Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
TGF2960-SD-T/R | Triquint Semiconductor Inc | IC .5W DC-5.0GHZ HFET SOT-89 Тип транзистора: HFET · Частота: 900MHz · Усиление: 19dB · Номинальное напряжение: 17В · Номинал тока: 390mA · Коэффициент шума: 3.7dB · Ток - тестовый: 100mA · Напряжение - тестовое: 8V · P1dB: 27dBm · Корпус: SOT-89 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
MRF5S19150HSR3 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CHAN 28V 32W NI-880S Тип транзистора: N-Channel · Частота: 1.99GHz · Усиление: 14dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.4A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 32Вт · Корпус: NI-880S | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
PTFA041501HL V1 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 150W PG-64248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 470MHz · Усиление: 21dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 1µA · Ток - тестовый: 900mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 150Вт | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BLF6G10LS-200,112 | NXP Semiconductors | IC BASESTATION FINAL SOT502B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 871.5MHz · Усиление: 20.2dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 49A · Ток - тестовый: 1.4A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 40Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
MRF6S19060MR1 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CH 28V 12W TO270-4 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 1.93GHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 68V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 610mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 2Вт · Корпус: TO-270-4 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
MRF6S9060MBR1 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CH 28V 14W TO-272-2 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 880MHz · Усиление: 21.4dB · Номинальное напряжение: 68V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 450mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 14Вт · Корпус: TO-272-2 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
ATF-55143-TR1 | Avago Technologies US Inc. | IC TRANS E-PHEMT 2GHZ SOT-343 Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 2GHz · Усиление: 17.7dB · Номинальное напряжение: 5V · Номинал тока: 100mA · Коэффициент шума: 0.6dB · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 2.7V · P1dB: 14.4dBm · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
MRF19045LSR3 | Freescale Semiconductor | IC MOSFET RF N-CHAN NI-400S Тип транзистора: N-Channel · Частота: 1.93GHz · Усиление: 14.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 550mA · Напряжение - тестовое: 26V · P1dB: 45Вт · Корпус: NI-400S | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
MRF9030LSR1 | Freescale Semiconductor | IC MOSFET RF N-CHAN NI-360S Тип транзистора: N-Channel · Частота: 945MHz · Усиление: 19dB · Номинальное напряжение: 68V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 250mA · Напряжение - тестовое: 26V · P1dB: 30Вт · Корпус: NI-360S | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BLF6G10LS-200,118 | NXP Semiconductors | IC BASESTATION FINAL SOT502B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 871.5MHz · Усиление: 20.2dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 49A · Ток - тестовый: 1.4A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 40Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
SHF-0189 | Sirenza Microdevices Inc | IC HFET ALGAAS/GAAS .5W SOT-89 Тип транзистора: HFET · Частота: 1.96GHz · Усиление: 20.1dB · Номинальное напряжение: 9V · Номинал тока: 200mA · Коэффициент шума: 3.2dB · Ток - тестовый: 100mA · Напряжение - тестовое: 8V · P1dB: 27.5dBm · Корпус: SOT-89 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
PTFA080551F V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 55W H-37265-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 960MHz · Усиление: 18.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 600mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 55Вт | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
NE34018-A | NEC | AMP HJ-FET 2GHZ SOT-343 Тип транзистора: HFET · Частота: 2GHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 4V · Номинал тока: 120mA · Коэффициент шума: 0.6dB · Ток - тестовый: 5mA · Напряжение - тестовое: 2V · P1dB: 12dBm · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BLF4G10LS-120,112 | NXP Semiconductors | BASESTATION FINAL 1GHZ SOT502B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 920MHz · Усиление: 19dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 12A · Ток - тестовый: 650mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 48W · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
MRF5S21045MBR1 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CH 28V 10W TO272-4 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 2.11GHz · Усиление: 14.5dB · Номинальное напряжение: 68V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 500mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 10Вт · Корпус: TO-272-4 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
TGF2021-12 | Triquint Semiconductor Inc | IC TRANS PHEMT 12GHZ 12MM DIE Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 10GHz · Усиление: 11dB · Номинальное напряжение: 12.5V · Номинал тока: 5.6A · Ток - тестовый: 900mA · Напряжение - тестовое: 10V · P1dB: 41.5dBm · Корпус: Die | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BF 1005S E6433 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 8V 25MA SOT-143 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 800MHz · Усиление: 22dB · Номинальное напряжение: 8V · Номинал тока: 25mA · Коэффициент шума: 1.6dB · Напряжение - тестовое: 5V · Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
TGF4124 | Triquint Semiconductor Inc | IC TRANS HFET 4GHZ 10W 24MM DIE Тип транзистора: HFET · Частота: 2.3GHz · Усиление: 10.8dB · Номинальное напряжение: 12В · Номинал тока: 5.88A · Ток - тестовый: 2.17A · Напряжение - тестовое: 8V · P1dB: 2Вт · Корпус: Die | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
CFH400 | Triquint Semiconductor Inc | IC PHEMT FET TRANSISTOR SOT343 Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 1.8GHz · Усиление: 15.7dB · Номинальное напряжение: 5.5V · Номинал тока: 80mA · Коэффициент шума: 0.55dB · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 3V · P1dB: 6dBm · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
TGF4240-SCC | Triquint Semiconductor Inc | IC TRANS HFET 12GHZ 1.4W DIE Тип транзистора: HFET · Частота: 8.5GHz · Усиление: 10dB · Номинальное напряжение: 12В · Номинал тока: 588mA · Ток - тестовый: 100mA · Напряжение - тестовое: 8V · P1dB: 31.5dBm · Корпус: Die | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
SPF-3143 | Sirenza Microdevices Inc | IC TRANS PHEMT 10GHZ SOT-343 Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 1.9GHz · Усиление: 19.9dB · Номинальное напряжение: 7V · Номинал тока: 180mA · Коэффициент шума: 0.9dB · Ток - тестовый: 40mA · Напряжение - тестовое: 5V · P1dB: 17.7dBm · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
NE651R479A-A | NEC | HJ-FET GAAS 1.9GHZ 1W 79A Тип транзистора: HFET · Частота: 1.9GHz · Усиление: 12dB · Номинальное напряжение: 8V · Номинал тока: 1A · Ток - тестовый: 50mA · Напряжение - тестовое: 3.5V · P1dB: 27dBm · Корпус: 79A | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
TGF2022-12 | Triquint Semiconductor Inc | IC TRANS PHEMT 20GHZ 1.2MM DIE Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 10GHz · Усиление: 12.9dB · Номинальное напряжение: 12.5V · Номинал тока: 564mA · Ток - тестовый: 90mA · Напряжение - тестовое: 10V · P1dB: 31.9dBm · Корпус: Die | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
TGF2022-24 | Triquint Semiconductor Inc | IC TRANS PHEMT 20GHZ 2.4MM DIE Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 10GHz · Усиление: 12.9dB · Номинальное напряжение: 12.5V · Номинал тока: 1.12A · Ток - тестовый: 180mA · Напряжение - тестовое: 10V · P1dB: 34.9dBm · Корпус: Die | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
MRF19125R3 | Freescale Semiconductor | IC MOSFET RF N-CHAN NI-880 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 1.93GHz · Усиление: 13.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.3A · Напряжение - тестовое: 24V · P1dB: 24Вт · Корпус: NI-880 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |