Дискретные полупроводники  ·  MOSFET транзисторы (сборки)

APTM120H140FT1G — MOSFET MOD FULL BRIDGE 1200V SP1

Производитель	Microsemi-PPG
Вредные вещества	RoHS   Без свинца
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.68 Ohm @ 7A, 10V
Напряжение (Vdss)	1200V (1.2kV)
Gate Charge (Qg) @ Vgs	145nC @ 10V
Ток @ 25°C	8A
Емкость @ Vds	3812pF @ 25V
Полярность	4 N-Channel (H-Bridge)
Особенности	Стандарт
Мощность макcимальная	208W
Тип монтажа	Chassis Mount
Корпус	SP1 Module