Войти Регистрация |
|
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
APTM10HM09FT3G | Microsemi-PPG | MOSFET MODULE FULL BRIDGE SP3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 350nC @ 10V · Ток @ 25°C: 139A · Емкость @ Vds: 9875pF @ 25V · Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 390W · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SP3 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
APTM10DHM09TG | Microsemi-PPG | MOSFET MOD ASYMMETRIC BRIDGE SP4 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 350nC @ 10V · Ток @ 25°C: 139A · Емкость @ Vds: 9875pF @ 25V · Полярность: Asy ммetrical Bridge (2 N-Channel) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 390W · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SP4 Module | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |