Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
BG 3230 E6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363 Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual) · Частота: 800MHz · Усиление: 24dB · Номинальное напряжение: 8V · Номинал тока: 25mA · Коэффициент шума: 1.3dB · Напряжение - тестовое: 5V · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
J310RLRP | ON Semiconductor | MOSFET VHF/UHF N-CH 25V TO-92 Тип транзистора: N-Channel JFET · Частота: 100MHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 25V · Номинал тока: 60mA · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 10V · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
NE651R479A-A | NEC | HJ-FET GAAS 1.9GHZ 1W 79A Тип транзистора: HFET · Частота: 1.9GHz · Усиление: 12dB · Номинальное напряжение: 8V · Номинал тока: 1A · Ток - тестовый: 50mA · Напряжение - тестовое: 3.5V · P1dB: 27dBm · Корпус: 79A | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
MRF19125R3 | Freescale Semiconductor | IC MOSFET RF N-CHAN NI-880 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 1.93GHz · Усиление: 13.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.3A · Напряжение - тестовое: 24V · P1dB: 24Вт · Корпус: NI-880 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
TGF2022-12 | Triquint Semiconductor Inc | IC TRANS PHEMT 20GHZ 1.2MM DIE Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 10GHz · Усиление: 12.9dB · Номинальное напряжение: 12.5V · Номинал тока: 564mA · Ток - тестовый: 90mA · Напряжение - тестовое: 10V · P1dB: 31.9dBm · Корпус: Die | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
PTFA080551F V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 55W H-37265-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 960MHz · Усиление: 18.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 600mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 55Вт | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
TGF2022-24 | Triquint Semiconductor Inc | IC TRANS PHEMT 20GHZ 2.4MM DIE Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 10GHz · Усиление: 12.9dB · Номинальное напряжение: 12.5V · Номинал тока: 1.12A · Ток - тестовый: 180mA · Напряжение - тестовое: 10V · P1dB: 34.9dBm · Корпус: Die | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
PTFA091201HL V1 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 120W PG-64248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 960MHz · Усиление: 18.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 750mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 110Вт | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BLF4G20S-110B,112 | NXP Semiconductors | BASESTATION FINAL 2GHZ SOT502B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.93GHz · Усиление: 13.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 12A · Ток - тестовый: 700mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 100Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
SHF-0289 | Sirenza Microdevices Inc | IC HFET ALGAAS/GAAS 1W SOT-89 Тип транзистора: HFET · Частота: 1.96GHz · Усиление: 20dB · Номинальное напряжение: 9V · Номинал тока: 400mA · Коэффициент шума: 4dB · Ток - тестовый: 200mA · Напряжение - тестовое: 7V · P1dB: 30.2dBm · Корпус: SOT-89 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
MRF5S19150HSR5 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CHAN 28V 32W NI-880S Тип транзистора: N-Channel · Частота: 1.99GHz · Усиление: 14dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.4A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 32Вт · Корпус: NI-880S | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
TGF2961-SD-T/R | Triquint Semiconductor Inc | IC 1W DC-4GHZ HFET SOT-89 Тип транзистора: HFET · Частота: 900MHz · Усиление: 18dB · Номинальное напряжение: 17В · Номинал тока: 780mA · Коэффициент шума: 3.3dB · Ток - тестовый: 200mA · Напряжение - тестовое: 8V · P1dB: 29.5dBm · Корпус: SOT-89 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
MRF5S19150HSR3 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CHAN 28V 32W NI-880S Тип транзистора: N-Channel · Частота: 1.99GHz · Усиление: 14dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.4A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 32Вт · Корпус: NI-880S | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
PTFA041501HL V1 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 150W PG-64248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 470MHz · Усиление: 21dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 1µA · Ток - тестовый: 900mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 150Вт | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BLF6G10LS-200,112 | NXP Semiconductors | IC BASESTATION FINAL SOT502B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 871.5MHz · Усиление: 20.2dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 49A · Ток - тестовый: 1.4A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 40Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
SPF-2086TK | Sirenza Microdevices Inc | IC TRANS PHEMT 6GHZ SOT-86 Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 4GHz · Усиление: 18.7dB · Номинальное напряжение: 7V · Номинал тока: 140mA · Коэффициент шума: 0.5dB · Ток - тестовый: 40mA · Напряжение - тестовое: 5V · P1dB: 20dBm · Корпус: SOT-86 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
NE25118 | NEC | FET 900MHZ SOT-343 Тип транзистора: Dual Gate MESFET · Частота: 900MHz · Усиление: 20dB · Номинальное напряжение: 13V · Номинал тока: 40mA · Коэффициент шума: 1.1dB · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 5V · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BLF4G20LS-130,112 | NXP Semiconductors | BASESTATION FINAL 2GHZ SOT502B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.93GHz · Усиление: 14.6dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 15A · Ток - тестовый: 900mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 130Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
NE34018-A | NEC | AMP HJ-FET 2GHZ SOT-343 Тип транзистора: HFET · Частота: 2GHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 4V · Номинал тока: 120mA · Коэффициент шума: 0.6dB · Ток - тестовый: 5mA · Напряжение - тестовое: 2V · P1dB: 12dBm · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BLF4G10LS-120,112 | NXP Semiconductors | BASESTATION FINAL 1GHZ SOT502B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 920MHz · Усиление: 19dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 12A · Ток - тестовый: 650mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 48W · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
MRF6S19060MR1 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CH 28V 12W TO270-4 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 1.93GHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 68V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 610mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 2Вт · Корпус: TO-270-4 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
MRF6S9060MBR1 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CH 28V 14W TO-272-2 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 880MHz · Усиление: 21.4dB · Номинальное напряжение: 68V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 450mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 14Вт · Корпус: TO-272-2 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
ATF-55143-TR1 | Avago Technologies US Inc. | IC TRANS E-PHEMT 2GHZ SOT-343 Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 2GHz · Усиление: 17.7dB · Номинальное напряжение: 5V · Номинал тока: 100mA · Коэффициент шума: 0.6dB · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 2.7V · P1dB: 14.4dBm · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BLF4G22LS-130,112 | NXP Semiconductors | BASESTATION FINAL 2.2GHZ SOT502B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.11GHz · Усиление: 13.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 15A · Ток - тестовый: 1.15A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 33W · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
TGF2021-08 | Triquint Semiconductor Inc | IC TRANS PHEMT 12GHZ 8MM DIE Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 10GHz · Усиление: 11dB · Номинальное напряжение: 12.5V · Номинал тока: 3.8A · Ток - тестовый: 600mA · Напряжение - тестовое: 10V · P1dB: 39.8dBm · Корпус: Die | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |