSFET COMPL N+P 60V 2A 8-SOIC Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 3A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15.5nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3A, 2A · Емкость @ Vds: 340pF @ 25V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SO-8 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
FDS6892AZ | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH DUAL 20V 8A 8SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 7.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 7.5A · Емкость @ Vds: 1286pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 900мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
NTJD4001NT1 | ON Semiconductor | MOSFET N-CHAN SS DUAL 30V SOT363 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 10mA, 4V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.3nC @ 5V · Ток @ 25°C: 250mA · Емкость @ Vds: 33pF @ 5V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 272mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
IRF5851 | International Rectifier | DIODE MOSFET DUAL 20V 2.7A 6TSOP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.7A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.7A, 2.2A · Емкость @ Vds: 400pF @ 15V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 960mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-TSOP | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
NTMD2C02R2 | ON Semiconductor | MOSFET PWR N/P-CH DUAL 20V 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43 mOhm @ 4A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5.2A, 3.4A · Емкость @ Vds: 1100pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
IRF6150 | International Rectifier | MOSFET P-CH 20V 7.1A FLIP-FET Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 7.9A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Ток @ 25°C: 7.9A · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 3Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: FlipFet™-16 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
IRF5852 | International Rectifier | MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.7A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.7A · Емкость @ Vds: 400pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 960mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-TSOP | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
NTHD5904T1 | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 20V 3.1A CHIPFET Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 3.1A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 3.1A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.1W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-ChipFET™ | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
NTHD3100CT3 | ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH COMPL 20V CHIPFET Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.9A, 3.2A · Емкость @ Vds: 165pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.1W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-ChipFET™ | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
APTM20AM05FTG | Microsemi-PPG | MOSFET MODULE PHASE LEG LP8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 166.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 200В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1184nC @ 10V · Ток @ 25°C: 333A · Емкость @ Vds: 40800pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 1250W · Тип монтажа: Chassis Mount | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
APTM100A12STG | Microsemi-PPG | MOSFET PHASE LEG SCHTKY/PAR LP8W Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 34A, 10V · Напряжение (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 616nC @ 10V · Ток @ 25°C: 68A · Емкость @ Vds: 17400pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 1250W · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SP3 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
IRF7389 | International Rectifier | MOSFET N+P 30V 5.3A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 5.8A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 33nC @ 10V · Ток @ 25°C: 7.3A, 5.3A · Емкость @ Vds: 650pF @ 25V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2.5Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
IRF9952 | International Rectifier | MOSFET N+P 30V 2.3A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.5A, 2.3A · Емкость @ Vds: 190pF @ 15V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
IRF7754 | International Rectifier | MOSFET 2P-CH 12V 5.5A 8-TSSOP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 5.4A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 12В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5.5A · Емкость @ Vds: 1984pF @ 6V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSSOP | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
APTM50DUM25TG | Microsemi-PPG | MOSFET MOD DUAL COMMON SRC LP8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 74.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 500В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1200nC @ 10V · Ток @ 25°C: 149A · Емкость @ Vds: 29600pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 1250W · Тип монтажа: Chassis Mount | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
STS3C2F100 | STMicroelectronics | MOSFET N-CHAN 100V 3A 8-SOIC Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145 mOhm @ 1.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3A · Емкость @ Vds: 460pF @ 25V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
NDS9942 | Fairchild Semiconductor | MOSFET N+P 20V 2.5A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 1A, 10V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3A, 2.5A · Емкость @ Vds: 525pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 900мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
FDW2501N | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH DUAL 20V 6A 8-TSSOP Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 6A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 6A · Емкость @ Vds: 1290pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 600mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSSOP | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
FDR8702H | Fairchild Semiconductor | MOSFET N/P-CH 20V SSOT-8 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 3.6A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 3.6A, 2.6A · Емкость @ Vds: 650pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 800мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SSOT, SuperSOT-8 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
NTHD5902T1 | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 2.9A CHIPFET Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 2.9A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.5 nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2.9A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.1W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-ChipFET™ | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
NDS9943 | Fairchild Semiconductor | MOSFET N+P 20V 2.8A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 3A, 10V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3A, 2.8A · Емкость @ Vds: 525pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 900мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
SIF912EDZ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET N-CH 30V 2X5 6-POWERPAK Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 7.4A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 7.4A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.6W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: PowerPAK® 2x5 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
FDY4001CZ | Fairchild Semiconductor | MOSFET N/P-CH 20V SC89-6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 200mA, 150mA · Емкость @ Vds: 60pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 446mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-89-6, SOT-666 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BSO315C | Infineon Technologies | MOSFET DUAL N/PCH +/-30V 8-SOIC Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 3.4A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11.7nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.4A, 2.3A · Емкость @ Vds: 250pF @ 25V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SO-8 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |