Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
PEMH20,115 | NXP Semiconductors | TRANS NPN W/RES DUAL SOT666 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 2.2K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 2.2K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SS Mini-6 (SOT-666) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PUMD3,135 | NXP Semiconductors | TRANS ARRAY NPN/PNP SOT-363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PUMD20,115 | NXP Semiconductors | TRANS PREBIASED DUAL SOT666 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 2.2K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 2.2K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PBLS4003Y,115 | NXP Semiconductors | LOADSWITCH PNP 40V 500MA SOT363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40V, 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V / 30 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 10mA, 200mA / 150mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA, 500mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA · Модуляция частот: 300MHz · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PBLS4001V,115 | NXP Semiconductors | LOADSWITCH PNP 40V 500MA SOT666 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40V, 50V · Сопротивление базы (Ом): 2.2K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 2.2K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 2V / 30 @ 20mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 130mV @ 5mA, 100mA / 150mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SS Mini-6 (SOT-666) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PUMD9,135 | NXP Semiconductors | TRANS NPN/PNP 50V 100MA SOT363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PUMH11,115 | NXP Semiconductors | TRANS PREBIASED DUAL NPN SOT666 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PBLS6005D,115 | NXP Semiconductors | LOADSWITCH PNP 60V 1A SOT457 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V, 60V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 5V / 80 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 50mA, 500mA / 150mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA, 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA, 1µA · Модуляция частот: 185MHz · Мощность макcимальная: 600mW · Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SC-74-6 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PUMD48,125 | NXP Semiconductors | TRANS ARRAY NPN/PNP SOT-363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K, 2.2K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K, 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V / 100 @ 10mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 100mV @ 250µA, 5mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PUMD3,115 | NXP Semiconductors | TRANS NPN/PNP 50V 100MA SOT363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PEMD20,115 | NXP Semiconductors | TRANS PREBIASED DUAL SOT666 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 2.2K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 2.2K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SS Mini-6 (SOT-666) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PEMB4,115 | NXP Semiconductors | TRANS PNP/PNP 50V 100MA SOT666 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SS Mini-6 (SOT-666) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PUMD13,115 | NXP Semiconductors | TRANS NPN/PNP 50V 100MA SOT363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 4.7K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PUMD18,115 | NXP Semiconductors | TRANS PREBIASED DUAL SOT666 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 4.7K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PEMD14,115 | NXP Semiconductors | TRANS PREBIASED DUAL SOT666 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SS Mini-6 (SOT-666) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PBLS4001Y,115 | NXP Semiconductors | LOADSWITCH PNP 40V 500MA SOT363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40V, 50V · Сопротивление базы (Ом): 2.2K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 2.2K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 2V / 30 @ 20mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 130mV @ 5mA, 100mA / 150mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA · Модуляция частот: 300MHz · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PUMF12,115 | NXP Semiconductors | TRANS PNP 50V 100MA SOT363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 22K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V / 120 @ 1mA, 6V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 200mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 100mA, 200mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA, 10µA · Модуляция частот: 100MHz · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PEMF21,115 | NXP Semiconductors | LOADSWITCH PNP 12V 500MA SOT666 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12V, 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 2V / 30 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA / 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA, 500mA · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SS Mini-6 (SOT-666) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PIMC31,115 | NXP Semiconductors | TRANS ARRAY NPN/PNP SC-74 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 1K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Мощность макcимальная: 290mW · Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SC-74-6 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PEMD4,115 | NXP Semiconductors | TRANS NPN/PNP 50V 100MA SOT666 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SS Mini-6 (SOT-666) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PEMH2,115 | NXP Semiconductors | TRANS NPN/NPN 50V 100MA SOT666 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SS Mini-6 (SOT-666) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PEMH13,115 | NXP Semiconductors | TRANS NPN/NPN 50V 100MA SOT666 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 4.7K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SS Mini-6 (SOT-666) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PBLS4002Y,115 | NXP Semiconductors | LOADSWITCH PNP 40V 500MA SOT363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40V, 50V · Сопротивление базы (Ом): 4.7K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 4.7K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 2V / 30 @ 10mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 130mV @ 5mA, 100mA / 150mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA, 500mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA · Модуляция частот: 300MHz · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PBLS1504Y,115 | NXP Semiconductors | LOADSWITCH PNP 15V 500MA SOT363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V, 50V · Сопротивление базы (Ом): 22K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 2V / 60 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 10mA, 200mA / 150mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA, 500mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Модуляция частот: 280MHz · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PUMH4,115 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 50V 100MA SOT363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |