Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  MOSFET транзисторы (сборки)

Производитель





















Серия
















Rds On (Max) @ Id, Vgs


















































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Напряжение (Vdss)










































Gate Charge (Qg) @ Vgs

















































































































































































































































































































































































































Ток @ 25°C































































































































































































































































































































































































































Емкость @ Vds






















































































































































































































































































































































































































































































































































Полярность









Особенности

Мощность макcимальная































































































































Тип монтажа


Корпус










































































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
APTM10HM05FGMicrosemi-PPGMOSFET MODULE FULL BRIDGE SP6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 125A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 100V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 700nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 278A  ·  Емкость @ Vds: 20000pF @ 25V  ·  Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 780W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP6
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTM10HM09FT3GMicrosemi-PPGMOSFET MODULE FULL BRIDGE SP3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 100V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 350nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 139A  ·  Емкость @ Vds: 9875pF @ 25V  ·  Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 390W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP3
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTM10HM09FTGMicrosemi-PPGMOSFET MODULE FULL BRIDGE SP4
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 100V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 350nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 139A  ·  Емкость @ Vds: 9875pF @ 25V  ·  Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 390W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP4 Module
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTM10HM19FT3GMicrosemi-PPGMOSFET MODULE FULL BRIDGE SP3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 35A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 100V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 200nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 70A  ·  Емкость @ Vds: 5100pF @ 25V  ·  Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 208W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP3
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTM10TAM09FPGMicrosemi-PPGMOSFET MOD TRPL PHASE LEG SP6-P
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 100V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 350nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 139A  ·  Емкость @ Vds: 9875pF @ 25V  ·  Полярность: 6 N-Channel (3-Phase Leg)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 390W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP6
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTM10TAM19FPGMicrosemi-PPGMOSFET MOD TRPL PHASE LEG SP6-P
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 35A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 100V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 200nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 70A  ·  Емкость @ Vds: 5100pF @ 25V  ·  Полярность: 6 N-Channel (3-Phase Leg)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 208W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP6
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTM10TDUM09PGMicrosemi-PPGMOSFET MOD TRIPLE DUAL SRC SP6-P
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 100V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 350nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 139A  ·  Емкость @ Vds: 9875pF @ 25V  ·  Полярность: 6 N-Channel (3-Phase Leg)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 390W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP6
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTM10TDUM19PGMicrosemi-PPGMOSFET MOD TRIPLE DUAL SRC SP6-P
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 35A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 100V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 200nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 70A  ·  Емкость @ Vds: 5100pF @ 25V  ·  Полярность: 6 N-Channel (3-Phase Leg)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 208W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP6
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTM120A15FGMicrosemi-PPGMOSFET MODULE PHASE LEG SP6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175 mOhm @ 30A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 1200V (1.2kV)  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 748nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 60A  ·  Емкость @ Vds: 20600pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 1250W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP6
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTM120A20DGMicrosemi-PPGMOSFET MOD PHASE LEG SER DIO SP6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 25A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 1200V (1.2kV)  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 600nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 50A  ·  Емкость @ Vds: 15200pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 1250W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP6
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTM120A20SGMicrosemi-PPGMOSFET MOD PHASE LEG SER/PAR SP6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 25A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 1200V (1.2kV)  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 600nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 50A  ·  Емкость @ Vds: 15200pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 1250W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP6
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTM120A29FTGMicrosemi-PPGMOSFET MODULE PHASE LEG SP4
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 348 mOhm @ 17A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 1200V (1.2kV)  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 374nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 34A  ·  Емкость @ Vds: 10300pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 780W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP4 Module
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTM120A65FT1GMicrosemi-PPGMOSFET MODULE PHASE LEG SP1
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 780 mOhm @ 14A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 1200V (1.2kV)  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 300nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 16A  ·  Емкость @ Vds: 7736pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 390W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP1 Module
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTM120A80FT1GMicrosemi-PPGMOSFET MODULE PHASE LEG SP1
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 960 mOhm @ 12A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 1200V (1.2kV)  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 260nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 14A  ·  Емкость @ Vds: 6696pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 357W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP1 Module
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTM120DDA57T3GMicrosemi-PPGMOSFET MOD DUAL BOOST CHOP SP3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 684 mOhm @ 8.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 1200V (1.2kV)  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 187nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 17A  ·  Емкость @ Vds: 5155pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 390W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP3
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTM120DSK57T3GMicrosemi-PPGMOSFET MOD DUAL BUCK CHOPPER SP3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 684 mOhm @ 8.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 1200V (1.2kV)  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 187nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 17A  ·  Емкость @ Vds: 5155pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 390W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP3
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTM120DU15GMicrosemi-PPGMOSFET MOD DUAL COMMON SRC SP6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175 mOhm @ 30A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 1200V (1.2kV)  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 748nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 60A  ·  Емкость @ Vds: 20600pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 1250W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP6
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTM120DU29TGMicrosemi-PPGMOSFET MOD DUAL COMMON SRC SP4
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 348 mOhm @ 17A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 1200V (1.2kV)  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 374nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 34A  ·  Емкость @ Vds: 10300pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 780W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP4 Module
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTM120H140FT1GMicrosemi-PPGMOSFET MOD FULL BRIDGE 1200V SP1
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.68 Ohm @ 7A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 1200V (1.2kV)  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 145nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 8A  ·  Емкость @ Vds: 3812pF @ 25V  ·  Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 208W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP1 Module
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTM120H29FGAPTM120H29FGMicrosemi-PPGPWR MODULE MOSFET 1200V 34A SP6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 348 mOhm @ 17A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 1200V (1.2kV)  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 374nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 34A  ·  Емкость @ Vds: 10300pF @ 25V  ·  Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 780W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP6
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTM120H57FT3GMicrosemi-PPGMOSFET MOD FULL BRIDGE 1200V SP3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 684 mOhm @ 8.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 1200V (1.2kV)  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 187nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 17A  ·  Емкость @ Vds: 5155pF @ 25V  ·  Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 390W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP3
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTM120H57FTGMicrosemi-PPGMOSFET MOD FULL BRIDGE 1200V SP4
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 684 mOhm @ 8.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 1200V (1.2kV)  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 187nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 17A  ·  Емкость @ Vds: 5155pF @ 25V  ·  Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 390W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP4 Module
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTM120TA57FPGMicrosemi-PPGMOSFET MOD TRPL PHASE LEG SP6-P
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 684 mOhm @ 8.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 1200V (1.2kV)  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 187nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 17A  ·  Емкость @ Vds: 5155pF @ 25V  ·  Полярность: 6 N-Channel (3-Phase Leg)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 390W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP6
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTM120TDU57PGMicrosemi-PPGMOSFET MOD TRIPLE DUAL SRC SP6-P
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 684 mOhm @ 8.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 1200V (1.2kV)  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 187nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 17A  ·  Емкость @ Vds: 5155pF @ 25V  ·  Полярность: 6 N-Channel (3-Phase Leg)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 390W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP6
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTM20AM04FGAPTM20AM04FGMicrosemi-PPGPWR MODULE MOSFET 200V 372A SP6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 186A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 200В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 560nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 372A  ·  Емкость @ Vds: 28900pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 1250W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP6
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  1 ... 3456789 ... 59  Ctrl →

© 2006 — 2020 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте