Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
STC5NF30V | STMicroelectronics | MOSFET 2N-CH 30V 5A 8-TSSOP Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 2.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5A · Емкость @ Vds: 460pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.5Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSSOP | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
STC6NF30V | STMicroelectronics | MOSFET 2N-CH 30V 6A 8-TSSOP Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 3A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9nC @ 2.5V · Ток @ 25°C: 6A · Емкость @ Vds: 800pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.5Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSSOP | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
STS10DN3LH5 | STMicroelectronics | MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.6nC @ 5V · Ток @ 25°C: 10A · Емкость @ Vds: 475pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2.5Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
STS1DNC45 | STMicroelectronics | MOSFET N-CHAN 450V 0.4A 8-SOIC Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 Ohm @ 500mA, 10V · Напряжение (Vdss): 450V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 10V · Ток @ 25°C: 400mA · Емкость @ Vds: 160pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 1.6W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
STS2DNF30L | STMicroelectronics | MOSFET N-CHAN DUAL 30V 3A 8-SOIC Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 1A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.5nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3A · Емкость @ Vds: 121pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
STS2DPF80 | STMicroelectronics | MOSFET P-CH DUAL 80V 2.3A 8-SOIC Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 1A, 10V · Напряжение (Vdss): 80V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2A · Емкость @ Vds: 739pF @ 25V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2.5Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
STS3C2F100 | STMicroelectronics | MOSFET N-CHAN 100V 3A 8-SOIC Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145 mOhm @ 1.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3A · Емкость @ Vds: 460pF @ 25V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
STS3DNE60L | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 3A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 1.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 3A · Емкость @ Vds: 815pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
STS3DPF60L | STMicroelectronics | MOSFET 2P-CH 60V 3A 8-SOIC Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 1.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15.7nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 3A · Емкость @ Vds: 630pF @ 25V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
STS4C3F60L | STMicroelectronics | MOSFET N+P 60V 3A 8-SOIC Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 2A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20.4nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 4A, 3A · Емкость @ Vds: 1030pF @ 25V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
STS4DNF30L | STMicroelectronics | MOSFET N-CHAN DUAL 30V 4A 8-SOIC Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9nC @ 10V · Ток @ 25°C: 4A · Емкость @ Vds: 330pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
STS4DNF60 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 4A 8-SOIC Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 10V · Ток @ 25°C: 4A · Емкость @ Vds: 315pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
STS4DNF60L | STMicroelectronics | MOSFET 2N-CH 60V 4A 8-SOIC Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 2A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 4A · Емкость @ Vds: 1030pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
STS4DPF20L | STMicroelectronics | MOSFET P-CH DUAL 20V 4A 8-SOIC Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2A, 10V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 5V · Ток @ 25°C: 4A · Емкость @ Vds: 1350pF @ 25V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
STS4DPF30L | STMicroelectronics | MOSFET 2P-CH 30V 4A 8-SOIC Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 5V · Ток @ 25°C: 4A · Емкость @ Vds: 1350pF @ 25V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
STS5DNF20V | STMicroelectronics | MOSFET 2N-CH 20V 5A 8-SOIC Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 2.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5A · Емкость @ Vds: 460pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
STS5DPF20L | STMicroelectronics | MOSFET P-CHAN 20V 5A 8SOIC Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 2.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 5V · Ток @ 25°C: 5A · Емкость @ Vds: 1350pF @ 16V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.6W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
STS7C4F30L | STMicroelectronics | MOSFET N+P 30V 4/7A 8-SOIC Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 3.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 23nC @ 5V · Ток @ 25°C: 7A, 4A · Емкость @ Vds: 1050pF @ 25V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
STS8C5H30L | STMicroelectronics | MOSFET N+P 30V 8A/4.2A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 4A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 5V · Ток @ 25°C: 8A, 5.4A · Емкость @ Vds: 857pF @ 25V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
STS8DNF3LL | STMicroelectronics | MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 4A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 5V · Ток @ 25°C: 8A · Емкость @ Vds: 800pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.6W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
STS8DNH3LL | STMicroelectronics | MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 4A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 8A · Емкость @ Vds: 857pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
STS9D8NH3LL | STMicroelectronics | MOSFET DUAL N-CHAN 30V 9A 8-SOIC Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 4A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 8A, 9A · Емкость @ Vds: 857pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
TPC6201(TE85L) | Toshiba | MOSFET N-CH 30V 2.5A VS-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 1.3A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.7nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2.5A · Емкость @ Vds: 170pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 400мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: VS-6 (SOT-23-6) | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
TPC6201(TE85L,F) | Toshiba | MOSFET N-CH DUAL 30V 2.5A VS-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 1.3A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.7nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2.5A · Емкость @ Vds: 170pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 400мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: VS-6 (SOT-23-6) | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
TPC8207(TE12L) | Toshiba | MOSFET N-CH 20V 6A 8-SOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 4.8A, 4V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 5V · Ток @ 25°C: 6A · Емкость @ Vds: 2010pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 750мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOP | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |