Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (сборки, Pre-Biased)

 
EMD29T2R

- Дополнительное фото
- Габаритный чертеж

EMD29T2R — TRANS COMPLEX DGTL PNP/NPN EMT6

ПроизводительRohm Semiconductor
Вредные веществаRoHS   Без свинца
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)12V, 50V
Сопротивление базы (Ом)1K, 10K
Сопротивление эмитер - база (Ом)10K, 10K
Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce140 @ 100mA, 2V / 30 @ 5mA, 5V
Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic300mV @ 5mA, 100mA / 300mV @ 500µA, 10mA
Ток коллектора (макс)500mA, 100mA
Модуляция частот260MHz, 250MHz
Мощность макcимальная150mW
Тип транзистора1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting TypeSurface Mount
КорпусEMT6
Встречается под наим.EMD29T2RDKR
Поискать «EMD29T2R» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  


© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте