Войти Регистрация

Дискретные полупроводники · MOSFET транзисторы (сборки)

IRF9952

- Габаритный чертеж

IRF9952 — MOSFET N+P 30V 2.3A 8-SOIC

Производитель	International Rectifier

Серия	HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 2.2A, 10V
Напряжение (Vdss)	30В
Gate Charge (Qg) @ Vgs	14nC @ 10V
Ток @ 25°C	3.5A, 2.3A
Емкость @ Vds	190pF @ 15V
Полярность	N and P-Channel
Особенности	Logic Level Gate
Мощность макcимальная	2Вт
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Корпус	8-SOIC (3.9мм ширина)
Встречается под наим.	*IRF9952

Аналогичные по характеристикам

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	IRF9952QPBF	International Rectifier	MOSFET N/P-CH DUAL 30V 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.5A, 2.3A · Емкость @ Vds: 190pF @ 15V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	IRF9952TR	International Rectifier	MOSFET N+P 30V 2.3A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.5A, 2.3A · Емкость @ Vds: 190pF @ 15V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)		Доп. информация Искать в поставщиках
	IRF9952PBF	International Rectifier	MOSFET N+P 30V 2.3A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.5A, 2.3A · Емкость @ Vds: 190pF @ 15V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	IRF9952TRPBF	International Rectifier	HEX/MOS N/P-CHAN DUAL 30V 8SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.5A, 2.3A · Емкость @ Vds: 190pF @ 15V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Схожие по характеристикам

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	IRF9952QTRPBF	International Rectifier	MOSFET N/P-CH DUAL 30V 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.5A, 2.3A · Емкость @ Vds: 190pF @ 15V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SO-8	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи

Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов

Регистрация • Реклама на сайте