 | NTMD2C02R2SG | ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH COMPL 20V 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43 mOhm @ 4A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5.2A, 3.4A · Емкость @ Vds: 1100pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | | Доп. информация
Искать в поставщиках |
| NTMD2C02R2G | ON Semiconductor | MOSFET PWR N/P-CH DUAL 20V 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43 mOhm @ 4A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5.2A, 3.4A · Емкость @ Vds: 1100pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | | Доп. информация
Искать в поставщиках |
