Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  MOSFET транзисторы (сборки)

Производитель





















Серия
















Rds On (Max) @ Id, Vgs


















































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Напряжение (Vdss)










































Gate Charge (Qg) @ Vgs

















































































































































































































































































































































































































Ток @ 25°C































































































































































































































































































































































































































Емкость @ Vds






















































































































































































































































































































































































































































































































































Полярность









Особенности

Мощность макcимальная































































































































Тип монтажа


Корпус










































































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
DMN2005DLP4K-7DMN2005DLP4K-7Diodes IncMOSFET DUAL N-CH 6-DFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 10mA, 4V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Ток @ 25°C: 200mA  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 350mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 6-DFN
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
DMN66D0LDW-7DMN66D0LDW-7Diodes IncMOSFET N-CH DUAL 115MA SOT-363
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 115mA, 5V  ·  Напряжение (Vdss): 60V  ·  Ток @ 25°C: 115mA  ·  Емкость @ Vds: 23pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
DMN601DMK-7DMN601DMK-7Diodes IncMOSFET N-CH DUAL 60V 225MW SOT26
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 Ohm @ 200mA, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 60V  ·  Ток @ 25°C: 305mA  ·  Емкость @ Vds: 50pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 225mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-26
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
US6M1TRUS6M1TRRohm SemiconductorMOSFET N+P 30,20V 1A TUMT6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 1.4A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30V, 20V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 1.4A, 1A  ·  Емкость @ Vds: 70pF @ 10V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: TUMT6
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FDC6321CFDC6321CFairchild SemiconductorMOSFET N/P-CH DUAL 25V SSOT-6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 500mA, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 25V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.3nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 680mA, 460mA  ·  Емкость @ Vds: 50pF @ 10V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 700мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 6-SSOT, SuperSOT-6
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BSS84DW-7-FBSS84DW-7-FDiodes IncMOSFET P-CHAN DUAL 50V SC70-6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 100mA, 5V  ·  Напряжение (Vdss): 50V  ·  Ток @ 25°C: 130mA  ·  Емкость @ Vds: 45pF @ 25V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NTJD1155LT1GNTJD1155LT1GON SemiconductorMOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175 mOhm @ 1.2A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 8V  ·  Ток @ 25°C: 1.3A  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FDC6506PFDC6506PFairchild SemiconductorMOSFET P-CHAN DUAL 30V SSOT6
Серия: PowerTrench®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 1.8A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.5nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 1.8A  ·  Емкость @ Vds: 190pF @ 15V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 700мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 6-SSOT, SuperSOT-6
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
DMN2004DMK-7DMN2004DMK-7Diodes IncMOSFET DUAL N-CHAN 20V SOT-26
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Ток @ 25°C: 540mA  ·  Емкость @ Vds: 150pF @ 16V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 225mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-26
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
QS6M3TRQS6M3TRRohm SemiconductorMOSFET N+P 30,20V 1.5A TSMT6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 1.5A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 30V, 20V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.6nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 1.5A  ·  Емкость @ Vds: 80pF @ 10V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.25W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: TSMT6
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NTHD2102PT1GON SemiconductorMOSFET PWR P-CH DUAL 8V CHIPFET
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 3.4A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 8V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 2.5V  ·  Ток @ 25°C: 3.4A  ·  Емкость @ Vds: 715pF @ 6.4V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.1W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-ChipFET™
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI1905DL-T1-E3SI1905DL-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET P-CH DUAL 8V SC70-6
Серия: TrenchFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 570mA, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 8V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 570mA  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 270mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
DMN3024LSD-13Diodes/ZetexMOSFET 2N-CH 30V 5.7A SO8
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.3nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 5.7A  ·  Емкость @ Vds: 608pF @ 15V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.3W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOP
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NTLUD3191PZTBGON SemiconductorMOSFET P-CH 20V 1.7A DUAL 6UDFNот 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NTLUD3191PZTAGON SemiconductorMOSFET P-CH 20V 1.7A DUAL 6UDFNот 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NTGD3148NT1GON SemiconductorMOSFET N-CH DUAL 20V 3.5A 6TSOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 3.5A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.8nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 3A  ·  Емкость @ Vds: 300pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 900мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 6-TSOP
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NTGD4167CT1GON SemiconductorMOSFET N/P-CH 30V DUAL 6-TSOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.6A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 2.6A, 1.9A  ·  Емкость @ Vds: 295pF @ 15V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 900мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 6-TSOP
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI1958DH-T1-E3SI1958DH-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET N-CH DUAL 20V SC70-6
Серия: TrenchFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205 mOhm @ 1.3A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.8nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 1.3A  ·  Емкость @ Vds: 105pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 740mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FDMA1023PZFDMA1023PZFairchild SemiconductorMOSFET P-CHAN DUAL MICROFET2X2
Серия: PowerTrench®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 3.7A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 3.7A  ·  Емкость @ Vds: 655pF @ 10V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 700мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 6-MLP, 6-MicroFET™
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FDW2511NZFairchild SemiconductorMOSFET N-CH DUAL 20V 7.1A 8-TSSO
Серия: PowerTrench®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 7.1A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17.3nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 7.1A  ·  Емкость @ Vds: 1000pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.6W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-TSSOP
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FDW9926AFairchild SemiconductorMOSFET N-CH DUAL 20V 4.5A 8-TSSO
Серия: PowerTrench®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 4.5A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 4.5A  ·  Емкость @ Vds: 630pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 600mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-TSSOP
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NTJD2152PT1GNTJD2152PT1GON SemiconductorMOSFET 2P-CH 8V 775MA SOT-363
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 570mA, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 8V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 775mA  ·  Емкость @ Vds: 225pF @ 8V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 270mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
DMN5L06DWK-7DMN5L06DWK-7Diodes IncMOSFET DUAL N-CH 50V SOT-363
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 50mA @ 5V  ·  Напряжение (Vdss): 50V  ·  Ток @ 25°C: 305mA  ·  Емкость @ Vds: 50pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
DMN2004DWK-7DMN2004DWK-7Diodes IncMOSFET DUAL N-CHAN 20V SOT-363
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Ток @ 25°C: 540mA  ·  Емкость @ Vds: 150pF @ 16V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
DMC2004DWK-7DMC2004DWK-7Diodes IncMOSFET DUAL COMPL PAIR SOT-363
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Ток @ 25°C: 540mA, 430mA  ·  Емкость @ Vds: 150pF @ 16V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  1 ... 3456789 ... 59  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте