EMC5DXV5T1G | Дискретные полупроводники (Discrete Semiconductor Products) | Биполярные транзисторы (сборки, Pre-Biased) (Transistors (BJT) - Arrays, Pre-Biased) | Каталог компонентов

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 4.7K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Мощность макcимальная: 500мВт · Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SOT-553, SOT-5

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	EMC5DXV5T1	ON Semiconductor	TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT553 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 4.7K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Мощность макcимальная: 500мВт · Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SOT-553, SOT-5		Доп. информация Искать в поставщиках

Дискретные полупроводники · Биполярные транзисторы (сборки, Pre-Biased)

EMC5DXV5T1G — TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT553

Аналогичные по характеристикам