Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (сборки, Pre-Biased)

Производитель





Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)












Сопротивление базы (Ом)





























Сопротивление эмитер - база (Ом)






















Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce





















































































Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic

















































Ток коллектора (макс)















Ток отсечки коллетора (vfrc)







Модуляция частот




















Мощность макcимальная
















Тип транзистора





Корпус
























 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
EMB3T2REMB3T2RRohm SemiconductorTRANS DUAL PNP 50V 100MA EMT6
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 4.7K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 5mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: EMT6
от 10,58Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
EMB4T2REMB4T2RRohm SemiconductorTRANS DUAL PNP 50V 100MA EMT6
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 10K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: EMT6
от 12,45
до 53,04
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
EMB6T2REMB6T2RRohm SemiconductorTRANS DUAL PNP 50V 50MA EMT6 TR
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 47K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 30mA  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: EMT6
от 10,58Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
EMB9T2REMB9T2RRohm SemiconductorTRANS DUAL PNP 50V 70MA EMT6
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 10K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 2.1K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: EMT6
от 12,45
до 53,04
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
EMC2DXV5T1ON SemiconductorTRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT553
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 22K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SOT-553, SOT-5
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
EMC2DXV5T1GEMC2DXV5T1GON SemiconductorTRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT553
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 22K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SOT-553, SOT-5
от 10,95
до 34,24
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
EMC4DXV5T1GON SemiconductorTRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT553
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 10K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 2.1K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SOT-553, SOT-5
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
EMC5DXV5T1ON SemiconductorTRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT553
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 4.7K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SOT-553, SOT-5
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
EMC5DXV5T1GEMC5DXV5T1GON SemiconductorTRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT553
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 4.7K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SOT-553, SOT-5
от 12,03
до 39,20
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
EMD12T2REMD12T2RRohm SemiconductorTRANS PNP/NPN 50V 30MA EMT6
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 47K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: EMT6
от 12,45
до 53,04
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
EMD22T2REMD22T2RRohm SemiconductorTRANS PRE-BIASED 50V 100MA EMT6
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 4.7K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: EMT6
от 9,80Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
EMD29T2REMD29T2RRohm SemiconductorTRANS COMPLEX DGTL PNP/NPN EMT6
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12V, 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 1K, 10K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K, 10K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V / 30 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA / 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA, 100mA  ·  Модуляция частот: 260MHz, 250MHz  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: EMT6
от 9,34
до 11,99
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
EMD2T2REMD2T2RRohm SemiconductorTRANS PNP/NPN 50V 30MA EMT6
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 22K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: EMT6
от 12,45
до 53,04
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
EMD3T2REMD3T2RRohm SemiconductorTRANS PNP/NPN 50V 50MA EMT6
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 10K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: EMT6
от 7,84
до 10,61
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
EMD4DXV6T1GON SemiconductorTRANS BRT NPN/PNP DL 50V SOT-563
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 10K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 2.1K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SOT-563
от 7,33Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
EMD4DXV6T5GON SemiconductorTRANS BRT NPN/PNP DL 50V SOT-563
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 10K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 2.1K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SOT-563
от 7,33Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
EMD4T2REMD4T2RRohm SemiconductorTRANS COMPLEX DGTL PNP/NPN EMT6
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 47K, 10K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K, 47K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 250µA, 5mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: EMT6
от 12,45
до 53,04
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
EMD5DXV6T1ON SemiconductorTRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 4.7K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20, 80 @ 5mA, 10V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SOT-563
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
EMD5DXV6T1GON SemiconductorTRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 4.7K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20, 80 @ 5mA, 10V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SOT-563
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
EMD5DXV6T5GON SemiconductorTRANS BRT NPN/PNP DL 50V SOT-563
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 4.7K, 47K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 2.2K, 47K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V / 80 @ 5mA, 10V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SOT-563
от 7,33Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
EMD5T2REMD5T2RRohm SemiconductorTRANS COMPLEX DGTL PNP/NPN EMT6
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 47K, 4.7K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K, 10K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V / 30 @ 10mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA,  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: EMT6
от 12,45
до 53,04
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
EMD6T2REMD6T2RRohm SemiconductorTRANS PNP/NPN 50V 100MA EMT6
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 4.7K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: EMT6
от 12,45
до 53,04
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
EMD9T2REMD9T2RRohm SemiconductorTRANS PNP/NPN 50V 70MA EMT6
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 10K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: EMT6
от 7,84
до 10,61
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
EMF18XV6T5GON SemiconductorTRANS BRT NPN/PNP DL 50V SOT-563
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V, 60V  ·  Сопротивление базы (Ом): 47K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 1mA, 6V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 140MHz  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SOT-563
от 12,91Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
EMF21-7EMF21-7Diodes IncTRANS ARRAY COMPLEX 300MW SOT563
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12V, 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 10K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V / 30 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA / 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA, 100mA  ·  Модуляция частот: 280MHz, 250MHz  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: 1 NPN Prebiased, 1 PNP  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SOT-563
от 21,79
до 57,65
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  1 ... 45678910 ... 35  Ctrl →

© 2006 — 2020 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте