Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (сборки, Pre-Biased)

 

EMD4DXV6T5G — TRANS BRT NPN/PNP DL 50V SOT-563

ПроизводительON Semiconductor
Вредные веществаRoHS   Без свинца
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)50V
Сопротивление базы (Ом)10K
Сопротивление эмитер - база (Ом)2.1K
Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce80 @ 5mA, 10V
Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic250mV @ 300µA, 10mA
Ток коллектора (макс)100mA
Ток отсечки коллетора (vfrc)500nA
Мощность макcимальная500мВт
Тип транзистора1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting TypeSurface Mount
КорпусSOT-563
Аналогичные по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
EMD4DXV6T1GON SemiconductorTRANS BRT NPN/PNP DL 50V SOT-563
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 10K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 2.1K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SOT-563
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках

Схожие по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
NSBC114YPDXV6T1GNSBC114YPDXV6T1GON SemiconductorTRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 10K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SOT-563
от 0,00
от 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
NSBC114YPDXV6T1ON SemiconductorTRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 10K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SOT-563
Доп. информация
Искать в поставщиках
EMC4DXV5T1GON SemiconductorTRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT553
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 10K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 2.1K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SOT-553, SOT-5
Доп. информация
Искать в поставщиках
NSBC114YPDXV6T5GON SemiconductorTRANS BRT DUAL COMPL 50V SOT-563
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 10K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SOT-563
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «EMD4DXV6T5G» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  


© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте