|
- Габаритный чертеж |
EMD5T2R — TRANS COMPLEX DGTL PNP/NPN EMT6
Производитель | Rohm Semiconductor |
Вредные вещества | RoHS Без свинца |
| Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.) | 50V |
Сопротивление базы (Ом) | 47K, 4.7K |
Сопротивление эмитер - база (Ом) | 47K, 10K |
Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V / 30 @ 10mA, 5V |
Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA, |
Ток коллектора (макс) | 100mA |
Модуляция частот | 250MHz |
Мощность макcимальная | 150mW |
Тип транзистора | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Mounting Type | Surface Mount |
Корпус | EMT6 |
Встречается под наим. | EMD5T2RTR |
|
|