Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
DMN2005DLP4K-7 | Diodes Inc | MOSFET DUAL N-CH 6-DFN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 10mA, 4V · Напряжение (Vdss): 20В · Ток @ 25°C: 200mA · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 350mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-DFN | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
DMN66D0LDW-7 | Diodes Inc | MOSFET N-CH DUAL 115MA SOT-363 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 115mA, 5V · Напряжение (Vdss): 60V · Ток @ 25°C: 115mA · Емкость @ Vds: 23pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 250mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
DMN601DMK-7 | Diodes Inc | MOSFET N-CH DUAL 60V 225MW SOT26 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 Ohm @ 200mA, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Ток @ 25°C: 305mA · Емкость @ Vds: 50pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 225mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-26 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
US6M1TR | Rohm Semiconductor | MOSFET N+P 30,20V 1A TUMT6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 1.4A, 10V · Напряжение (Vdss): 30V, 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2nC @ 5V · Ток @ 25°C: 1.4A, 1A · Емкость @ Vds: 70pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TUMT6 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDC6321C | Fairchild Semiconductor | MOSFET N/P-CH DUAL 25V SSOT-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 500mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.3nC @ 5V · Ток @ 25°C: 680mA, 460mA · Емкость @ Vds: 50pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 700мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-SSOT, SuperSOT-6 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BSS84DW-7-F | Diodes Inc | MOSFET P-CHAN DUAL 50V SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 100mA, 5V · Напряжение (Vdss): 50V · Ток @ 25°C: 130mA · Емкость @ Vds: 45pF @ 25V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 300mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NTJD1155LT1G | ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175 mOhm @ 1.2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 8V · Ток @ 25°C: 1.3A · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 400мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDC6506P | Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CHAN DUAL 30V SSOT6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 1.8A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.5nC @ 10V · Ток @ 25°C: 1.8A · Емкость @ Vds: 190pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 700мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-SSOT, SuperSOT-6 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
DMN2004DMK-7 | Diodes Inc | MOSFET DUAL N-CHAN 20V SOT-26 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Ток @ 25°C: 540mA · Емкость @ Vds: 150pF @ 16V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 225mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-26 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
QS6M3TR | Rohm Semiconductor | MOSFET N+P 30,20V 1.5A TSMT6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 1.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 30V, 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.6nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 1.5A · Емкость @ Vds: 80pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.25W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TSMT6 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NTHD2102PT1G | ON Semiconductor | MOSFET PWR P-CH DUAL 8V CHIPFET Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 3.4A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 8V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 2.5V · Ток @ 25°C: 3.4A · Емкость @ Vds: 715pF @ 6.4V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.1W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-ChipFET™ | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI1905DL-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET P-CH DUAL 8V SC70-6 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 570mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 8V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 570mA · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 270mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
DMN3024LSD-13 | Diodes/Zetex | MOSFET 2N-CH 30V 5.7A SO8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.3nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5.7A · Емкость @ Vds: 608pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.3W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOP | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NTLUD3191PZTBG | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 1.7A DUAL 6UDFN | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NTLUD3191PZTAG | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 1.7A DUAL 6UDFN | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NTGD3148NT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH DUAL 20V 3.5A 6TSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 3.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.8nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 3A · Емкость @ Vds: 300pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 900мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-TSOP | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NTGD4167CT1G | ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V DUAL 6-TSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.6A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.6A, 1.9A · Емкость @ Vds: 295pF @ 15V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 900мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-TSOP | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI1958DH-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET N-CH DUAL 20V SC70-6 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205 mOhm @ 1.3A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.8nC @ 10V · Ток @ 25°C: 1.3A · Емкость @ Vds: 105pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 740mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDMA1023PZ | Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CHAN DUAL MICROFET2X2 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 3.7A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 3.7A · Емкость @ Vds: 655pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 700мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-MLP, 6-MicroFET™ | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDW2511NZ | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH DUAL 20V 7.1A 8-TSSO Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 7.1A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17.3nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 7.1A · Емкость @ Vds: 1000pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.6W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSSOP | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDW9926A | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH DUAL 20V 4.5A 8-TSSO Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 4.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 4.5A · Емкость @ Vds: 630pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 600mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSSOP | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NTJD2152PT1G | ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 8V 775MA SOT-363 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 570mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 8V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 775mA · Емкость @ Vds: 225pF @ 8V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 270mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
DMN5L06DWK-7 | Diodes Inc | MOSFET DUAL N-CH 50V SOT-363 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 50mA @ 5V · Напряжение (Vdss): 50V · Ток @ 25°C: 305mA · Емкость @ Vds: 50pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 250mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
DMN2004DWK-7 | Diodes Inc | MOSFET DUAL N-CHAN 20V SOT-363 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Ток @ 25°C: 540mA · Емкость @ Vds: 150pF @ 16V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 200mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
DMC2004DWK-7 | Diodes Inc | MOSFET DUAL COMPL PAIR SOT-363 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Ток @ 25°C: 540mA, 430mA · Емкость @ Vds: 150pF @ 16V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 250mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |