Производитель: Rohm Semiconductor  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  •  Сопротивление базы (Ом): 10K  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V  •  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA  •  Ток коллектора (макс): 100mA  •  Модуляция частот: 250MHz  •  Мощность макcимальная: 150mW  •  Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Корпус: EMT6  •  Встречается под наим.: EMB4T2R-ND, EMB4T2RTR