Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
TPCF8402(TE85L) | Toshiba | MOSFET N+P 30V 3.2A VS-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 10V · Ток @ 25°C: 4A, 3.2A · Емкость @ Vds: 470pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 530mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: VS-8 (2-3U1B) | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
TPCF8402(TE85L,F) | Toshiba | MOSFET N/P-CH 30V 3.2A VS-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 10V · Ток @ 25°C: 4A, 3.2A · Емкость @ Vds: 470pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 530mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: VS-8 (2-3U1B) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
TPCF8402(TE85L,F,M | Toshiba | MOSFET N/P-CH 30V 2-3U1B Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 10V · Ток @ 25°C: 4A, 3.2A · Емкость @ Vds: 470pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 530mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
TPCP8201(TE85L,F) | Toshiba | MOSFET N-CH 30V 7.2A 2-3V1K Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.1A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 10V · Ток @ 25°C: 4.2A · Емкость @ Vds: 470pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 580mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
TPCP8202(TE85L,F,M | Toshiba | MOSFET N-CH DUAL 30V 5.5A PS-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 2.8A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 28nC @ 5V · Ток @ 25°C: 5.5A · Емкость @ Vds: 2150pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 580mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSSOP | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
TPCP8203(TE85L,F) | Toshiba | MOSFET N-CH DUAL 40V 4.7A 2-3V1K Напряжение (Vdss): 40В · Ток @ 25°C: 4.7A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 2-3V1K | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
TPCP8301(TE85L,F,M | Toshiba | MOSFET P-CH DUAL 20V 5A PS-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 2.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 5V · Ток @ 25°C: 5A · Емкость @ Vds: 1500pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 580mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: PS-8 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
TPCP8302(TE85L,F) | Toshiba | MOSFET P-CH DUAL 20V 5A 2-3V1G Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 2.5A, 4V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 5V · Ток @ 25°C: 5A · Емкость @ Vds: 1500pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 580mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
TPCP8401(TE85L,F) | Toshiba | MOSFET N/P-CH 20V 2-3V1G Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 10mA, 4V · Напряжение (Vdss): 12В · Ток @ 25°C: 100mA, 5.5A · Емкость @ Vds: 9.3pF @ 3V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
TPCP8402(TE85L,F) | Toshiba | MOSFET N/P-CH 30V 2-3V1G Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.1A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 10V · Ток @ 25°C: 4.2A, 3.4A · Емкость @ Vds: 470pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 580mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
TPCP8402(TE85L,F,M | Toshiba | MOSFET N/P-CH 30V 4.2/3.4A PS-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.1A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 10V · Ток @ 25°C: 4.2A, 3.4A · Емкость @ Vds: 470pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 580mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: PS-8 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
TPCS8204(TE12L,Q,M | Toshiba | MOSFET N-CH DUAL 20V 6A 2-3R1E Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 4.8A, 4V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 5V · Ток @ 25°C: 6A · Емкость @ Vds: 2160pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 600mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
TPCS8205(TE12L) | Toshiba | MOSFET 2N-CH 20V 5A 8-TSSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 4A, 4V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 5V · Ток @ 25°C: 5A · Емкость @ Vds: 760pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 600mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSSOP | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
TPCS8205(TE12L,Q) | Toshiba | MOSFET 2N-CH 20V 5A 8-TSSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 4A, 4V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 5V · Ток @ 25°C: 5A · Емкость @ Vds: 760pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 600mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSSOP | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
TPCS8208(TE12L,Q,M | Toshiba | MOSFET N-CH DUAL 20V 6A 2-3R1E Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 4.8A, 4V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 5V · Ток @ 25°C: 6A · Емкость @ Vds: 2160pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 600mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
TPCS8209(TE12L,Q) | Toshiba | MOSFET 2N-CH 20V 5A 8-TSSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4A, 4V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 5V · Ток @ 25°C: 5A · Емкость @ Vds: 1280pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 600mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSSOP | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
TPCS8209(TE12L,Q,M | Toshiba | MOSFET N-CH DUAL 20V 5A 2-3R1E Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4A, 4V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 5V · Ток @ 25°C: 5A · Емкость @ Vds: 1280pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 600mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
TPCS8210(TE12L,Q) | Toshiba | MOSFET N-CH DUAL 20V 5A 2-3R1E Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4A, 4V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 5V · Ток @ 25°C: 5A · Емкость @ Vds: 1280pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 600mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
TPCS8210(TE12L,Q,M | Toshiba | MOSFET N-CH DUAL 20V 5A 2-3R1E Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4A, 4V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 5V · Ток @ 25°C: 5A · Емкость @ Vds: 1280pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 600mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
TPCS8211(TE12L,Q,M | Toshiba | MOSFET N-CH DUAL 20V 6A 2-3R1E Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 4.8A, 4V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 5V · Ток @ 25°C: 6A · Емкость @ Vds: 1590pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 600mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
TPCS8212(TE12L,Q,M | Toshiba | MOSFET N-CH DUAL 20V 6A 2-3R1E Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 4.8A, 4V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 5V · Ток @ 25°C: 6A · Емкость @ Vds: 1590pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 600mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
TPCS8213(TE12L,Q) | Toshiba | MOSFET N-CH DUAL 20V 6A 8-TSSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 4.8A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 48nC @ 5V · Ток @ 25°C: 6A · Емкость @ Vds: 3140pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 350mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSSOP | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
TPCS8214(TE12L,Q) | Toshiba | MOSFET N-CH DUAL 30V 6A 2-3R1E Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 4.8A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 42nC @ 5V · Ток @ 25°C: 6A · Емкость @ Vds: 3240pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 600mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
TPCS8302(TE12L,Q) | Toshiba | MOSFET P-CH DUAL 20V 5A 2-3R1E Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 2.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 28.5nC @ 5V · Ток @ 25°C: 5A · Емкость @ Vds: 1590pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 600mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
TPCS8302(TE12L,Q,M | Toshiba | MOSFET P-CH DUAL 20V 5A 2-3R1E Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 2.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 28.5nC @ 5V · Ток @ 25°C: 5A · Емкость @ Vds: 1590pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 600mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |