Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные полевые канальные транзисторы

Производитель














Серия
Тип транзистора













Частота
































































































Усиление



























































































Номинальное напряжение







































Номинал тока




















































































































Коэффициент шума
































Ток - тестовый












































































Напряжение - тестовое






























P1dB




































































































































Корпус






































































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
TGF2960-SD-T/RTGF2960-SD-T/RTriquint Semiconductor IncIC .5W DC-5.0GHZ HFET SOT-89
Тип транзистора: HFET  ·  Частота: 900MHz  ·  Усиление: 19dB  ·  Номинальное напряжение: 17В  ·  Номинал тока: 390mA  ·  Коэффициент шума: 3.7dB  ·  Ток - тестовый: 100mA  ·  Напряжение - тестовое: 8V  ·  P1dB: 27dBm  ·  Корпус: SOT-89
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF5S19150HSR3Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CHAN 28V 32W NI-880S
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 1.99GHz  ·  Усиление: 14dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1.4A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 32Вт  ·  Корпус: NI-880S
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA041501HL V1 R250Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 150W PG-64248-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 470MHz  ·  Усиление: 21dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 1µA  ·  Ток - тестовый: 900mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 150Вт
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF6G10LS-200,112BLF6G10LS-200,112NXP SemiconductorsIC BASESTATION FINAL SOT502B
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 871.5MHz  ·  Усиление: 20.2dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 49A  ·  Ток - тестовый: 1.4A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 40Вт  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF6S19060MR1Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 28V 12W TO270-4
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 1.93GHz  ·  Усиление: 16dB  ·  Номинальное напряжение: 68V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 610mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 2Вт  ·  Корпус: TO-270-4
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF6S9060MBR1Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 28V 14W TO-272-2
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 880MHz  ·  Усиление: 21.4dB  ·  Номинальное напряжение: 68V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 450mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 14Вт  ·  Корпус: TO-272-2
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ATF-55143-TR1ATF-55143-TR1Avago Technologies US Inc.IC TRANS E-PHEMT 2GHZ SOT-343
Тип транзистора: pHEMT FET  ·  Частота: 2GHz  ·  Усиление: 17.7dB  ·  Номинальное напряжение: 5V  ·  Номинал тока: 100mA  ·  Коэффициент шума: 0.6dB  ·  Ток - тестовый: 10mA  ·  Напряжение - тестовое: 2.7V  ·  P1dB: 14.4dBm  ·  Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF19045LSR3Freescale SemiconductorIC MOSFET RF N-CHAN NI-400S
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 1.93GHz  ·  Усиление: 14.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 550mA  ·  Напряжение - тестовое: 26V  ·  P1dB: 45Вт  ·  Корпус: NI-400S
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF9030LSR1Freescale SemiconductorIC MOSFET RF N-CHAN NI-360S
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 945MHz  ·  Усиление: 19dB  ·  Номинальное напряжение: 68V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 250mA  ·  Напряжение - тестовое: 26V  ·  P1dB: 30Вт  ·  Корпус: NI-360S
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF6G10LS-200,118BLF6G10LS-200,118NXP SemiconductorsIC BASESTATION FINAL SOT502B
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 871.5MHz  ·  Усиление: 20.2dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 49A  ·  Ток - тестовый: 1.4A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 40Вт  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SHF-0189SHF-0189Sirenza Microdevices IncIC HFET ALGAAS/GAAS .5W SOT-89
Тип транзистора: HFET  ·  Частота: 1.96GHz  ·  Усиление: 20.1dB  ·  Номинальное напряжение: 9V  ·  Номинал тока: 200mA  ·  Коэффициент шума: 3.2dB  ·  Ток - тестовый: 100mA  ·  Напряжение - тестовое: 8V  ·  P1dB: 27.5dBm  ·  Корпус: SOT-89
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA080551F V1Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 55W H-37265-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 960MHz  ·  Усиление: 18.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 600mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 55Вт
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NE34018-ANE34018-ANECAMP HJ-FET 2GHZ SOT-343
Тип транзистора: HFET  ·  Частота: 2GHz  ·  Усиление: 16dB  ·  Номинальное напряжение: 4V  ·  Номинал тока: 120mA  ·  Коэффициент шума: 0.6dB  ·  Ток - тестовый: 5mA  ·  Напряжение - тестовое: 2V  ·  P1dB: 12dBm  ·  Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF4G10LS-120,112BLF4G10LS-120,112NXP SemiconductorsBASESTATION FINAL 1GHZ SOT502B
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 920MHz  ·  Усиление: 19dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 12A  ·  Ток - тестовый: 650mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 48W  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF5S21045MBR1Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 28V 10W TO272-4
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 2.11GHz  ·  Усиление: 14.5dB  ·  Номинальное напряжение: 68V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 500mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 10Вт  ·  Корпус: TO-272-4
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TGF2021-12Triquint Semiconductor IncIC TRANS PHEMT 12GHZ 12MM DIE
Тип транзистора: pHEMT FET  ·  Частота: 10GHz  ·  Усиление: 11dB  ·  Номинальное напряжение: 12.5V  ·  Номинал тока: 5.6A  ·  Ток - тестовый: 900mA  ·  Напряжение - тестовое: 10V  ·  P1dB: 41.5dBm  ·  Корпус: Die
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BF 1005S E6433BF 1005S E6433Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 8V 25MA SOT-143
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 800MHz  ·  Усиление: 22dB  ·  Номинальное напряжение: 8V  ·  Номинал тока: 25mA  ·  Коэффициент шума: 1.6dB  ·  Напряжение - тестовое: 5V  ·  Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TGF4124Triquint Semiconductor IncIC TRANS HFET 4GHZ 10W 24MM DIE
Тип транзистора: HFET  ·  Частота: 2.3GHz  ·  Усиление: 10.8dB  ·  Номинальное напряжение: 12В  ·  Номинал тока: 5.88A  ·  Ток - тестовый: 2.17A  ·  Напряжение - тестовое: 8V  ·  P1dB: 2Вт  ·  Корпус: Die
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
CFH400CFH400Triquint Semiconductor IncIC PHEMT FET TRANSISTOR SOT343
Тип транзистора: pHEMT FET  ·  Частота: 1.8GHz  ·  Усиление: 15.7dB  ·  Номинальное напряжение: 5.5V  ·  Номинал тока: 80mA  ·  Коэффициент шума: 0.55dB  ·  Ток - тестовый: 10mA  ·  Напряжение - тестовое: 3V  ·  P1dB: 6dBm  ·  Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TGF4240-SCCTriquint Semiconductor IncIC TRANS HFET 12GHZ 1.4W DIE
Тип транзистора: HFET  ·  Частота: 8.5GHz  ·  Усиление: 10dB  ·  Номинальное напряжение: 12В  ·  Номинал тока: 588mA  ·  Ток - тестовый: 100mA  ·  Напряжение - тестовое: 8V  ·  P1dB: 31.5dBm  ·  Корпус: Die
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SPF-3143SPF-3143Sirenza Microdevices IncIC TRANS PHEMT 10GHZ SOT-343
Тип транзистора: pHEMT FET  ·  Частота: 1.9GHz  ·  Усиление: 19.9dB  ·  Номинальное напряжение: 7V  ·  Номинал тока: 180mA  ·  Коэффициент шума: 0.9dB  ·  Ток - тестовый: 40mA  ·  Напряжение - тестовое: 5V  ·  P1dB: 17.7dBm  ·  Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NE651R479A-ANE651R479A-ANECHJ-FET GAAS 1.9GHZ 1W 79A
Тип транзистора: HFET  ·  Частота: 1.9GHz  ·  Усиление: 12dB  ·  Номинальное напряжение: 8V  ·  Номинал тока: 1A  ·  Ток - тестовый: 50mA  ·  Напряжение - тестовое: 3.5V  ·  P1dB: 27dBm  ·  Корпус: 79A
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TGF2022-12Triquint Semiconductor IncIC TRANS PHEMT 20GHZ 1.2MM DIE
Тип транзистора: pHEMT FET  ·  Частота: 10GHz  ·  Усиление: 12.9dB  ·  Номинальное напряжение: 12.5V  ·  Номинал тока: 564mA  ·  Ток - тестовый: 90mA  ·  Напряжение - тестовое: 10V  ·  P1dB: 31.9dBm  ·  Корпус: Die
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TGF2022-24Triquint Semiconductor IncIC TRANS PHEMT 20GHZ 2.4MM DIE
Тип транзистора: pHEMT FET  ·  Частота: 10GHz  ·  Усиление: 12.9dB  ·  Номинальное напряжение: 12.5V  ·  Номинал тока: 1.12A  ·  Ток - тестовый: 180mA  ·  Напряжение - тестовое: 10V  ·  P1dB: 34.9dBm  ·  Корпус: Die
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF19125R3Freescale SemiconductorIC MOSFET RF N-CHAN NI-880
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 1.93GHz  ·  Усиление: 13.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1.3A  ·  Напряжение - тестовое: 24V  ·  P1dB: 24Вт  ·  Корпус: NI-880
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  1 ... 41424344454647 ... 49  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте