Войти    Регистрация
ChipFind поиск электронных компонентов
 
   
Классический дизайн
Документация
Характеристики

BLF4G10LS-120,112 — BASESTATION FINAL 1GHZ SOT502B

Производитель: NXP Semiconductors  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Тип транзистора: LDMOS  •  Частота: 920MHz  •  Усиление: 19dB  •  Номинальное напряжение: 65V  •  Номинал тока: 12A  •  Ток - тестовый: 650mA  •  Напряжение - тестовое: 28V  •  P1dB: 48W  •  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B  •  Встречается под наим.: 568-2404, BLF4G10LS-120, BLF4G10LS-120-ND
Архив документации

   






Поставщики «BLF4G10LS-120,112»

ПоставщикНаименованиеПроизводительЦенаСклад
АО "Контест"BLF4G10LS-120,112
BASESTATION FINAL 1GHZ SOT502B Подробнее
NXP Semiconductors
ООО "ЕВРОМАШ ЭК"BLF4G10LS-120,112 1821, 7-10 дней
BLF4G10LS-120,112 1756, 7-10 дней
ООО "Интегральные схемы"BLF4G10LS-120,112 3686, 7-10 дней
BLF4G10LS-120,112 1937, 7-10 дней
АбтрониксBLF4G10LS-120,112
BASESTATION FINAL 1GHZ SOT502B Подробнее
от 3-4 недель
ПромрэкBLF4G10LS-120,112
Description : BASESTATION FINAL 1GHZ SOT502B Подробнее PDF
NXP Semiconductors


Контактная информация

КомпанияОфисТелефоныE-mailОтзывы 
АбтрониксМосква(495) 221-8668, Факс: (495) 221-86689  12 Скрыть
АО "Контест"Москва(495) 150-88-73, Факс: (495) 150-88-736  27 Скрыть
Воронеж(473) 239-22-32
ООО "ЕВРОМАШ ЭК"Санкт-Петербург(812) 309-89-320  0 Скрыть
ООО "Интегральные схемы"Санкт-Петербург(812) 448-53-820  0 Скрыть
ПромрэкСанкт-Петербург(812) 384-69-080  0 Скрыть
«BLF4G10LS-120,112» в eFind, eInfo, Google, Яндекс, Datasheet Archive
Поставщиков: 1740 отечественных и 430 зарубежных
Помощь   Настройки дизайна   Скрытые поставщики
Реклама на сайте   Разместить прайс-лист   Контакты
Распечатать