Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  MOSFET транзисторы (сборки)

Производитель





















Серия
















Rds On (Max) @ Id, Vgs


















































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Напряжение (Vdss)










































Gate Charge (Qg) @ Vgs

















































































































































































































































































































































































































Ток @ 25°C































































































































































































































































































































































































































Емкость @ Vds






















































































































































































































































































































































































































































































































































Полярность









Особенности

Мощность макcимальная































































































































Тип монтажа


Корпус










































































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
FDW2516NZFairchild SemiconductorMOSFET N-CH DUAL 20V 5.8A 8-TSSO
Серия: PowerTrench®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 5.8A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 5.8A  ·  Емкость @ Vds: 745pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.1W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-TSSOP
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BSO612CVInfineon TechnologiesMOSFET COMPL N+P 60V 2A 8-SOIC
Серия: SIPMOS®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 3A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 60V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15.5nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 3A, 2A  ·  Емкость @ Vds: 340pF @ 25V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SO-8
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FDS6892AZFDS6892AZFairchild SemiconductorMOSFET N-CH DUAL 20V 8A 8SOIC
Серия: PowerTrench®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 7.5A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 7.5A  ·  Емкость @ Vds: 1286pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 900мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NTJD4001NT1ON SemiconductorMOSFET N-CHAN SS DUAL 30V SOT363
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 10mA, 4V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.3nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 250mA  ·  Емкость @ Vds: 33pF @ 5V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 272mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF5851IRF5851International RectifierDIODE MOSFET DUAL 20V 2.7A 6TSOP
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.7A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 2.7A, 2.2A  ·  Емкость @ Vds: 400pF @ 15V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 960mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 6-TSOP
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NTMD2C02R2NTMD2C02R2ON SemiconductorMOSFET PWR N/P-CH DUAL 20V 8SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43 mOhm @ 4A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 5.2A, 3.4A  ·  Емкость @ Vds: 1100pF @ 10V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF6150IRF6150International RectifierMOSFET P-CH 20V 7.1A FLIP-FET
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 7.9A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Ток @ 25°C: 7.9A  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 3Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: FlipFet™-16
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF5852IRF5852International RectifierMOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.7A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 2.7A  ·  Емкость @ Vds: 400pF @ 15V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 960mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 6-TSOP
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NTHD5904T1ON SemiconductorMOSFET 2N-CH 20V 3.1A CHIPFET
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 3.1A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 3.1A  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.1W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-ChipFET™
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NTHD3100CT3ON SemiconductorMOSFET N/P-CH COMPL 20V CHIPFET
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 2.9A, 3.2A  ·  Емкость @ Vds: 165pF @ 10V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.1W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-ChipFET™
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTM20AM05FTGMicrosemi-PPGMOSFET MODULE PHASE LEG LP8
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 166.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 200В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1184nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 333A  ·  Емкость @ Vds: 40800pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 1250W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTM100A12STGMicrosemi-PPGMOSFET PHASE LEG SCHTKY/PAR LP8W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 34A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 1000V (1kV)  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 616nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 68A  ·  Емкость @ Vds: 17400pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 1250W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP3
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF7389IRF7389International RectifierMOSFET N+P 30V 5.3A 8-SOIC
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 5.8A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 33nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 7.3A, 5.3A  ·  Емкость @ Vds: 650pF @ 25V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2.5Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF9952IRF9952International RectifierMOSFET N+P 30V 2.3A 8-SOIC
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 3.5A, 2.3A  ·  Емкость @ Vds: 190pF @ 15V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF7754IRF7754International RectifierMOSFET 2P-CH 12V 5.5A 8-TSSOP
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 5.4A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 12В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 5.5A  ·  Емкость @ Vds: 1984pF @ 6V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-TSSOP
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTM50DUM25TGMicrosemi-PPGMOSFET MOD DUAL COMMON SRC LP8
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 74.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 500В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1200nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 149A  ·  Емкость @ Vds: 29600pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 1250W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
STS3C2F100STS3C2F100STMicroelectronicsMOSFET N-CHAN 100V 3A 8-SOIC
Серия: STripFET™  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145 mOhm @ 1.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 100V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 3A  ·  Емкость @ Vds: 460pF @ 25V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NDS9942Fairchild SemiconductorMOSFET N+P 20V 2.5A 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 1A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 3A, 2.5A  ·  Емкость @ Vds: 525pF @ 10V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 900мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FDW2501NFairchild SemiconductorMOSFET N-CH DUAL 20V 6A 8-TSSOP
Серия: PowerTrench®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 6A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 6A  ·  Емкость @ Vds: 1290pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 600mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-TSSOP
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FDR8702HFairchild SemiconductorMOSFET N/P-CH 20V SSOT-8
Серия: PowerTrench®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 3.6A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 3.6A, 2.6A  ·  Емкость @ Vds: 650pF @ 10V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 800мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SSOT, SuperSOT-8
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NTHD5902T1ON SemiconductorMOSFET 2N-CH 30V 2.9A CHIPFET
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 2.9A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.5 nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 2.9A  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.1W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-ChipFET™
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NDS9943Fairchild SemiconductorMOSFET N+P 20V 2.8A 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 3A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 3A, 2.8A  ·  Емкость @ Vds: 525pF @ 10V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 900мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SIF912EDZ-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET N-CH 30V 2X5 6-POWERPAK
Серия: TrenchFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 7.4A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 7.4A  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.6W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: PowerPAK® 2x5
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FDY4001CZFairchild SemiconductorMOSFET N/P-CH 20V SC89-6
Серия: PowerTrench®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 200mA, 150mA  ·  Емкость @ Vds: 60pF @ 10V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 446mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-89-6, SOT-666
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BSO315CInfineon TechnologiesMOSFET DUAL N/PCH +/-30V 8-SOIC
Серия: SIPMOS®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 3.4A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11.7nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 3.4A, 2.3A  ·  Емкость @ Vds: 250pF @ 25V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SO-8
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  1 ... 5253545556575859  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте