Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные полевые канальные транзисторы

Производитель














Серия
Тип транзистора













Частота
































































































Усиление



























































































Номинальное напряжение







































Номинал тока




















































































































Коэффициент шума
































Ток - тестовый












































































Напряжение - тестовое






























P1dB




































































































































Корпус






































































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
BG 3230 E6327BG 3230 E6327Infineon TechnologiesMOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363
Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual)  ·  Частота: 800MHz  ·  Усиление: 24dB  ·  Номинальное напряжение: 8V  ·  Номинал тока: 25mA  ·  Коэффициент шума: 1.3dB  ·  Напряжение - тестовое: 5V  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
J310RLRPJ310RLRPON SemiconductorMOSFET VHF/UHF N-CH 25V TO-92
Тип транзистора: N-Channel JFET  ·  Частота: 100MHz  ·  Усиление: 16dB  ·  Номинальное напряжение: 25V  ·  Номинал тока: 60mA  ·  Ток - тестовый: 10mA  ·  Напряжение - тестовое: 10V  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NE651R479A-ANE651R479A-ANECHJ-FET GAAS 1.9GHZ 1W 79A
Тип транзистора: HFET  ·  Частота: 1.9GHz  ·  Усиление: 12dB  ·  Номинальное напряжение: 8V  ·  Номинал тока: 1A  ·  Ток - тестовый: 50mA  ·  Напряжение - тестовое: 3.5V  ·  P1dB: 27dBm  ·  Корпус: 79A
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF19125R3Freescale SemiconductorIC MOSFET RF N-CHAN NI-880
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 1.93GHz  ·  Усиление: 13.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1.3A  ·  Напряжение - тестовое: 24V  ·  P1dB: 24Вт  ·  Корпус: NI-880
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TGF2022-12Triquint Semiconductor IncIC TRANS PHEMT 20GHZ 1.2MM DIE
Тип транзистора: pHEMT FET  ·  Частота: 10GHz  ·  Усиление: 12.9dB  ·  Номинальное напряжение: 12.5V  ·  Номинал тока: 564mA  ·  Ток - тестовый: 90mA  ·  Напряжение - тестовое: 10V  ·  P1dB: 31.9dBm  ·  Корпус: Die
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA080551F V1Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 55W H-37265-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 960MHz  ·  Усиление: 18.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 600mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 55Вт
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TGF2022-24Triquint Semiconductor IncIC TRANS PHEMT 20GHZ 2.4MM DIE
Тип транзистора: pHEMT FET  ·  Частота: 10GHz  ·  Усиление: 12.9dB  ·  Номинальное напряжение: 12.5V  ·  Номинал тока: 1.12A  ·  Ток - тестовый: 180mA  ·  Напряжение - тестовое: 10V  ·  P1dB: 34.9dBm  ·  Корпус: Die
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA091201HL V1 R250Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 120W PG-64248-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 960MHz  ·  Усиление: 18.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 750mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 110Вт
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF4G20S-110B,112BLF4G20S-110B,112NXP SemiconductorsBASESTATION FINAL 2GHZ SOT502B
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 1.93GHz  ·  Усиление: 13.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 12A  ·  Ток - тестовый: 700mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 100Вт  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SHF-0289SHF-0289Sirenza Microdevices IncIC HFET ALGAAS/GAAS 1W SOT-89
Тип транзистора: HFET  ·  Частота: 1.96GHz  ·  Усиление: 20dB  ·  Номинальное напряжение: 9V  ·  Номинал тока: 400mA  ·  Коэффициент шума: 4dB  ·  Ток - тестовый: 200mA  ·  Напряжение - тестовое: 7V  ·  P1dB: 30.2dBm  ·  Корпус: SOT-89
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF5S19150HSR5Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CHAN 28V 32W NI-880S
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 1.99GHz  ·  Усиление: 14dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1.4A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 32Вт  ·  Корпус: NI-880S
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TGF2961-SD-T/RTGF2961-SD-T/RTriquint Semiconductor IncIC 1W DC-4GHZ HFET SOT-89
Тип транзистора: HFET  ·  Частота: 900MHz  ·  Усиление: 18dB  ·  Номинальное напряжение: 17В  ·  Номинал тока: 780mA  ·  Коэффициент шума: 3.3dB  ·  Ток - тестовый: 200mA  ·  Напряжение - тестовое: 8V  ·  P1dB: 29.5dBm  ·  Корпус: SOT-89
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF5S19150HSR3Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CHAN 28V 32W NI-880S
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 1.99GHz  ·  Усиление: 14dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1.4A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 32Вт  ·  Корпус: NI-880S
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA041501HL V1 R250Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 150W PG-64248-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 470MHz  ·  Усиление: 21dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 1µA  ·  Ток - тестовый: 900mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 150Вт
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF6G10LS-200,112BLF6G10LS-200,112NXP SemiconductorsIC BASESTATION FINAL SOT502B
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 871.5MHz  ·  Усиление: 20.2dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 49A  ·  Ток - тестовый: 1.4A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 40Вт  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SPF-2086TKSPF-2086TKSirenza Microdevices IncIC TRANS PHEMT 6GHZ SOT-86
Тип транзистора: pHEMT FET  ·  Частота: 4GHz  ·  Усиление: 18.7dB  ·  Номинальное напряжение: 7V  ·  Номинал тока: 140mA  ·  Коэффициент шума: 0.5dB  ·  Ток - тестовый: 40mA  ·  Напряжение - тестовое: 5V  ·  P1dB: 20dBm  ·  Корпус: SOT-86
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NE25118NE25118NECFET 900MHZ SOT-343
Тип транзистора: Dual Gate MESFET  ·  Частота: 900MHz  ·  Усиление: 20dB  ·  Номинальное напряжение: 13V  ·  Номинал тока: 40mA  ·  Коэффициент шума: 1.1dB  ·  Ток - тестовый: 10mA  ·  Напряжение - тестовое: 5V  ·  Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF4G20LS-130,112BLF4G20LS-130,112NXP SemiconductorsBASESTATION FINAL 2GHZ SOT502B
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 1.93GHz  ·  Усиление: 14.6dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 15A  ·  Ток - тестовый: 900mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 130Вт  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NE34018-ANE34018-ANECAMP HJ-FET 2GHZ SOT-343
Тип транзистора: HFET  ·  Частота: 2GHz  ·  Усиление: 16dB  ·  Номинальное напряжение: 4V  ·  Номинал тока: 120mA  ·  Коэффициент шума: 0.6dB  ·  Ток - тестовый: 5mA  ·  Напряжение - тестовое: 2V  ·  P1dB: 12dBm  ·  Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF4G10LS-120,112BLF4G10LS-120,112NXP SemiconductorsBASESTATION FINAL 1GHZ SOT502B
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 920MHz  ·  Усиление: 19dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 12A  ·  Ток - тестовый: 650mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 48W  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF6S19060MR1Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 28V 12W TO270-4
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 1.93GHz  ·  Усиление: 16dB  ·  Номинальное напряжение: 68V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 610mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 2Вт  ·  Корпус: TO-270-4
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF6S9060MBR1Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 28V 14W TO-272-2
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 880MHz  ·  Усиление: 21.4dB  ·  Номинальное напряжение: 68V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 450mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 14Вт  ·  Корпус: TO-272-2
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ATF-55143-TR1ATF-55143-TR1Avago Technologies US Inc.IC TRANS E-PHEMT 2GHZ SOT-343
Тип транзистора: pHEMT FET  ·  Частота: 2GHz  ·  Усиление: 17.7dB  ·  Номинальное напряжение: 5V  ·  Номинал тока: 100mA  ·  Коэффициент шума: 0.6dB  ·  Ток - тестовый: 10mA  ·  Напряжение - тестовое: 2.7V  ·  P1dB: 14.4dBm  ·  Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF4G22LS-130,112BLF4G22LS-130,112NXP SemiconductorsBASESTATION FINAL 2.2GHZ SOT502B
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2.11GHz  ·  Усиление: 13.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 15A  ·  Ток - тестовый: 1.15A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 33W  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TGF2021-08Triquint Semiconductor IncIC TRANS PHEMT 12GHZ 8MM DIE
Тип транзистора: pHEMT FET  ·  Частота: 10GHz  ·  Усиление: 11dB  ·  Номинальное напряжение: 12.5V  ·  Номинал тока: 3.8A  ·  Ток - тестовый: 600mA  ·  Напряжение - тестовое: 10V  ·  P1dB: 39.8dBm  ·  Корпус: Die
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  1 ... 4243444546474849  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте