Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  MOSFET транзисторы (сборки)

Производитель





















Серия
















Rds On (Max) @ Id, Vgs


















































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Напряжение (Vdss)










































Gate Charge (Qg) @ Vgs

















































































































































































































































































































































































































Ток @ 25°C































































































































































































































































































































































































































Емкость @ Vds






















































































































































































































































































































































































































































































































































Полярность









Особенности

Мощность макcимальная































































































































Тип монтажа


Корпус










































































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
APTM100A46FT1GMicrosemi-PPGMOSFET MODULE PHASE LEG SP1
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 552 mOhm @ 16A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 1000V (1kV)  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 260nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 19A  ·  Емкость @ Vds: 6800pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 357W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP1 Module
от 13545,85Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTM100AM90FGMicrosemi-PPGMOSFET MODULE PHASE LEG SP6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 39A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 1000V (1kV)  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 744nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 78A  ·  Емкость @ Vds: 20700pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 1250W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP6
от 43091,21Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTM100DDA35T3GMicrosemi-PPGMOSFET MOD DUAL BOOST CHOP SP3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 11A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 1000V (1kV)  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 186nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 22A  ·  Емкость @ Vds: 5200pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 390W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP3
от 12760,52Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTM100DSK35T3GMicrosemi-PPGMOSFET MOD DUAL BUCK CHOP SP3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 11A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 1000V (1kV)  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 186nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 22A  ·  Емкость @ Vds: 5200pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 390W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP3
от 12760,52Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTM100DU18TGMicrosemi-PPGMOSFET MOD DUAL COMMON SRC SP4
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 21.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 1000V (1kV)  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 372nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 43A  ·  Емкость @ Vds: 10400pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 780W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP4 Module
от 21470,28Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTM100DUM90GMicrosemi-PPGMOSFET MOD DUAL COMMON SRC SP6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 39A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 1000V (1kV)  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 744nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 78A  ·  Емкость @ Vds: 20700pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 1250W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP6
от 42642,57Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTM100H18FGMicrosemi-PPGMOSFET MODULE FULL BRIDGE SP6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 21.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 1000V (1kV)  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 372nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 43A  ·  Емкость @ Vds: 10400pF @ 25V  ·  Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 780W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP6
от 43448,40Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTM100H35FT3GMicrosemi-PPGMOSFET MODULE FULL BRIDGE SP3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 11A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 1000V (1kV)  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 186nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 22A  ·  Емкость @ Vds: 5200pF @ 25V  ·  Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 390W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP3
от 19813,92Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTM100H35FTGMicrosemi-PPGMOSFET MODULE FULL BRIDGE SP4
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 11A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 1000V (1kV)  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 186nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 22A  ·  Емкость @ Vds: 5200pF @ 25V  ·  Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 390W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP4 Module
от 22214,26Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTM100H45FT3GMicrosemi-PPGMOSFET MODULE FULL BRIDGE SP3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540 mOhm @ 9A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 1000V (1kV)  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 154nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 18A  ·  Емкость @ Vds: 4350pF @ 25V  ·  Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 357W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP3
от 17150,82Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTM100H45SCTGMicrosemi-PPGMOSFET FULL BRIDGE SER/SIC SP4
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540 mOhm @ 9A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 1000V (1kV)  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 154nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 18A  ·  Емкость @ Vds: 4350pF @ 25V  ·  Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 357W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP4 Module
от 43879,39Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTM100H45STGMicrosemi-PPGMOSFET FULL BRIDGE SER/PAR SP4
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540 mOhm @ 9A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 1000V (1kV)  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 154nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 18A  ·  Емкость @ Vds: 4350pF @ 25V  ·  Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 357W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP4 Module
от 21954,60Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTM100H80FT1GMicrosemi-PPGMOSFET MODULE FULL BRIDGE SP1
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 960 mOhm @ 9A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 1000V (1kV)  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 150nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 11A  ·  Емкость @ Vds: 3876pF @ 25V  ·  Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 208W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP1 Module
от 9049,34Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTM100TA35FPGMicrosemi-PPGMOSFET MOD TRPL PHASE LEG SP6-P
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 11A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 1000V (1kV)  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 186nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 22A  ·  Емкость @ Vds: 5200pF @ 25V  ·  Полярность: 6 N-Channel (3-Phase Leg)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 390W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP6
от 35128,42Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTM100TDU35PGMicrosemi-PPGMOSFET TRIPLE DUAL COM SRC SP6-P
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 11A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 1000V (1kV)  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 186nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 22A  ·  Емкость @ Vds: 5200pF @ 25V  ·  Полярность: 6 N-Channel (3-Phase Leg)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 390W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP6
от 34809,55Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTM10AM02FGAPTM10AM02FGMicrosemi-PPGPWR MODULE MOSFET 100V 495A SP6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 200A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 100V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1360nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 495A  ·  Емкость @ Vds: 40000pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 1250W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP6
от 18674,46
до 35792,85
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTM10AM05FTGMicrosemi-PPGMOSFET MODULE PHASE LEG SP4
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 125A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 100V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 700nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 278A  ·  Емкость @ Vds: 20000pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 780W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP4 Module
от 18210,85Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTM10DDAM09T3GMicrosemi-PPGMOSFET MOD DUAL BOOST CHOP SP3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 100V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 350nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 139A  ·  Емкость @ Vds: 9875pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 390W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP3
от 11860,02Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTM10DDAM19T3GMicrosemi-PPGMOSFET MOD DUAL BOOST CHOP SP3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 35A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 100V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 200nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 70A  ·  Емкость @ Vds: 5100pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 208W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP3
от 8293,50Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTM10DHM05GMicrosemi-PPGMOSFET MOD ASYMMETRIC BRIDGE SP6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 125A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 100V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 700nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 278A  ·  Емкость @ Vds: 20000pF @ 25V  ·  Полярность: Asy ммetrical Bridge (2 N-Channel)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 780W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP6
от 27419,62Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTM10DHM09TGMicrosemi-PPGMOSFET MOD ASYMMETRIC BRIDGE SP4
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 100V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 350nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 139A  ·  Емкость @ Vds: 9875pF @ 25V  ·  Полярность: Asy ммetrical Bridge (2 N-Channel)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 390W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP4 Module
от 14260,40Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTM10DSKM09T3GMicrosemi-PPGMOSFET MOD DUAL BUCK CHOPPER SP3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 100V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 350nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 139A  ·  Емкость @ Vds: 9875pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 390W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP3
от 11860,02Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTM10DSKM19T3GMicrosemi-PPGMOSFET MOD DUAL BUCK CHOPPER SP3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 35A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 100V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 200nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 70A  ·  Емкость @ Vds: 5100pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 208W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP3
от 8293,50Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTM10DUM02GMicrosemi-PPGMOSFET MOD DUAL COMMON SRC SP6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 200A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 100V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1360nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 495A  ·  Емкость @ Vds: 40000pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 1250W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP6
от 34656,02Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTM10DUM05TGMicrosemi-PPGMOSFET MOD DUAL COMMON SRC SP4
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 125A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 100V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 700nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 278A  ·  Емкость @ Vds: 20000pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 780W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP4 Module
от 17475,60Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  12345678 ... 59  Ctrl →

© 2006 — 2020 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте