NTHD3100CT3 — MOSFET N/P-CH COMPL 20V CHIPFET
| ||||||||||||||||||||||||
| Войти Регистрация |
|
||||||||||||||||||||||||||
| Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
| NTHD3100CT1 | ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH COMPL 20V CHIPFET Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.9A, 3.2A · Емкость @ Vds: 165pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.1W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-ChipFET™ | Доп. информация Искать в поставщиках | ||
 | NTHD3100CT1G | ON Semiconductor | MOSFET N+P 20V 2.9A CHIPFET Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.9A, 3.2A · Емкость @ Vds: 165pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.1W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-ChipFET™ | от 0,00 от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| NTHD3100CT3G | ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH COMPL 20V CHIPFET Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.9A, 3.2A · Емкость @ Vds: 165pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.1W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-ChipFET™ | Доп. информация Искать в поставщиках |
| © 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |
